技术领域本发明涉及例如可用于触摸面板等的电子部件用层叠布线膜、以及用于形成覆盖该电子部件用层叠布线膜的导电层的覆盖层的溅射靶材。
背景技术：
近年来，作为新型便携型末端的智能手机、平板电脑等实现了产品化，其是在于玻璃基板上形成薄膜装置的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay：以下称为“LCD”)、利用于有机EL显示器、电子纸等的电泳型显示器等平面显示装置(平板显示器，FlatPanelDisplay：以下称为“FPD”)上组合能够一边观看其画面一边赋予直接的操作性的触摸面板而得到的。在作为这些触摸面板的位置检测电极的传感膜上通常使用作为透明导电膜的铟-锡氧化物(IndiumTinOxide：以下称为“ITO”)。而且，在其桥接布线、引出布线上，作为具有更低的电阻值(以下称为低电阻。)的金属布线膜，使用了例如层叠有Mo、Mo合金与Al、Al合金的层叠布线膜。近年来，用于智能手机、平板电脑等的LCD、FPD等逐年在大画面化、高精细化、高速响应化方面急速发展，对其传感膜和金属布线膜要求进一步低电阻化。因此，也提出了将传感膜制成金属网膜方式等的方案，所述金属网膜使将比ITO更低电阻的金属层制成网状而得到的。在该金属网膜中研究了比Al更低电阻的Cu、Ag的适用，结果，Cu除了耐氧化性、密合性问题之外，在作为耐候性之一的耐湿性上存在课题，因此存在难以处理这样的问题。另一方面，Ag比Cu昂贵，但因具有优于Cu的耐氧化性、耐湿性而具有前景。然而，Ag与基板的密合性低，容易剥离，进而容易与氯、硫反应，因此耐候性存在问题。因此，为了解决密合性、耐候性这种Ag所特有的课题，提出了用由其它金属形成的覆盖层覆盖Ag的方案。另外，为了智能手机、平板电脑等的薄型化，触摸面板的基板也会采用由玻璃基板变为使用能更加薄型化的树脂薄膜基板的方式，上述覆盖层还要求与树脂薄膜基板的密合性。作为形成上述金属布线膜、覆盖层的方法，使用溅射靶材的溅射法是最为适宜的。溅射法为物理蒸镀法的一种，与其它的真空蒸镀、离子镀相比，是能够容易地进行大面积成膜的方法，并且是组成变动少、可获得优异的薄膜层的有效的方法。另外，是对基板的热影响少，也可用于树脂薄膜基板的方法。本发明人提出了如下方案：通过制成层叠有由与玻璃等的密合性低的Cu、Ag制成的导电层、和由以Mo作为主体并含有V和/或Nb的Mo合金制成的覆盖层的层叠布线膜，从而能够维持Cu、Ag所具有的低电阻，并改善耐食性、耐热性、与玻璃基板的密合性(参见专利文献1)。该技术作为形成在玻璃基板上的TFT的布线膜是有效的技术。另外，本发明人提出了一种层叠布线膜，其是在由Ag、Cu制成的导电层上层叠与由Ni合金制成的覆盖层而成的，所述Ni合金中Cu为1～25原子％、选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W的元素为1～25原子％、并且它们的总添加量为35原子％以下(参见专利文献2。)。对该专利文献2中提出的覆盖层而言，通过采用添加了规定量的Ti、V、Cr等过渡金属的Ni合金而实现了弱磁性化，在基于溅射法的成膜能稳定且长时间这点上是有用的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-140319号公报专利文献2：日本特开2006-310814号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题如上所述，由于近些年的FPD的高精细化急速发展，因而在触摸面板中也期望以更窄的布线宽度精度良好地进行蚀刻加工。然而，对Cu、Ag而言，进行属于高精度的蚀刻法的干法蚀刻并非易事，因而主要使用湿法蚀刻。