技术领域本发明属于AMOLED面板制造领域，尤其是指一种金属掩模板以及其复合式的金属屏蔽框架。
背景技术：
现今AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极管)面板的生产几乎都需要采用金属屏蔽与蒸镀制程，其中金属屏蔽扮演至关重要的角色。在AMOLED生产的过程中，如图1所示，通常的高精度金属掩模板(FMM，FineMetalMask)的金属屏蔽框架都是采用一体成形的金属框架90，因制程热膨胀效应以及磁吸效应的需求考虑，大多数的FMM都是使用因瓦合金(INVAR)作为金属屏蔽的主要材料。虽然INVAR具有良好的磁吸效应以及极低的热膨胀系数，但是INVAR的金属强度却不是最佳，张网后可能会由于自身重量而造成金属屏蔽框架的形变。此外，INVAR相较于一般的不锈钢材料其价格更是昂贵。
技术实现要素：
有鉴于上述问题，本发明提供了一种复合式金属屏蔽框架，包括：一第一金属框架，所述第一金属框架采用一第一材料且具有至少一第一开口；与所述第一金属框架可拆卸式结合的一第二金属框架，所述第二金属框架采用一第二材料且具有至少一第二开口，其中所述第二材料相异于所述第一材料，而所述第二开口至少部分重迭于所述第一开口。本发明复合式金属屏蔽框架的进一步改进在于，所述第一材料的热膨胀系数小于所述第二材料的热膨胀系数，所述第一材料的强度大于所述第二材料的强度。本发明复合式金属屏蔽框架的进一步改进在于，所述第一材料为因瓦合金或420不锈钢，所述第二材料为钨、碳化硅、碳化钨或不锈钢。本发明复合式金属屏蔽框架的进一步改进在于，所述第一金属框架与所述第二金属框架采用榫接或螺接的方式可拆卸地连接。本发明还提供了一种金属掩模板，包括：复合式金属屏蔽框架，包括一第一金属框架和与所述第一金属框架可拆卸式结合的一第二金属框架，所述第一金属框架采用一第一材料，所述第二金属框架采用一第二材料；配置于所述复合式金属屏蔽框架的掩模本体。本发明金属掩模板的进一步改进在于，所述第一材料的热膨胀系数小于所述第二材料的热膨胀系数，所述第一材料的强度大于所述第二材料的强度。本发明金属掩模板的进一步改进在于，所述第一材料为因瓦合金或420不锈钢，所述第二材料为钨、碳化硅、碳化钨或不锈钢。本发明金属掩模板的进一步改进在于，所述第一金属框架与所述第二金属框架采用榫接或螺接的方式可拆卸地连接。本发明金属掩模板的进一步改进在于，所述掩膜本体与所述复合式金属屏蔽框架通过焊接方式固定在一起。本发明还提供了一种复合式金属屏蔽框架，包括：一第一金属框架，所述第一金属框架采用一第一材料且具有至少一第一开口；一第二金属框架，所述第二金属框架采用一第二材料且与所述第一金属框架可拆卸式结合，所述第二金属框架具有与所述第一开口位置相对应的一第二开口，其中所述第二材料相异于所述第一材料。由于蒸镀时金属掩模板的金属屏蔽框架整体的损耗程度是不同的，本发明将金属屏蔽框架设置为第一金属框架与第二金属框架的分体式结构，可以将第一金属框架与第二金属框架两者中损耗程度较大的一个进行更换，从而可以改善金属屏蔽框架寿命到达时需要整体报废所造成的浪费。进一步地，利用第一金属框架与第二金属框架分体式的结构，可以仅需通过改变第一金属框架(例如：形态、材质)来满足不同的产品的线路布置图(layout)的需要，如此，即可使得第二金属框架能够重复使用而不受产品改变的限制，避免了对金属屏蔽框架整个产品都要进行不同的设计，节约了成本。另外，本发明复合式金属屏蔽框架中，第一金属框架采用热膨胀系数相对较低的INVAR或420不锈钢材料，可以保证良好的磁吸效应以及热膨胀效应；同时，第二金属框架采用强度较高的钨、碳化硅、碳化钨或不锈钢，增加了金属屏蔽框架的刚性，降低了张网所造成的形变。