1.一种溅射靶材，其特征在于，其是相对于金属成分整体含有20原子％～50原子％的Sn、50原子％～80原子％的Zn的氧化物烧结体，在每1050μm2中，具有超过2.0μm的圆当量直径的孔隙不足1个。
2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，在每1050μm2中，具有0.1μm以上且2.0μm以下的圆当量直径的孔隙为5个以下。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶材，其特征在于，相对密度的平均值为98.5％以上。
4.根据权利要求3所述的溅射靶材，其特征在于，所述相对密度的距平均值的离散度即(最大值-最小值)/平均值×100(％)为0.3％以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，包括：制作造粒粉的工序，
将所述造粒粉预烧而制作预烧粉末的工序，
对所述预烧粉末进行湿式粉碎之后，通过浇注成型制作成型体的工序，在常压的大气气氛下进行焙烧的工序。
6.根据权利要求5所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，所述预烧在1000℃～1200℃下进行。
7.根据权利要求5或6所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，所述焙烧在1300℃～1500℃下进行。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，包括：制作造粒粉的工序，
将所述造粒粉预烧而制作预烧粉末的工序，
对所述预烧粉末进行加压烧结的工序。
9.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，所述加压烧结在900℃～1100℃下进行。
10.根据权利要求8或9所述的溅射靶材的制造方法，其特征在于，所述加压烧结在20MPa～40MPa下进行。