技术特征：
技术总结
本发明涉及一种氟化钙晶体表面清洗方法，包括以下步骤：利用CeO2抛光颗粒在沥青盘上对氟化钙晶体进行低速低压力抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.5nm时结束抛光；抛光结束后的15分钟内，对氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；利用磁流变技术对氟化钙晶体进行磁流变刻蚀；对刻蚀后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗；利用SiO2胶体在聚氨酯抛光垫上对氟化钙晶体进行低速低压力的二次抛光，氟化钙晶体表面粗糙度<0.2nm时结束抛光，所述SiO2胶体的粒径小于CeO2抛光颗粒的粒径；对二次抛光后的氟化钙晶体进行多频超声‑兆声复合频率清洗。与现有技术相比，本发明具有工艺针对性强、效果明显等优点。
技术研发人员：马彬;王可;张莉;程鑫彬;王占山;江浩;苏静;崔勇
受保护的技术使用者：同济大学;上海天粹自动化设备有限公司
技术研发日：2017.02.09
技术公布日：2017.07.14