1.铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法，其特征在于：操作时首先称取一定量的铜源和铟源的前驱体，溶解于加入一定量的表面配体的十八稀溶液中，形成0.02mol/L左右的有机溶液，然后在脱气和充入惰性气体交替进行的过程中将混合溶液加热到90℃;称取一定量碲粉，加入有机溶液，形成0.5mol/L的含碲有机溶液，并通过加热的方式促进碲粉溶解，然后将其加入到之前的混合溶液中，持续搅拌,再在120℃下将一定量的十八稀溶剂进行脱气处理，然后升温至较高温度后，将最后得到的混合溶液快速注入到高温下的十八稀溶剂中，随后停止反应，快速降温到室温，得到铜铟碲的超薄规则纳米片;收集铜铟碲超薄规则纳米片的方法是：将乙醇加入产物混合溶液中，转移至离心管离心，得到沉淀产物，用环己烷在溶解后继续用乙醇洗涤2-3次，最后再溶解到环己烷中制成溶液或是通过冷冻干燥的方法得到固体粉末。
2.根据权利要求1所述的铜铟碲超薄规则半导体纳米片制备方法，其特征在于所用的铜源为亚铜盐（如碘化亚铜），铟源为铟盐（如醋酸铟），碲源为高纯碲粉。
3.根据权利要求1所述的铜铟碲超薄规则半导体纳米片制备方法，其特征在于有两种表面配体，分别以硫醇（如正十二硫醇）为铜源和铟源的表面配体，以正三辛基膦为碲源的表面配体。
4.根据权利要求1所述的铜铟碲超薄规则半导体纳米片制备方法，其特征在于以十八烯溶液为有机溶剂所得到的混合溶液的浓度在0.001mol/L至1mol/L。
5.根据权利要求1所述的铜铟碲超薄规则半导体纳米片制备方法，其特征在于注射温度为150℃—300℃，高温下反应迅速，反应时间极短。
6.根据权利要求1所述的铜铟碲超薄规则半导体纳米片制备方法，其特征在于阳离子与阴离子之间需要分开溶解再混合（如将铜源，铟源放到一起溶解、碲源单独溶解或是将铜源，铟源，碲源各自单独溶解都可以）。
7.根据权利要求1所述的铜铟碲超薄规则半导体纳米片制备方法，其特征在于所述的铜铟碲超薄规则纳米片需用有机溶液（如环己烷、正己烷等和乙醇、丙酮等）洗涤。