一种半导体硅片清洗釜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体硅片清洗釜。
【背景技术】
[0002]目前所使用的半导体硅片清洗装置清洗过程中需要使用大量纯水，并添加有机溶剂，会造成环境污染、人身危害和水资源浪费等严重问题。
[0003]中国实用新型专利(公开号:CN2489887Y)公开了一种连续式超声波清洗机，其存在清洗盲区，不能有效清洗微孔和狭缝，并且使用清洗剂还会对环境造成污染；中国发明专利(公开号:CN101740342A)公开了一种绿色二氧化碳超临界流体半导体清洗设备，主要是对半导体硅片清洗，但并未增加旋转、振荡等辅助清洗手段，最终实际清洗效果不理想；中国发明专利(公开号:CN1990126A)公开了一种超临界二氧化碳清洗系统与方法，主要对晶圆或元件清洗，而结构复杂，操作繁琐，不宜于工业生产推广；中国实用新型专利(公开号:CN201720215U)公开了一种盲孔内螺纹无肩清洗装置，只是单一使用超声波清洗。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体硅片清洗釜，它具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是:
[0006]一种半导体硅片清洗釜，包括釜体及与釜体密封连接釜盖，还包括插入釜体内部的清洗管，清洗管外端设有截止阀，在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超生波发生器，在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔，在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道，在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘，硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管，连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板，还包括受阀门控制的釜体排气口。
[0007]本实用新型进一步改进在于:
[0008]釜体内壁为竖立的圆筒形；釜盖为圆形，位于釜体的正上方；清洗管由釜盖的中心竖向插入藎体内部，藎体排气口位于藎盖上。
[0009]釜体设有旋转结构:在釜体的外周设有与其同轴心的筒形外壳，筒形外壳的上端与釜体上部密封旋转连接，负压连接通道由釜体与外壳之间的环形间隙形成，在外壳的底部设有与负压连接通道连通的吸气孔，外壳的底部中心设有电机，电机的转轴竖直向上通过外壳底部与釜体底部中心固定。
[0010]清洗管位于釜体内部部分的外壁设有多个喷嘴。
[0011]在截止阀与釜体之间的清洗管上连接两个超生波发生器。
[0012]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
[0013]本实用新型中在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔，在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道，在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘，硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管，连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板，根据半导体硅片只需对一面清洁度有严格要求的特点，通过负压方式使硅片吸盘固定半导体硅片，使需要清洁的一面暴露在釜体内清洗，改变了现有硅片装夹方式，提高了生产效率，改善清洗效果。(现有的清洗釜设计较为简单、抽象，对硅片的装夹方式一般是通过夹持元件来夹住硅片进行清洗，这种机械夹紧，效率低下，操作繁琐，且被夹持位置死区处往往残留颗粒)。包括釜体及与釜体密封连接釜盖，还包括插入釜体内部的清洗管，清洗管外端设有截止阀，在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超生波发生器，使釜体内形成密闭空间，以便于清洗管注入超临界二氧化碳，超临界二氧化碳的微气泡能在超声波的作用下保持振动，对半导体硅片进行清洗，清洗效果好；还包括受阀门控制的釜体排气口，通过快速泄压，使含有污物的超临界二氧化碳直接通过釜体排气口快速排出，将杂质混合液快速带走，避免重新沉积到半导体硅片表面并产生空化作用，利于杂质脱落，达到对半导体硅片较好的清洗效果。釜体设有旋转结构，在电机的带动下使釜体旋转，加强清洗效果。本实用新型具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的结构示意图；
[0015]图2是图1中硅片吸盘的结构示意图。
[0016]在附图中:1、釜体；2、釜盖；3、清洗管；4、超生波发生器；5、硅片吸盘连通孔；6、硅片吸盘；7、釜体排气口 ；8、外壳；9、负压连接通道；10、吸气孔；11、电机；12、转轴；13、喷嘴；14、半导体娃片。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合附图和具体实施例对本实用新型进行进一步详细说明。
