超薄晶片研磨盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及晶片切割领域，具体公开了一种超薄晶片研磨盘，其包括一研磨盘盘体，该研磨盘盘体的周边设置有内齿型的外圈齿轮，该研磨盘盘体上设有一与其同心设置的外齿型的内圈齿轮，该外圈齿轮及内圈齿轮的中间位置处均设有一贯穿设置的轴孔；所述研磨盘盘体上沿内圈齿轮外侧掏设有一圆环形凹槽，该圆环形凹槽内设有数道导流槽。本实用新型的超薄晶片研磨盘，其可以减少晶片磨损，提高光学晶片的合格率。
【专利说明】超薄晶片研磨盘
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶片研磨加工领域，尤其涉及一种用于对超薄光学晶片进行研磨加工的研磨盘。
【背景技术】
[0002]石英晶片是制造频率发生和控制用的电子元器件，石英晶片的厚度同频率成反t匕，石英晶体经过切割后的晶片，要根据晶片的设计要求，一道一道淹没至固定厚度，再经过腐蚀达到固定频率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的关键过程。
[0003]在对晶片进行研磨抛光处理时，通常需要用到研磨机。研磨盘是研磨机中最主要的工作部件，研磨晶片时，将复数晶片上蜡并黏置于研磨盘上，再以该研磨盘设置于相对应的研磨机中进行晶片研磨的减薄作业。各镜片于研磨完毕后即可将研磨盘由机器中取出。
[0004]目前光学晶片在研磨加工的时候，行业内所采用的研磨盘都是由铸铁或碳钢制成的，其重量较重，所以在加工的过程中，容易造成光学晶片的挤压，产生刮痕，降低光学晶片的合格率。若不经过研磨加工这个工序，光学晶片将不能达到超薄的要求，因此，有必要对现有的研磨盘结构进行改良。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于，提出一种超薄晶片研磨盘，其可以减少晶片磨损，提高光学晶片的合格率。
[0006]为实现上述目的，本实用新型提供了一种超薄晶片研磨盘，其包括:一研磨盘盘体，该研磨盘盘体的周边设置有内齿型的外圈齿轮，该研磨盘盘体上设有一与其同心设置的外齿型的内圈齿轮，该外圈齿轮及内圈齿轮的中间位置处均设有一贯穿设置的轴孔；所述研磨盘盘体上沿内圈齿轮外侧掏设有一圆环形凹槽，该圆环形凹槽内设有数道导流槽。
[0007]其中，所述研磨盘盘体可以采用铁质材料制作而成。
[0008]或者，所述研磨盘盘体可以采用合成塑料制作而成。
[0009]本实用新型中，所述研磨盘盘体厚度约为23mm-25mm,内圈齿轮高度约为19mm-25mm,圆环形凹槽的深度约为4mm-7mm。
[0010]具体的，所述研磨盘盘体厚度可以为24mm，内圈齿轮高度可以为22mm，圆环形凹槽的深度可以为6mm。
[0011]再者,所述研磨盘盘体的直径约为370mm-390mm,内圈齿轮直径约为200mm-205mm,轴孔的直径约为138mm-142mm,圆环形凹槽的内径与内圈齿轮直径相同，该圆环形凹槽的外径约为 350mm-355mm。
[0012]具体的，所述研磨盘盘体的直径可以为385mm，内圈齿轮直径可以为204mm，轴孔的直径可以为139mm，圆环形凹槽的内径与内圈齿轮直径相同，该圆环形凹槽的外径可以为352mm。
[0013]本实用新型中，所述导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
[0014]选择性的，所述圆环形凹槽上还可以设有一研磨层，所述数道导流槽设于该研磨层上，该导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
[0015]本实用新型中所述的数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置，所述数道径向槽之间呈等距离设置，该环形槽和径向槽的深度为2.5mm-2.8mm。
[0016]本实用新型的超薄晶片研磨盘，其在确保原有研磨盘精度的前提下，通过在研磨盘盘体的上表面用数控车床车掉部分环形区域，达到减轻研磨盘重量的目的，大大提升了超薄晶片研磨的合格率；同时，其导流槽按照游星轮运行方向，采用环形槽及径向槽的特殊设计，可以极大的减小光学晶片边缘与原来的井字型导流槽碰擦产生的晶片破碎，从而可以减少晶片磨损，提闻光学晶片的合格率。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本实用新型的超薄晶片研磨盘一种具体实施例的结构示意图；
[0019]图2为沿图1中A-A方向的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0021]如图1、2所示，本实用新型提供一种超薄晶片研磨盘，其包括:一研磨盘盘体10，该研磨盘盘体10的周边设置有内齿型的外圈齿轮11，该研磨盘盘体10上设有一与其同心设置的外齿型的内圈齿轮20，该外圈齿轮11及内圈齿轮20中间位置处均设有一贯穿设置的轴孔30 ;所述研磨盘盘体10上沿内圈齿轮20外侧掏设有一圆环形凹槽12，该圆环形凹槽12内设有数道导流槽(未图示)。本实用新型在具体使用时，可以通过轴孔30与一研磨机的转动轴(未图示)相固定，该转动轴上设有键槽，轴孔30内可以设置于该键槽相配合的花键，待加工的光学晶片放置于研磨盘盘体10的圆环形凹槽12上进行研磨抛光。
[0022]其中，所述研磨盘盘体10可以采用铁质材料制作而成。或者，作为本实用新型的一种优选实施例，所述研磨盘盘体10可以采用合成塑料制作而成。该合成塑料是以树脂(或在加工过程中用单体直接聚合)为主要成分，以增塑剂、填充剂、润滑剂、着色剂等添加剂为辅助成分，在加工过程中能流动成型的材料，其相比现有技术中采用铸铁或碳钢制成的研磨盘，极大的降低了材料的硬度和重量，可以减小在晶片研磨时作用于晶片表面的压力与摩擦力，使得晶片在研磨时不容易出现划痕及因受力过大成碎片的情况。