另外，由于树脂薄膜基板具有透湿性，因而，对于与Cu、Ag的导电层层叠的覆盖层而言，在形成于玻璃基板上时，要求更高的耐候性。经本发明人的研究发现，专利文献1所公开的层叠有由Cu、Ag制成的导电层和由Mo合金制成的覆盖层的层叠布线膜有时会在树脂薄膜基板上腐蚀。本发明人发现，导电层的Cu、Ag的电极电位高，因而在与电极电位低的Mo、上述的Mo合金进行层叠时，在具有透湿性的树脂薄膜基板中，由于电池反应，Mo、Mo合金变得容易腐蚀，在长期的可靠性上存在问题。另外，本发明人发现，对在覆盖层中使用与Mo相比电极电位更接近Cu、Ag的Ni合金而得到的层叠布线膜进行湿法蚀刻时，存在于基板面内覆盖层的蚀刻不均一、产生不均匀、会在布线宽度上产生偏差的情况，或者侧蚀量变大的情况，存在难以稳定地获得今后所期待的宽度窄的布线膜这一新的课题。本发明的目的在于提供电子部件用层叠布线膜和覆盖层形成用溅射靶材，所述电子部件用层叠布线膜具有导电层和覆盖层，导电层由选自低电阻的Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成，覆盖层是在确保密合性、耐候性、耐氧化性的同时能够稳定地进行高精度的湿法蚀刻新型的覆盖层。用于解决问题的方案本发明人鉴于上述课题，针对与由选自低电阻的Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层层叠的覆盖层的合金组成进行了深入研究。结果，通过向Ni中添加特定的元素，对其添加量进行最优化，发现了能够在确保密合性、耐候性、耐氧化性的同时稳定地进行高精度的湿法蚀刻的新型的覆盖层，从而完成了本发明。即，本发明为一种电子部件用层叠布线膜，其包括由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层和至少覆盖该导电层的一个面的覆盖层，上述覆盖层含有5～50原子％的Mo、含有合计为60原子％以下的该Mo和Cu，余量由Ni和不可避免的杂质组成。另外，上述覆盖层优选含有5～25原子％的上述Cu，含有合计为36原子％以上的上述Mo和上述Cu。另外，上述覆盖层优选含有26～40原子％的上述Mo。此外，本发明为覆盖层形成用溅射靶材的发明，其为用于形成覆盖层的溅射靶材，所述覆盖层覆盖由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层，所述覆盖层形成用溅射靶材含有5～50原子％的Mo、含有合计为60原子％以下的该Mo和Cu，余量由Ni和不可避免的杂质组成，所述覆盖层形成用溅射靶材的居里点在常温以下。另外，上述溅射靶材优选含有5～25原子％的上述Cu，含有合计为36原子％以上的上述Mo和上述Cu。另外，上述溅射靶材优选含有26～40原子％的上述Mo。发明的效果本发明能够提供新型的电子部件用层叠布线膜及其覆盖层形成用溅射靶材，所述电子部件用层叠布线膜层叠有导电层和覆盖层，所述导电层由选自低电阻的Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成，所述覆盖层在确保密合性、耐候性的同时耐氧化性高、能够稳定地进行高精度的湿法蚀刻。由此，对于各种电子部件、例如在树脂薄膜基板上形成的触摸面板、柔性的FPD是非常有用的技术，能够对电子部件的稳定制造、可靠性的提高带来巨大的贡献。附图说明图1是本发明的电子部件用层叠布线膜的截面示意图的一个例子。附图标记说明1.基板2.覆盖层(基底层)3.导电层4.覆盖层(罩层)具体实施方式图1示出本发明的电子部件用层叠布线膜的截面示意图的一个例子。