再有，金属屏蔽框架重工时需要进行表面研磨，因此会损耗金属框架的寿命。本发明通过将金属掩模板的复合式金属屏蔽框架设置为第一金属框架与第二金属框架的分体式结构，同样可改善金属屏蔽框架寿命到达时需要整体报废所造成的浪费。附图说明图1是现有的金属屏蔽框架的结构示意图。图2是本发明的复合式金属屏蔽框架的结构示意图。图3是本发明的复合式金属屏蔽框架的分解示意图。图4是采用本发明的复合式金属屏蔽框架的金属掩膜板蒸镀时的示意图。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。本发明的复合式金属屏蔽框架，包括：一第一金属框架，所述第一金属框架采用一第一材料且具有至少一第一开口；以及与所述第一金属框架可拆卸式结合的一第二金属框架，所述第二金属框架采用一第二材料且具有至少一第二开口，其中所述第二材料相异于所述第一材料，而所述第二开口至少部分重迭于所述第一开口。具体地，配合参看图2与图3所示，在本发明的一个较佳实施例中，本发明的复合式金属屏蔽框架1，包括：一第一金属框架10，所述第一金属框架10的中部形成有一第一开口110，所述第一金属框架10采用一第一材料；一第二金属框架20，与所述第一金属框架10可拆卸式结合。所述第二金属框架20的中部形成有与所述第一金属框架10的第一开口110相对应的一第二开口210，所述第二金属框架20采用一第二材料。特别地，所述第一材料的热膨胀系数小于所述第二材料的热膨胀系数，所述第一材料的强度大于所述第二材料的强度。优选地，所述第一材料为INVAR或420不锈钢，所述第二材料为钨、碳化硅、碳化钨或不锈钢。上述对于所述第一金属框架10的第一材料和所述第二金属框架20的第二材料的选用仅为优选的示例性说明，但并不以此为限，在其他实施例中，所述第一材料和所述第二材料也可以选用同一材料。如图2中所示，所述第一金属框架10与所述第二金属框架20结合后，对应的所述第一开口110和所述第二开口210形成有一用于金属掩膜板张网的张网口30。优选地，所述第一金属框架10与所述第二金属框架20采用榫接或螺接的方式可拆卸地连接。本发明的复合式金属屏蔽框架1采用分体式的结构，第一金属框架采用热膨胀系数相对较低的INVAR或420不锈钢材料，可以保证良好的磁吸效应以及热膨胀效应；同时，第二金属框架采用强度较高的钨、碳化硅、碳化钨或不锈钢，增加了金属屏蔽框架的刚性，降低了张网所造成的形变。本发明还提供了一种利用上述复合式金属屏蔽框架1制成的金属掩模板，包括上述复合式金属屏蔽框架1以及配置于所述复合式金属屏蔽框架1的掩模本体。优选地，所述掩膜本体与所述复合式金属屏蔽框架1通过焊接方式固定在一起。配合参看图4所示，利用本发明的金属掩膜板进行蒸镀时，金属掩膜板的复合式金属屏蔽框架1的第一金属框架10靠近蒸发源40，复合式金属屏蔽框架1的第二金属框架20靠近基板50。蒸镀时靠近蒸发源40的第一金属框架10的损耗程度较大。当第一金属框架10损耗到一定程度时，可以将其进行更换，从而可以改善金属屏蔽框架寿命到达时需要整体报废所造成的浪费。另外，由于复合式金属屏蔽框架1采用分体式的结构，所以为了满足不同的产品的线路布置图的需要，仅仅通过改变第一金属框架10的材料即可，这样可以使得第二金属框架20能够重复使用而不受产品改变的限制，避免了对每一种产品都要进行不同的设计，节约了成本。以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。