专利名称：一种半导体应变硅片成型方法
技术领域：
本发明涉及到硅片成型领域，具体的是一种半导体应变硅片成型方法。
背景技术：
半导体应变计硅片原加工方法是将〔111〕晶向的单晶硅，用单晶硅切割机按照一定的方向切成火柴杆形状的硅条；再用腐蚀法腐蚀成一定阻值相应尺寸的硅片。这种加工方法材料利用率低，机械加工中难以控制尺寸、精度低，离散性大，质量不稳定，制造成本昂贵。
发明内容
本发明提供了一种半导体应变硅片成型方法，解决了原有技术存在的材料利用率低， 机械加工中难以控制尺寸、精度低，离散性大，质量不稳定，制造成本昂贵的问题。本发明的技术方案
半导体应变硅片成型方法，其特征在于，包括以下步骤
(1)、先将单晶硅片切成所需厚度大片状，制作电极；
(2)、按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；
(3)、在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；
(4)、使用化学材料腐蚀大片状硅片刻槽背面的表面，得到条状的硅片。所述的步骤(1)中切厚的硅片经过研磨、抛光后再制作电极。所述的步骤(3)中的涂复材料为稀释的浙青。所述的步骤(4)中的化学材料为硫酸、盐酸、硝酸及其他酸性溶液中的一种或多种。所述的步骤(4)，所述的化学材料腐蚀大片状硅片时，直至硅片沿步骤(2)中所述的刻槽处断开为止。本发明的优点
本发明提供的加工方法提高了材料利用率，尺寸精度易于保证，产品质量稳定，生产效率高，一致性好，生产成本降低。
图1为本发明的俯视结构示意图。图2为图1示本发明的横向结构图。图3为图1示本发明的纵向结构图。
具体实施例方式
半导体应变硅片成型方法，包括以下步骤先将单晶硅片切成所需厚度大片状1，研磨、抛光后制作电极2 ；然后按产品所需尺寸，在大片状硅片1上刻槽3 ；再在大片状硅片1 刻槽面进行涂复4稀释的浙青保护；最后，使用硫酸等酸性溶液腐蚀大片状硅片刻槽背面5 的表面，直至硅片沿步骤(2)中所述的刻槽3处断开为止，从而获得所需尺寸的硅片。采用以上方法可以有效的避免原有技术材料利用率低，机械加工中难以控制尺寸、精度低，离散性大，质量不稳定，制造成本昂贵的问题。
权利要求
1.一种半导体应变硅片成型方法，其特征在于，包括以下步骤(1)、先将单晶硅片切成所需厚度大片状，制作电极；(2)、按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；(3)、在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；(4)、使用化学材料腐蚀大片状硅片刻槽背面的表面，得到条状的硅片。
2.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于所述的步骤(1)中切厚的硅片经过研磨、抛光后再制作电极。
3.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于所述的步骤(3)中的涂复材料为稀释的浙青。
4.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于所述的步骤(4)中的化学材料为硫酸、盐酸、硝酸及其他酸性溶液中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的半导体应变硅片成型方法，其特征在于所述的步骤(4)，所述的化学材料腐蚀大片状硅片时，直至硅片沿步骤(2)中所述的刻槽处断开为止。
全文摘要
本发明公开了一种半导体应变硅片成型方法，包括以下步骤先将单晶硅片切成所需厚度大片状，研磨、抛光后制作电极；然后按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；再在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；最后，使用硫酸等酸性溶液腐蚀大片状硅片刻槽背面，直至硅片沿所述的刻槽处断开为止。本发明提供的加工方法提高了材料利用率，尺寸精度易于保证，产品质量稳定，生产效率高，一致性好，生产成本降低。
文档编号H01L21/02GK102270569SQ201110130769
公开日2011年12月7日 申请日期2011年5月20日 优先权日2011年5月20日
发明者张翠翠, 杨强, 马津生, 黄若丰 申请人:蚌埠天光传感器有限公司