本发明的电子部件用层叠布线膜包括由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层3、以及覆盖该导电层3的至少一个面的覆盖层2、4，所述电子部件用层叠布线膜例如在基板1上形成。在图1中于导电层3的两面形成覆盖层2、4的情况下将覆盖层2、4作为基底层或罩层，也可仅在导电层3的任意一面形成，可适宜选择。需要说明的是，用本发明的覆盖层仅覆盖导电层的一个面时，在导电层的另一个面，也可以根据电子部件的用途而用与本发明不同的组成的覆盖层覆盖。本发明的重要的特征在于：发现了在图1所示的电子部件用层叠布线膜的覆盖层中，通过添加特定量的Ni、Mo、Cu，会制成在确保密合性、耐候性、耐氧化性的同时湿法蚀刻时难以产生不均匀的覆盖层。以下对本发明的电子部件用布线膜进行详细说明。需要说明的是，在以下的说明中，“密合性”是指覆盖层与玻璃基板、树脂薄膜基板的剥离的困难程度、或者导电层与覆盖层的剥离的困难程度，可以通过使用粘合带的剥离进行评价。“耐候性”是指高温高湿环境下的表面变质导致电气接触性劣化的困难程度，可通过布线膜的变色进行确认，例如可通过反射率进行定量性评价。另外，“耐氧化性”是指在含有氧气的气氛下进行加热时的表面氧化所伴随的电气接触性劣化的困难程度，可通过布线膜的变色进行确认，例如可通过反射率进行定量性评价。本发明的特征在于：由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层，以及，在覆盖该导电层的至少一个面的覆盖层中，含有5～50原子％的Mo、进而含有Cu，它们合计含有60原子％以下，余量由Ni和不可避免的杂质组成。作为主要元素之一的Ni与Cu、Ag相比，与作为玻璃基板、透明导电膜的ITO、作为绝缘保护膜的氧化物等的密合性高，进而是耐候性、耐氧化性也优异的元素，是通过覆盖由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层而可获得密合性、耐候性、耐氧化性的改善效果的元素。另一方面，用对Cu、Ag使用的蚀刻剂不能蚀刻Ni，因此需要改善蚀刻性。本发明中作为覆盖层所含的除了Ni以外的元素的Mo、Cu对用于Cu、Ag的蚀刻剂具有改善蚀刻速度的效果。该改善效果在增加含量时可以进一步提高。另外，合计含量超过60原子％时，Ni原本具有的耐湿性会大幅降低。因此，Mo和Cu的总量设为60原子％以下。Mo对Ni在高温区域具有固溶区域，是能够容易地与Ni形成合金的元素。若在覆盖层中含有Mo，则在具有改善密合性和提高蚀刻速度的效果的同时，对于其均匀性的改善也有很大帮助。进而，Mo是具有对耐氧化性也进行改善的效果的元素，是本发明不可缺少的元素。其改善效果在含有5原子％以上时显现，在15原子％以上时会变得更为明确。另一方面，若含有超过50原子％的Mo，则作为耐候性之一的耐湿性会大幅降低。因此，在本发明中，在覆盖层中以5～50原子％的范围含有Mo。另外，蚀刻均匀性的改善效果在Mo的含量为15原子％以上时变得显著，而对成为导电层的Cu和Ag这两者的蚀刻剂而言，在改善蚀刻不均匀时更优选将Mo的含量设为26原子％以上。另一方面，在含有超过40原子％的Mo时，根据蚀刻剂的种类的不同，有时在蚀刻时容易产生残渣。因此，覆盖层中所含的Mo更优选为26～40原子％。若在本发明的电子部件用层叠布线膜的覆盖层中添加Cu，则可得到改善蚀刻速度的效果。该改善效果在Cu的含量为5原子％以上时变得明确，若超过25原子％地含有，则除了密合性降低之外，耐氧化性也会降低，并且变得容易对蚀刻剂润湿，因此存在侧蚀量增加、蚀刻精度降低的情况。另外，覆盖层中含有超过25原子％的Cu时，特别是在Ag的蚀刻剂中，反而存在蚀刻速度降低的情况。