本实用新型涉及太阳能电池制造领域，具体涉及一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置。
背景技术：
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片，目前绝大多数都采用硅片制成。
光伏电池生产过程中，需要在光伏电池的半成品电池即硅片的表面镀上一层减反射膜。目前，采用等离子体增强化学气相沉积方法（PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition），使气体在硅电池片表面发生化学反应并形成覆盖层，即减反射膜。此减反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的体钝化和表面钝化，以及利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性，在硅片表面形成保护层。氮化硅薄膜的沉积速率直接影响到了机台的产出，因此如何提升机台氮化硅的沉积速率成了各大厂家研究的课题，其中提升等离子体的利用率是提升沉积速率的一个关键因子。
现有技术中，采用方形磁铁提供磁场，由于等离子体是跟随磁场的方向来运动，在原方形的磁铁设计中，磁场的运行方向分上下两部分，而真正对氮化硅薄膜沉积有作用的，只有上半部分的磁场，下半部分的磁场除了对电池片沉积氮化硅没有作用之外，还会加速氮化硅在U型槽底部的沉积，导致U型槽底部沉积过多氮化硅，引起U型槽的变形，从而阻挡特气管路上的气孔，最终导致氮化硅膜厚度和折射率的均匀性变差。
因此，设计一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置，通过改变磁场的运行方向，使得磁场方向和电池片沉积薄膜的方向完全一致，从而提高等离子体的利用率，提升薄膜的沉积速率，降低机台的运行成本，显然具有积极的现实意义。
技术实现要素：
本实用新型的发明目的是提供一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置。
为达到上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是：一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置，其包括石墨框、等间距固定在石墨框下底面的复数块硅片、设置在石墨框下方的U型槽、以及设置在U型槽内的石英管，所述U型槽的底部设有一氨气通气孔，所述U型槽的两个侧翼上各设有一硅烷通气孔，所述U型槽的外围还设有一U型磁铁，所述U型磁铁的开口方向和U型槽的开口方向一致。
上述技术方案中，所述石墨框下底面设有硅片固定槽，所述硅片固定在硅片固定槽中。
进一步地，所述复数块硅片之间的间距为4~6mm。优选为5mm。
优选地，所述U型磁铁与U型槽的底部及侧壁为点接触结构。
优选地，所述点接触结构处的U型磁铁与U型槽的间隙小于2mm。
优选地，所述U型磁铁的截面为圆弧形结构。
进一步地，所述圆弧形结构的内径为15~25cm。
进一步地，所述U型磁铁的厚度为5~8cm。
进一步地，所述氨气通气孔的孔径为0.5~1.5mm。优选为1mm。
进一步地，所述硅烷通气孔的孔径为0.5~1.5mm。优选为1mm。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
1．本实用新型在U型槽外围设置U型磁铁，所述U型磁铁的开口方向和U型槽的开口方向一致，使得仅U型槽的开口处存在磁场，且磁场方向和硅片沉积薄膜的方向完全一致，从而提高了等离子体的利用率和氮化硅薄膜的沉积速率；
2．本实用新型由于仅U型槽的开口处存在磁场，避免了因U型槽底部沉积过多的氮化硅薄膜而使得U型槽发生形变，从而保证了氮化硅薄膜的均匀性；
3．本实用新型提高了氮化硅薄膜的沉积速率，从而提高了机台的产能，降低了机台的运行成本；
4．本实用新型操作和控制简单，适于在所有类似设计的PECVD机台上推广。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的结构示意图。
其中：1、石墨框；2、硅片；3、U型槽；4、石英管；5、氨气通气孔；6、硅烷通气孔；7、U型磁铁。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例一：
参见图1所示，一种提高板式PECVD镀膜沉积速率的装置，其包括石墨框1、等间距固定在石墨框下底面的复数块硅片2、设置在石墨框下方的U型槽3、以及设置在U型槽内的石英管4，所述U型槽的底部设有一氨气通气孔5，所述U型槽的两个侧翼上各设有一硅烷通气孔6，所述U型槽的外围还设有一U型磁铁7，所述U型磁铁的开口方向和U型槽的开口方向一致。
本实施例中，所述石墨框下底面设有硅片固定槽，所述硅片固定在硅片固定槽中。
所述复数块硅片之间的间距为4~6mm。优选为5mm。
所述U型磁铁与U型槽的底部及侧壁为点接触结构。
所述点接触结构处的U型磁铁与U型槽的间隙小于2mm。
所述U型磁铁的截面为圆弧形结构，所述圆弧形结构的内径为15~25cm。需要指出的是，所述U型磁铁的截面形状还可以为椭圆弧形或是其他形状，具体根据U型槽的尺寸进行调整。
所述U型磁铁的厚度为5~8cm。
所述氨气通气孔的孔径为0.5~1.5mm。优选为1mm。
所述硅烷通气孔的孔径为0.5~1.5mm。优选为1mm。
本实用新型改变了磁铁的形状，为设置在U型槽外围的U型磁铁，U型磁铁的开口方向和U型槽的开口方向一致，从而改变了现有的磁场方向，使得磁场方向和硅片沉积薄膜的方向完全一致，提高了等离子体的利用率和氮化硅薄膜的沉积速率，进而提高了机台的产能，降低了机台的运行成本，此外，避免了因U型槽底部沉积过多的氮化硅薄膜而使得U型槽发生形变，从而保证了氮化硅薄膜的均匀性。因此，本实用新型适于在所有类似设计的PECVD机台上推广。