本发明涉及一种镁银合金清洗剂，尤其是一种用于有机发光二极管(oled)蒸镀finemetalshadowmask上沉积的阴极材料用镁银合金清洗剂，以及采用该清洗剂对金属基底进行清洗的方法。
背景技术：
在oled面板制作阴极材料蒸镀工艺中需要用到昂贵的高精度金属掩模板(finemetalshadowmask)，而蒸镀完成后，通常会有金属材料(主要是常用的阴极材料，例如镁银合金)沉积在mask上，为了提高其使用寿命，需要对沉积的金属材料进行清洗。
目前，常用用于清洗上述金属材料的清洗剂易产生残留、效率低，或者易损伤金属基底，并且价格高。随着全球对oled屏幕需求的激增及国内oled产业的壮大，镁银清洗剂具有很大的增长空间。
技术实现要素：
本发明的目的是成本低廉、能高效、彻底的溶解清洗镁银合金但不对金属基底产生损伤的清洗剂。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
提供一种镁银合金清洗剂，包括3～10wt％的主氧化剂、5～15wt％的辅助氧化剂、1～10wt％的ph缓冲剂、0.3～1.0wt％的防腐剂和余量的水；所述主氧化剂选自硝酸、过氧化氢、高氯酸中的一种或多种；所述辅助氧化剂选自磷酸、硫酸中的一种或多种；所述防腐剂选自蔗糖、山梨糖醇、糊精、联吡啶中的一种或多种。
同时，本发明还提供了一种清洗方法，包括采用上述的镁银合金清洗剂对附着有镁银合金的金属基底进行清洗。
本发明提供的镁银合金清洗剂可高效的将finemetalshadowmask金属基底(通常为因瓦合金或铁铬合金)上的镁银合金清洗掉，不产生残留，同时不会损伤金属基底，并且，该镁银合金清洗剂成本低廉。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供的镁银合金清洗剂包括3～10wt％的主氧化剂、5～15wt％的辅助氧化剂、1～10wt％的ph缓冲剂、0.3～1.0wt％的防腐剂和余量的水；所述主氧化剂选自硝酸、过氧化氢、高氯酸中的一种或多种；所述辅助氧化剂选自磷酸、硫酸中的一种或多种；所述防腐剂选自蔗糖、山梨糖醇、糊精、联吡啶中的一种或多种。
所述主氧化剂选自硝酸、过氧化氢、高氯酸中的一种或多种；所述辅助氧化剂选自磷酸、硫酸中的一种或多种。本发明中，上述主氧化剂与辅助氧化剂配合，共同作用，用于对镁银合金进行腐蚀清洗。
但是，由于金属基底为金属，极易在清洗镁银合金过程中被腐蚀，因此，主氧化剂和辅助氧化剂的含量需严格控制，本发明中，所述主氧化剂的含量为3～10wt％，所述辅助氧化剂的含量为5～15wt％。优选情况下，所述主氧化剂的含量为4～7wt％，所述辅助氧化剂的含量为8～12wt％。
根据本发明，采用上述含量和组成的主氧化剂和辅助氧化剂可保证清洗速率，虽然控制主氧化剂和辅助氧化剂的含量，但是金属基底仍会不同程度的被腐蚀，在此情况下，本发明提供的镁银合金清洗剂中还需添加ph缓冲剂和防腐剂。其中，ph缓冲剂用于稳定镁银合金清洗剂的ph值，防腐剂用于进一步防止金属基底被腐蚀。本发明中，ph缓冲剂可采用冰醋酸。所述防腐剂选自蔗糖、山梨糖醇、糊精、联吡啶中的一种或多种。所述ph缓冲剂的含量为1～10wt％，所述防腐剂的含量为0.3～1.0wt％。优选情况下，所述ph缓冲剂的含量为4～7wt％，所述防腐剂的含量为0.5～0.7wt％。
通过上述物质及含量组成的主氧化剂和辅助氧化剂、ph缓冲剂、防腐剂的共同作用，可快速、彻底的将金属基底表面的镁银合金清洗掉，并且不会损伤金属基底。
应当理解的，本发明提供的镁银合金清洗剂为水基，除本发明所公开的上述材料外，余量为水。在该镁银合金清洗剂基础上，还可以进一步添加其他物质，此时，水的含量相应减少。
根据本发明，在前述不损伤金属基底的情况下，为进一步提高清洗速率，上述镁银合金清洗剂中还包括表面活性剂。本发明中，具体采用的表面活性剂为烷基卤化铵，优选情况下，所述表面活性剂选自十二烷基三甲基氯化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵中的一种或多种。以所述镁银合金清洗剂总重量为基准，所述表面活性剂的含量为0.1～0.7wt％，更优选为0.3～0.5wt％。
通过添加上述表面活性剂，可进一步提高清洗速率，同时，也不会对金属基底产生损伤。
本发明还公开了一种清洗方法，包括采用如前所述的镁银合金清洗剂对附着有镁银合金的金属基底进行清洗。
具体的，所述清洗的温度为20～25℃，清洗的时间为20min以下，例如10-20min。
本发明中所述的金属基底为公知的finemetalshadowmask金属基底，通常，其材质为因瓦合金或铁铬合金。
以下通过实施例对本发明进行进一步的说明。
实施例1-6、对比例1-6
本实施例及对比例用于说明本发明公开的钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法。
以沉积在mask上的镁银合金作为样品(2.8mg)，在20～25℃的温度下采用实施例1-6和对比例1-6所示的镁银合金清洗剂(15g)对镁银合金样品进行清洗，并记录清洗效果(清洗时间及表面有无黑色和棕色金属氧化物残留)。测试评价结果如表1所示。
表1
实施例7-14、对比例7-14
分别将mask所常用的因瓦合金和铁铬合金基底(1g)浸泡于实施例1-6所示的镁银合金清洗剂(15g)中48h，然后取出，通过icp测试金属基底的腐蚀情况(浸泡前后被腐蚀的质量百分数)。测试评价结果如表2所示。
表2
通过对比上述实施例1-6和对比例1-6的测试结果可以看出，本发明提供的镁银合金清洗剂可高效、彻底的清洗掉镁银合金，清洗后无残留，清洗时间短。对比实施例1和实施例4的测试结果可以看出，添加烷基卤化铵后，可进一步缩短清洗时间，同时对金属基底不会产生损伤。
进一步对比实施例7-14和对比例7-14的测试结果可以看出，本发明提供的镁银合金清洗剂无论是对因瓦合金基底，还是对铁铬合金基底，腐蚀均微乎其微。而虽然对比例7-9、12对基底腐蚀小，但是清洗后镁银合金有残留，而对比例10和11虽然清洗后无残留，但是其对因瓦合金基底和铁铬合金基底均存在明显腐蚀。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。