因此，在本发明中优选将覆盖层中所含的Cu设为5～25原子％的范围。另外，对于Cu和Ag这两者的蚀刻剂，为了抑制与成为层叠的导电层的Ag或Cu的蚀刻速度差、进行精度高的蚀刻，更优选将Mo和Cu的总量设为36原子％以上。另外，若Cu的含量多于Mo的含量，则有时不能充分获得Mo所具有的耐氧化性、密合性、改善蚀刻时的均匀性的效果。因此，将Cu的含量设为少于Mo的含量为佳，更优选为Mo的含量的0.7倍以下。另外，本发明的电子部件用层叠布线膜的覆盖层也可用选自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一种以上的元素置换Ni、Mo和Cu的一部分。这些元素是耐候性的改善效果好的元素，但若添加过多则存在使蚀刻速度降低的情况。因此，这些元素的置换量以总量计优选设为1～5原子％的范围。对于本发明的电子部件用层叠布线膜而言，为了稳定地获得低电阻和耐候性、耐氧化性，优选将由选自Ag、Ag合金、Cu和Cu合金中的一种制成的导电层的膜厚设为100～1000nm。若导电层的膜厚比100nm薄，则由于薄膜特有的电子的散射的影响，电阻值会变得容易增加。另一方面，若导电层的膜厚比1000nm厚，则形成膜需要花费时间，或者会因膜应力而使基板容易产生弯曲。导电层的膜厚更优选为200～500nm的范围。本发明的导电层中优选能获得低的电阻值的纯Ag、纯Cu，而在上述耐候性、耐氧化性的基础上进一步考虑耐热性、耐食性等可靠性，也可以使用在Ag、Cu中添加有过渡金属、半金属等而得到的Ag合金、Cu合金。此时，为了尽可能地获得低电阻，优选以合计5原子％以下的范围进行添加。对于本发明的电子部件用层叠布线膜，为了稳定地获得的低电阻和耐候性、耐氧化性，优选将覆盖层的膜厚设为10～100nm。在将覆盖层用作基底层时，通过将膜厚设为10nm以上，能够改善与基板的密合性。另外，在将覆盖层用作罩层时，通过将膜厚设为20nm以上，能够使覆盖层的缺陷等充分消失，使耐候性、耐氧化性提高。另一方面，若覆盖层的膜厚超过100nm，则覆盖层的电阻值变高，与导电层进行层叠时，作为电子部件用层叠布线膜难以获得低电阻。因此，覆盖层的膜厚更优选为20～100nm。在形成本发明的电子部件用层叠布线膜的各层时，使用了溅射靶的溅射法是最为适宜的。在形成覆盖层时，可应用例如使用与覆盖层的组成为相同组成的溅射靶来进行成膜的方法、使用各元素的溅射靶并通过共溅射进行成膜的方法。另外，也可应用使用Ni-Mo合金、Ni-Cu合金等的溅射靶材并通过共溅射进行成膜的方法。从溅射的条件设定的简便性、易于获得所期望组成的覆盖层的观点出发，更优选使用与覆盖层的组成为相同组成的溅射靶来进行溅射成膜。另外，在溅射法中，为了高效地进行稳定的溅射，在使用溅射靶材的常温下，需要设定为非磁性、即将居里点设为常温以下。需要说明的是，“居里点在常温以下”是指在常温(25℃)下测定溅射靶材的磁特性时为非磁性。由于作为本发明的覆盖层形成用溅射靶材的一个成分的Ni为磁性体，因而为了高效地进行稳定的溅射，需要调节添加元素的种类和添加量使居里点变为常温以下。在本发明的覆盖层形成用溅射靶材中，对于使作为磁性体的Ni的居里点降低的效果而言，属于非磁性元素的Mo最高，若对Ni仅单独添加8原子％的Mo，则居里点变为常温以下。然而，如上所述，在覆盖层的特性中，以确保密合性、蚀刻特性、耐氧化性为目的将Mo的添加量设为5原子％时，为了将溅射靶材的居里点设定为常温以下而将Cu的含量设为15原子％以上。另外，Ni在高温区域固溶约30原子％的Mo，在低温区域固溶量会降低。而且，若Mo的添加量超过30原子％，则发现化合物相，若作为Ni和Mo的合金相的Mo的添加量超过约50原子％，则存在化合物相成为主体、延展性、韧性降低、变脆而难以进行稳定的机械加工的情况。