技术特征：
技术总结
本发明提供一种化学机械研磨方法。所述方法包括：提供半导体晶圆；在研磨台上对所述半导体晶圆执行第一化学机械研磨，其中，晶圆的转动方向、研磨垫修整器的转动方向以及研磨台承载研磨垫的转动方向不完全相同。通过控制研磨台上各部件转动方向的不完全相同，有效的减少研磨时间，降低研磨压力，以及研磨垫修整器的相应转速，压力和时间。从而有效提高研磨速率，增加产率；增加研磨垫，研磨头，研磨浆料利用率和生命周期，减少生产成本。同时还能有效清理研磨垫表面的研磨液副产物，减少了相应的刮伤等产品缺陷。
技术研发人员：唐强;马智勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2016.10.10
技术公布日：2018.04.17