一种提升外延片质量的石墨盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种提升外延片质量的石墨盘，包括盘体，所述的盘体上表面、下表面设有若干个凹槽，其特征在于：所述盘体上表面凹槽用于放置外延片，下表面凹槽与上表面凹槽相对应，用于均匀加热外延片。本实用新型具有结构简单、制作方便和适用面广的优点，能有效解决外延生长过程中由于片子翘曲带来的受热不均匀的问题，从而提升外延片的品质。
【专利说明】一种提升外延片质量的石墨盘
【技术领域】
[0001]本实用新型属于化学沉积气相【技术领域】，尤其是一种能提升外延片质量的石墨盘。
【背景技术】
[0002]目前，衬底的制作工艺通常采用MOCVD (化学气相外延沉积工艺)技术进行，其制作过程通常采用如图1或图2所示的石墨盘结构，是在盘体I上表面设有若干个凹槽，在凹槽内对应放置一片衬底，衬底材质通常为蓝宝石，通过加热单元对石墨盘进行加热，使得衬底上表面与来自于喷头的反应气体进行化学反应，从而在衬底表面沉积相应的外延材料层。但这种结构的石墨盘容易使得化学气相沉积均匀性不高，图3为对应图1所示石墨盘结构的外延生长过程图，从图3中可以看出，当生长至N-GaN时，外延片由于内部存在应力，使得片子发生翘曲，造成片子受热不均匀，而造成良率的降低。图4为对应图2所示石墨盘结构的外延生长过程图，从图4中可以看出，片子只有在生长到N-GaN时才能与石墨盘接触比较紧密，在生长N-GaN、MQW、P-AlGaN时片子都未能与石墨盘紧密接触，也造成片子受热不均匀而影响良率。同时随着外延尺寸的增大，应力的堆积使得外延片的翘曲度增大，而严重影响大尺寸外延片的性能，现有的石墨盘结构设计难以有效解决这一问题。
【发明内容】
[0003]针对现有技术的不足，本实用新型提供一种适用范围广、加热更均匀、产品品质好的能加快衬底生长的石墨盘。
[0004]本实用新型的技术方案为:一种提升外延片质量的石墨盘，包括盘体，所述的盘体上表面、下表面设有若干个凹槽，其特征在于:所述盘体上表面凹槽用于放置外延片，下表面凹槽与上表面凹槽相对应，用于均勻加热外延片。
[0005]所述的下表面凹槽的内腔呈圆柱形、球形或锥形。
[0006]所述的下表面凹槽的水平中心与上表面凹槽的水平中心相重合，且下表面凹槽的加热面积是上表面凹槽的受:热面积的0.8-1.2倍。
[0007]所述的下表面凹槽高度为0.1-1cm0
[0008]所述的上表面凹槽内涂有碳化硅层。
[0009]所述的具有碳化硅层的上表面凹槽的内腔呈圆柱形或球形。
[0010]本实用新型的有益效果为:结构简单，制作方便，上表面凹槽的结构设计能使石墨盘匹配不同形状的衬底，在盘体下表面对应设置的下凹槽能使外延片在生长N-GaN层与MQff层时，进行均匀受热，从而提升外延片的波长均匀性及IR特性。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为现有石墨盘之一的剖面示意图。
[0012]图2为现有石墨盘之二的剖面示意图。[0013]图3为对应图1中石墨盘结构的外延生长过程图。
[0014]图4为对应图2中石墨盘结构的外延生长过程图。
[0015]图5、图6、图7为改进后的石墨盘的剖面示意图。
[0016]图中，1-盘体，2-碳化硅层。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作进一步说明:
[0018]实施例1:如图5所示，本实用新型提供的能提升外延片质量的石墨盘，包括盘体1，盘体I上表面设有若干个凹槽，在上表面凹槽内设有碳化娃层2并构成用于放置外延片的圆柱形内腔，盘体I下表面设有若干个凹槽，且下表面凹槽内构成相应的用于均匀加热外延片的圆柱形内腔。
[0019]实施例2:如图6所示，本实用新型提供的能提升外延片质量的石墨盘，包括盘体1，盘体I上表面设有若干个凹槽，在上表面凹槽内设有碳化娃层2并构成用于放置外延片的圆柱形内腔，盘体I下表面设有若干个凹槽，且下表面凹槽内构成相应的用于均匀加热外延片的圆柱形内腔。
[0020]实施例3:如图7所示，本实用新型提供的能提升外延片质量的石墨盘，包括盘体1，盘体I上表面设有若干个凹槽，上表面凹槽内构成用于放置外延片的圆柱形内腔，盘体I下表面设有若干个凹槽，上表面凹槽内构成用于均匀加热外延片的球形内腔。
[0021]上述实施例均具有结构简单、制作方便和适用面广的优点，能有效解决外延生长过程中由于片子翘曲带来的受热不均匀的问题，从而提升外延片的品质。
[0022]上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理和最佳实施例，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
【权利要求】
1.一种提升外延片质量的石墨盘，包括盘体，所述的盘体上表面、下表面设有若干个凹槽，其特征在于:所述盘体上表面凹槽用于放置外延片，下表面凹槽与上表面凹槽相对应，用于均匀加热外延片。
2.根据权利要求1所述的提升外延片质量的石墨盘，其特征在于:所述的下表面凹槽的内腔呈圆柱形、球形或锥形。
3.根据权利要求1所述的提升外延片质量的石墨盘，其特征在于:所述的下表面凹槽的水平中心与上表面凹槽的水平中心相重合，且下表面凹槽的加热面积是上表面凹槽的受热面积的0.8-1.2倍。
4.根据权利要求1所述的提升外延片质量的石墨盘，其特征在于:所述的下表面凹槽高度为0.1-1cm0
5.根据权利要求1或2或3或4所述的提升外延片质量的石墨盘，其特征在于:所述的上表面凹槽内涂有碳化硅层。
6.根据权利要求5所述的提升外延片质量的石墨盘，其特征在于:所述的具有碳化硅层的上表面凹槽的内腔呈圆柱形或球形。
【文档编号】C23C16/458GK203768457SQ201420155548
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2014年4月2日 优先权日:2014年4月2日
【发明者】汪俊翰, 林振贤, 罗长得 申请人:广东德力光电有限公司