另外，在上述的覆盖层的特性中，若Mo的添加量超过50原子％，则存在耐候性大幅降低的情况。因此，在本发明中，将Mo的添加量的上限设为50原子％。另外，Cu是与Ni进行完全固溶的元素，使居里点降低的效果低于Mo，若对Ni单独添加约30原子％的Cu，则居里点变为常温以下。然而，如上所述，在覆盖层的特性中，为了确保耐氧化性、密合性，Cu的添加量优选在5～25原子％的范围。根据上述内容，本发明的覆盖层形成用溅射靶材含有5～50原子％的Mo、含有合计为60原子％以下的该Mo和Cu、余量由Ni和不可避免的杂质组成，居里点为常温以下。由此，本发明的覆盖层形成用溅射靶材能够稳定地溅射覆盖层。另外，添加元素的种类和添加量越多，则溅射靶材中的化合物相的出现量越会增加，越容易在制造FPD用途所需求的大型的溅射靶材时的机械加工、焊接中产生裂纹。而且，本发明中添加的Mo和Cu是进行相分离的元素，若Mo和Cu这两者的含量超过一定量则容易发生相分离，存在不仅难以获得均匀的合金，而且溅射靶材容易产生裂纹的情况。因此，本发明的溅射靶材的Mo和Cu的含量的总量设为60原子％以下。作为本发明的覆盖层形成用溅射靶材的制造方法，例如也可以应用对熔解了调节为规定组成的原料而制作的铸锭实施机械加工来制造溅射靶材的方法、粉末烧结法。在粉末烧结法中，例如可以用气体雾化法制造合金粉末来制成原料粉末、或者可以将以成为本发明的最终组成的方式使多种合金粉末、纯金属粉末混合后的混合粉末制成原料粉末。作为原料粉末的烧结方法，可使用热等静压、热压、放电等离子体烧结、挤出烧结等加压烧结。如上所述，由于本发明的Mo、Cu的添加量多，塑性加工性降低，所以为了稳定地制造FPD用的大型溅射靶材，优选对具有特定组成的合金粉末进行加压烧结的制造方法。另外，由于含有属于磁性体的Ni，因此，优选挑选要添加的元素，对居里点为常温以下的合金粉末进行加压烧结。居里点在常温以下的合金粉末可以使用调节成最终组成的Ni合金通过雾化法容易地获得。另外，也可对熔解后的铸锭进行粉碎来制作合金粉末。另外，也可应用制造各种的合金粉末并混合成最终组成的方法。另外，若合金粉末的平均粒径不足5μm，则得到的溅射靶材中的杂质会增加。另一方面，若合金粉末的平均粒径超过300μm，则难以获得高密度的烧结体。因此，合金粉末的平均粒径优选为5～300μm。需要说明的是，本发明中所述的平均粒径表示为JISZ8901所规定的、通过利用激光的光散射法的球当量直径。对于本发明的覆盖层形成用溅射靶材而言，优选的是，除了主要构成元素的Ni、Mo、Cu以外的不可避免的杂质的含量少，在不损害本发明的作用的范围内，可以含有氧、氮、碳、Fe、Al、Si等不可避免的杂质。此处，各主要构成元素以相对于主要构成元素整体的原子％表示，除主要元素以外的不可避免的杂质以相对于靶材整体的质量ppm表示。例如氧、氮分别为1000质量ppm以下，碳为200质量ppm以下，Al、Si为100质量ppm以下等，除气体成分之外的纯度优选为99.9质量％以上。[实施例1]首先，制作用于形成覆盖层的溅射靶材。表1示出所制作的覆盖层的组成。需要说明的是，关于No.4～No.10的溅射靶材，在按规定量称量电解Ni和块状的Mo原料、无氧铜块后，利用真空熔解炉通过熔解铸造法来制作铸锭。另外，作为比较例的No.1～No.3的Ni-30原子％Cu、Ni-35原子％Cu-3原子％Ti、Ni-8原子％Mo，也同样在利用真空熔解法按规定量称量电解Ni和块状的Mo原料、无氧铜块后，利用真空熔解炉通过熔解铸造法来制作铸锭。在将SmCo磁石接近得到的各合金的铸锭时，确认不附着在磁石上。