1.一种用于布置在CVD反应器或PVD反应器(20)内的、尤其用于沉积碳纳米管和石墨的基板支架，所述基板支架具有用于容纳待涂覆的基板(6)的第一宽侧面(2)和与第一宽侧面(2)相背离的第二宽侧面(3)，其中，所述第一宽侧面(2)和第二宽侧面(3)分别具有基板容纳区域(4、5)，在所述基板容纳区域(4、5)中设有固定件(14、14’、15)，基板(6)或基板(6)的区段借助所述固定件(14、14’、15)能够分别固定在宽侧面(2、3)上，其特征在于，所述基板支架(1)是扁平体，并且所述基板容纳区域(4、5)具有两个相互背离的第一边缘(4’)和横向于第一边缘(4’)延伸的第二边缘(11)，其中，在所述第一边缘(4’)上分别邻接着操作区段(7)，所述操作区段(7)具有超出所述第二边缘(11)突伸的凸起(12)。
2.按照权利要求1所述的基板支架，其特征在于，所述基板支架(1)由石英构成。
3.按照前述权利要求之一所述的基板支架，其特征在于，所述基板容纳区域(4、5)具有基本上矩形的轮廓外形。
4.按照前述权利要求之一所述的基板支架，其特征在于，实心的扁平体具有最大10mm的厚度和最小100mm的边长。
5.按照前述权利要求之一所述的基板支架，其特征在于，所述操作区段(7)具有窗口形状的、尤其矩形的开口(8、9、10)。
6.按照前述权利要求之一所述的基板支架，其特征在于，所述基板容纳区域(4、5)的至少一个第二边缘(11)是所述基板支架(1)的尤其倒圆的边棱，柔性的基板(6)围绕该边棱布置，使得所述基板(6)能够通过两个区段分别固定在所述基板容纳区域(4、5)中。
7.按照前述权利要求之一所述的基板支架，其特征在于，所述第二边缘(11)相对于所述凸起(12)的基本平行于第二边缘(11)延伸的边棱凹进地走向。
8.一种CVD反应器，具有根据前述权利要求之一所述的基板支架(1)和反应器壳体(20)，其特征在于，所述反应器壳体(20)具有导引件(21、22、23)，所述基板支架(1)能够通过基板支架的凸起(12)沿着所述导引件(21、22、23)滑动，其中尤其规定，仅所述凸起(12)嵌入由所述导引件(21、22、23)构成的凹槽(21’、22’、33’)中。
9.按照权利要求8所述的CVD反应器，其特征在于，所述基板支架(1)能够沿竖直的定向穿过沿竖向延伸的装载开口(23)移入反应器壳体(20)的两个进气机构(24)之间的空隙中。
10.一种基板支架或CVD反应器，其特征在于前述权利要求之一所述的一个或多个技术特征。