[0023]本实用新型中，所述研磨盘盘体10厚度约为23mm-25mm，内圈齿轮20高度约为19mm-25mm,圆环形凹槽12的深度约为4mm-7mm。作为本实用新型的一种选择性的,所述研磨盘盘体10厚度可以为24mm，内圈齿轮20高度可以为22mm，圆环形凹槽12的深度可以为6_。由于研磨的重量对晶片在研磨时承受的压力起决定性作用，为了提高超薄晶片加工的合格率，我们对研磨盘在确保原有精度的前提下，不断反复设计、测试，通过在研磨盘盘体10的上表面，用数控车床车掉部分环形区域，以形成一圆环形凹槽12，从而达到减轻研磨盘重量的目的，大大提升了超薄晶片研磨的合格率。
[0024]在本实用新型具体实施例中，所述研磨盘盘体10的直径约为370mm-390mm，内圈齿轮20直径约为200mm-205mm,轴孔30的直径约为138mm-142mm,圆环形凹槽12的内径与内圈齿轮20直径相同，该圆环形凹槽12的外径约为350mm-355mm。选择性的,所述研磨盘盘体10的直径可以为385mm,内圈齿轮20直径可以为204mm,轴孔30的直径可以为139mm,圆环形凹槽12的内径与内圈齿轮20直径相同，该圆环形凹槽12的外径可以为352mm。
[0025]由于研磨盘需要与研磨液配合使用，因此现有技术中通常在研磨盘上表面设置有数道井字型设置的凹槽以作导流作用，这种井字型结构设置的凹槽数量非常多，从而增加了晶片边缘与井字型凹槽之间碰擦产生的晶片破碎。而本实用新型中的导流槽包括沿圆环形凹槽12的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽12的半径方向设置的数道径向槽(未图示)，该环形槽和径向槽之间相连接设置。本实用新型这种采用新型的环形槽与径向槽的结构设置，其导流槽改成按游星轮运行方向设置，可以极大的减小光学晶片边缘与原来的井字型导流槽碰擦产生的晶片破碎，从而减少了晶片磨损，提高光学晶片的合格率。在本实用新型具体实施例中，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置。所述数道径向槽之间呈等距离设置。在本实用新型具体实施例中，所述环形槽和径向槽的深度约为2.5mm-2.8mm。优选的，所述环形槽和径向槽的深度均可以为2.6mm。作为本实用新型的一种选择性实施例，所述环形槽和径向槽可以采用直角结构的方形槽方式设置。作为本实用新型的另一种选择性实施例，该环形槽和径向槽还可以采用内部圆滑设置的U型槽的方式设置，这样可以在一定程度上减小晶片边缘与导流槽之间的碰擦。
[0026]再者，由于研磨盘在使用一段时间后均会产生磨损，影响研磨质量，若整体更换研磨盘，则代价较高，造成成本上的提高。基于上述考虑，本实用新型可以在所述圆环形凹槽12上还可以设有一研磨层(未图示)，所述数道导流槽设于该研磨层上，该导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。本实用新型这种采用独立的研磨层的设计方式，当产生磨损时，只需要单独更换研磨层即可，这样可以在很大程度上降低生产成本，避免材料浪费。作为本实用新型的一种优选实施例，还可以通过在研磨层上涂设一层高分子环氧树脂层作为保护层的方式，进一步延长研磨盘的使用寿命。
[0027]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种超薄晶片研磨盘，其特征在于，包括一研磨盘盘体，该研磨盘盘体的周边设置有内齿型的外圈齿轮，该研磨盘盘体上设有一与其同心设置的外齿型的内圈齿轮，该外圈齿轮及内圈齿轮的中间位置处均设有一贯穿设置的轴孔；所述研磨盘盘体上沿内圈齿轮外侧掏设有一圆环形凹槽，该圆环形凹槽内设有数道导流槽。
2.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体采用铁质材料制作而成。
3.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体采用合成塑料制作而成。
4.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体厚度为23mm-25mm,内圈齿轮高度为19mm-25mm,圆环形凹槽的深度为4mm-7mm。
5.如权利要求4所述的超薄晶片研磨盘,其特征在于,所述研磨盘盘体厚度为24mm,内圈齿轮高度为22mm,圆环形凹槽的深度为6mm。
6.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体的直径为370mm-390mm,内圈齿轮直径为200mm-205mm,轴孔的直径为138mm-142mm,圆环形凹槽的内径与内圈齿轮直径相同，该圆环形凹槽的外径为350mm-355mm。
7.如权利要求6所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述研磨盘盘体的直径为385mm,内圈齿轮直径为204mm,轴孔的直径为139mm,圆环形凹槽的内径与内圈齿轮直径相同，该圆环形凹槽的外径为352mm。
8.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
9.如权利要求1所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述圆环形凹槽上设有一研磨层，所述数道导流槽设于该研磨层上，该导流槽包括沿圆环形凹槽的圆心向外延伸设置的数道环形槽，以及沿圆环形凹槽的半径方向设置的数道径向槽，该环形槽和径向槽之间相连接设置。
10.如权利要求8或9任一项所述的超薄晶片研磨盘，其特征在于，所述数道环形槽呈同心圆设置，每道环形槽之间均等距离设置，所述数道径向槽之间呈等距离设置，该环形槽和径向槽的深度为2.5mm-2.8mm。
【文档编号】B24B37/12GK203665304SQ201320684462
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2013年10月31日
【发明者】侯明永 申请人:重庆晶宇光电科技有限公司