技术总结
本发明公开了一种利用热注射法制备铜铟碲超薄规则半导体纳米片的制备方法。通过控制反应温度、时间以及原料用量来达到铜铟碲超薄纳米片的合成。本发明制备方法工艺简单、易操作、原料易得、成本较低、环境友好，整个反应过程不需要特殊设备，易于推广，同时此纳米片还具有一定的近红外发光性能和敏感的光电响应效应。本发明制备的材料是一种在光电方面具有一定应用前景的材料。
技术研发人员：曹立新;张晓;董博华
受保护的技术使用者：中国海洋大学
文档号码：201611145707
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.17