技术特征：
技术总结
本发明提供了一种衬托器、一种气相生长装置及一种气相生长方法，所述衬托器用于所述气相生长装置，所述衬托器包括一底部和包围所述底部的侧部，所述底部和侧部限定有用以载置基底(例如半导体晶片)的凹坑，在所述衬托器的底部形成有顶杆孔，并且，所述衬托器还形成有一开口以及位于其底部的空心通道，所述开口通过所述空心通道与至少一个顶杆孔连通。使用本发明提供的气相生长方法，在气相生长过程中，由所述开口向所述空心通道内通入吹扫气体，吹扫气体流动到顶杆孔内，对位于顶杆孔下方的工艺气体具有阻挡作用，从而减少或避免工艺气体流动到基底的背面导致不必要的沉积。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2017.07.26
技术公布日：2019.02.05