另外，将在上述得到的铸锭的一部分放入磁特性测定用的容器中，使用理研电子株式会社制造的振动样品磁强计(型号：VSM-5)，在常温(25℃)下测定磁特性，结果确认为非磁性。另外，利用粉末冶金法制作了Mo-30原子％Ni的溅射靶材。这是将平均粒径为6μm的Mo粉末与平均粒径为100μm的Ni粉末混合，填充至软钢制的罐中后，一边加热一边进行真空排气并密封。接着，将密封后的罐放入热等静压装置中，在1100℃、100MPa、3小时的条件下使其烧结来制作烧结体。另外，用相同的方法还制作了纯Mo的烧结体。通过机械加工将上述得到的各铸锭和各烧结体制作成直径100mm、厚度5mm的溅射靶材。另外，纯Ag的溅射靶材使用MitsubishiMaterials株式会社制造的纯度为4N的物质。另外，纯Cu的溅射靶材是对由纯度为4N的无氧铜制成的板进行机械加工来准备的。接着，将上述的各溅射靶材钎焊在铜制的背板上，之后安装在ULVAC株式会社制造的溅射装置(型号：CS-200)上，在Ar气氛、压力0.5Pa、电力500W的条件下实施溅射试验，结果任意溅射靶材均可进行溅射。将Corning公司制造的25mm×50mm的玻璃基板(产品型号：EagleXG)安装在上述溅射装置的基板保持架上，形成厚度100nm的覆盖层，评价了密合性和蚀刻性。另外，No.11和No.13通过同时溅射Mo和Ni-30原子％Cu的溅射靶材的共溅射法形成。No.12同样地对Mo-30原子％Ni和Ni-30原子％Cu进行共溅射而形成，示于表1的组成是利用株式会社岛津制作所制造的感应耦合等离子体发射光谱仪(ICP)(型号：ICPV-1017)对形成这些后的覆盖层进行分析后得到的值。密合性的评价依据JISK5400规定的方法进行。首先，在上述形成的覆盖层的表面粘贴住友3M株式会社制造的透明粘合带(产品名：透明美色)，用切刀切出2mm见方的方块的切口，剥离透明粘合带，评价了有无覆盖层的残留。将覆盖层1块也未剥离的情况评价为○、将剥离了1～10块的情况评价为△、将剥离了11块以上的情况评价为×。关于蚀刻性的评价，将硝酸、磷酸、醋酸和水进行混合作为Ag用的蚀刻剂。Cu用的蚀刻剂使用关东化学工业制的CuO2。为了制作侧蚀少的覆盖层，需要抑制蚀刻时间的不均匀，减少过度蚀刻时间，并且适当抑制对蚀刻剂的润湿性。将各样品浸渍于蚀刻剂液中，测定覆盖层整面完全透过为止所需的时间作为最佳蚀刻时间。另外，同时一边通过目视观察蚀刻不均匀，一边为了得到更明确的差值而测定了透过膜的一部分的时间与最佳蚀刻时间之间的时间差。其表示时间差越小则蚀刻不均匀越少。另外，向膜表面滴下20μl蚀刻剂，测定2分钟后的扩散直径。这表示扩散直径越小表示越能抑制侧蚀，越能进行精度高的蚀刻。[表1]如表1所示，样品No.1、No.2、No.4的密合性低。另外，可知样品No.3通过含有8原子％的Mo而改善了密合性，但最佳蚀刻时间长。与此相对，可以确认到本发明的覆盖层由于在Ni中含有特定量的Mo和Cu而大幅改善了密合性。另外，对于蚀刻性而言，可知的是：样品No.1、No.2的覆盖层能够用Cu的蚀刻剂在2分钟以内蚀刻，但Ag蚀刻剂则需要18分钟以上的时间，因而不适用。另外，可知存在蚀刻快的部分和蚀刻慢的部分，因产生蚀刻不均匀而使时间差变大，蚀刻剂容易扩散。因此，可知难以进行均匀的蚀刻，不适于精度高的蚀刻。另外，确认到样品No.13、No.14的Mo含量超过50原子％的组成在蚀刻后产生了残渣。与此相对，可以确认到作为本发明的样品No.5～No.12的覆盖层即使在Cu和Ag这两者的蚀刻剂中也可以在90秒钟以下进行蚀刻。另外确认了样品No.8～No.12的覆盖层通过增加Mo的添加量、将Mo和Cu的合计量设为36原子％以上而使最佳蚀刻时间变短，其时间差和扩散直径也变小，蚀刻不均匀和侧蚀少，因而可进行精度高的蚀刻。