[0018]由图1-2所示的实施例可知，本实施例包括釜体I及与釜体I密封连接釜盖2，还包括插入釜体I内部的清洗管3，清洗管3外端设有截止阀，在截止阀与釜体I之间的清洗管3上连接超生波发生器4，在釜体I壁上均布硅片吸盘连通孔5，在釜体I的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道9，在釜体I的内壁设有与硅片吸盘连通孔5连通的硅片吸盘6，硅片吸盘6包括一端与硅片吸盘连通孔5连通的连接管6-1，连接管6-1的另一端连接均布吸附微孔6-2的吸附板6-3，还包括受阀门控制的釜体排气口 7。
[0019]釜体I内壁为竖立的圆筒形；釜盖2为圆形，位于釜体I的正上方；清洗管3由釜盖2的中心竖向插入釜体I内部，釜体排气口 7位于釜盖2上。
[0020]釜体I设有旋转结构:在釜体I的外周设有与其同轴心的筒形外壳8，筒形外壳8的上端与釜体I上部密封旋转连接，负压连接通道9由釜体I与外壳8之间的环形间隙形成，在外壳8的底部设有与负压连接通道9连通的吸气孔10，外壳8的底部中心设有电机11，电机11的转轴12竖直向上通过外壳8底部与釜体I底部中心固定。
[0021]清洗管3位于釜体I内部部分的外壁设有多个喷嘴13。
[0022]在截止阀与釜体I之间的清洗管3上连接两个超生波发生器4。
[0023]使用方法及工作原理
[0024]使用时将吸气孔10与负压设备连接，硅片吸盘内部形成负压，将待清洗的半导体硅片在负压的作用下吸附到硅片吸盘6上，将清洗管3通过外端的截止阀与超临界二氧化碳连通；关闭釜盖2，关闭釜体排气口 7上的阀门，使釜体I内腔形成密闭空间；启动超生波发生器4，使超临界二氧化碳通过清洗管3注入釜体I内腔，超临界二氧化碳的微气泡能在超声波的作用下保持振动，对半导体硅片14进行清洗；，启动电机11，釜体I开始旋转，以便对半导体硅片14清洗全面彻底，清洗一段时间后，关闭清洗管3端部的截止阀，打开釜体排气口 7上的阀门，快速泄压，使含有污物的超临界二氧化碳直接通过釜体排气口 7快速排出，将杂质混合液快速带走，避免重新沉积到半导体硅片表面并产生空化作用，利于杂质脱落，达到对半导体硅片较好的清洗效果。
【主权项】
1.一种半导体硅片清洗釜，其特征在于:包括釜体(I)及与釜体(I)密封连接釜盖(2)，还包括插入釜体(I)内部的清洗管(3)，所述清洗管(3)外端设有截止阀，在所述截止阀与所述釜体(I)之间的清洗管(3 )上连接超生波发生器(4 )，在所述釜体(I)壁上均布硅片吸盘连通孔(5)，在所述釜体(I)的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道(9)，在所述釜体(I)的内壁设有与所述硅片吸盘连通孔(5)连通的硅片吸盘(6)，所述硅片吸盘(6)包括一端与硅片吸盘连通孔(5)连通的连接管(6-1)，所述连接管(6-1)的另一端连接均布吸附微孔(6-2)的吸附板(6-3)，还包括受阀门控制的釜体排气口(7)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片清洗釜，其特征在于:所述釜体(I)内壁为竖立的圆筒形；所述釜盖(2)为圆形，位于釜体(I)的正上方；所述清洗管(3)由所述釜盖(2)的中心竖向插入釜体(I)内部，所述釜体排气口(7)位于釜盖(2)上。
3.根据权利要求1或2所述的一种半导体硅片清洗釜，其特征在于:所述釜体(I)设有旋转结构:在所述釜体(I)的外周设有与其同轴心的筒形外壳(8)，所述筒形外壳(8)的上端与釜体(I)上部密封旋转连接，所述负压连接通道(9)由釜体(I)与外壳(8)之间的环形间隙形成，在所述外壳(8)的底部设有与负压连接通道(9)连通的吸气孔(10)，所述外壳(8 )的底部中心设有电机(11)，所述电机(11)的转轴(12 )竖直向上通过外壳(8 )底部与釜体(I)底部中心固定。
4.根据权利要求3所述的一种半导体硅片清洗釜，其特征在于:所述清洗管(3)位于釜体(I)内部部分的外壁设有多个喷嘴(13)。
5.根据权利要求4所述的一种半导体硅片清洗釜，其特征在于:在所述截止阀与所述釜体(I)之间的清洗管(3 )上连接两个超生波发生器(4 )。
【专利摘要】本实用新型公开了一种半导体硅片清洗釜，包括釜体及与釜体密封连接釜盖，还包括插入釜体内部的清洗管，清洗管外端设有截止阀，在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超生波发生器，在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔，在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道，在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘，硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管，连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板，还包括受阀门控制的釜体排气口。本实用新型具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。
【IPC分类】B08B13-00, B08B11-02, B08B7-00, H01L21-67, B08B3-10, B08B3-12
【公开号】CN204577408
【申请号】CN201520322497
【发明人】靳光亚, 王佳鹏, 王娅, 朱松阳, 吕媛, 程友良
【申请人】华北电力大学（保定）
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年5月19日