[实施例2]进行了耐氧化性的评价。将各样品在空气气氛下以50℃、250℃、300℃、350℃进行了30分钟的加热处理，测定了反射率和电阻值。反射率使用KonicaMinolta株式会社制造的分光测色计(型号：CM2500d)测定，电阻值使用金刚石仪器制4端子的薄膜电阻率计(型号：MCP-T400)测定。使用在实施例1中准备的各溅射靶材，以表2所示的构成在玻璃基板上来制作了依次成膜有膜厚30nm的基底层、膜厚300nm的Cu导电层、膜厚50nm的罩层的层叠布线膜的样品。需要说明的是，上述的基底层和罩层是表2的覆盖层材质组成。[表2]如表2所示，可以确认到通过使用本发明的覆盖层能够大幅改善耐氧化性。薄膜基板上，基于薄膜的耐热温度而需要直至250℃的耐氧化性。如表2所示，可知样品No.4虽然在250℃以上时反射率开始降低，但本发明的电子部件用层叠布线膜即使经过250℃的空气加热，也可维持50％以上的高反射率，具有高耐氧化性。尤其可以确认到在增加Mo的添加量的情况下该效果大。另外，可以确认到本发明的电子部件用层叠布线膜即使经过250℃、300℃、350℃的空气加热也会抑制电阻值的上升、能够改善耐氧化性。[实施例3]接着，使用实施例2的各电子部件用层叠布线膜进行了耐候性的评价。关于耐候性的评价，将各电子部件用层叠布线膜在温度85℃、相对湿度85％的气氛下放置100小时、200小时、300小时后，与实施例2同样地测定了反射率。需要说明的是，示于表3的基底层和罩层是表3的覆盖层材质组成。[表3]如表3所示，作为比较例的样品No.13、No.14由于Mo的含量超过50原子％，所以随着时间的经过，反射率降低。另一方面，可以确认到作为本发明例的样品No.5～No.12的电子部件用层叠布线膜即使暴露在高温高湿气氛下也不会变色，经过300小时后也可维持高的反射率，具有高的耐湿性。根据上述内容，可以确认通过使用本发明的电子部件用层叠布线膜，能够在确保与导电层的密合性、耐氧化性、耐候性的同时稳定地进行湿法蚀刻。[实施例4]接着，使用在实施例1中准备的各溅射靶材，以示于表4的构成，在带ITO膜薄膜基板或玻璃基板上制作依次成膜有膜厚30nm的基底层、膜厚200nm的Ag导电层、膜厚30nm的罩层的层叠布线膜的样品。需要说明的是，上述的基底层和罩层是指表4的覆盖层材质组成。密合性的评价，将住友3M株式会社制造的透明粘合带(产品名：透明美色)贴于层叠布线膜上，用橡皮擦拭表面，剥离透明粘合带，评价了有无覆盖层的残留。将覆盖层未剥离的情况评价为○，将剥离了约10％左右的情况评价为△，将剥离了20％以上的情况评价为×。Ag与Cu不同，即使在空气中进行350℃的加热，电阻值也不会大幅增加，所以耐氧化性的评价与实施例2同样，将各样品在空气气氛下以150℃、250℃、350℃进行30分钟的加热处理，测定了反射率。另外，耐候性的评价与实施例3同样，将各样品在温度85℃、相对湿度85％的气氛下放置100小时、200小时、300小时后，测定了反射率。[表4]如表4所示，样品No.4的密合性低。另一方面，可知作为本发明例的样品No.5～No.12通过增加Mo的含量而改善了密合性，特别是Mo含量在22原子％以上的样品No.8～No.12得到了高的密合性。需要说明的是，对于耐热性而言，在进行350℃的加热时，在薄膜基板上产生了褶皱。另外，可以确认到在使用Ag作为导电层的情况下，作为本发明例的样品在加热至250℃时，因高的耐氧化性而抑制了Ag导电层的变色。另外可以确认到对于耐候性而言，作为本发明例的样品也同样因具有高耐候性而抑制了Ag导电层的变色。