本实用新型涉及溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种溅射真空电子束蒸镀装置。
背景技术：
现有技术中，为了在基片上沉积薄膜，需要将基片放置在真空室里，真空室中填充着处于低压的溅射气体，在基片附近设置靶材，靶材与负极或阴极电连接。在真空室中，还设置有正极或者阳极。向阴极施加-100伏特和-1000伏特之间的高负电压，引起了溅射气体的电离，在阴极靶材上方形成等离子体放电。带正电荷的溅射气体离子轰击带负电荷的阴极靶材，引起靶材的原子被溅射在空间中，朝向基片飞行，并粘附在基片上。现有技术中的这种溅射方式存在缺陷，最突出的问题是形成的薄膜表面疏松，高低不平，在显微镜下能观察到针孔结构，容易造成薄膜脱落。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种溅射真空电子束蒸镀装置，所要解决的技术问题是如何提高成膜质量，避免薄膜脱落。
本实用新型所述的溅射真空电子束蒸镀装置包括真空溅射室、布置在真空溅射室内的阳极和阴极靶材，布置在真空溅射室内的基片支座，基片支座的下方固定设置有基片，基片与阴极靶材相对布置；真空溅射室的底部上设置有惰性气体入口管和水蒸气入口管，反应气体喷嘴设置在基片与阴极靶材之间的区域的一侧；真空溅射室的侧壁上设置有真空泵。
所述的反应气体喷嘴与设置在真空溅射室的外部的氧气瓶连接。
所述的惰性气体入口管与设置在真空溅射室的外部的氩气瓶连接。
所述的水蒸气入口管向真空溅射室中输入的水蒸气的分压力为5×10-6托和5×10-4托之间的范围内。
所述阴极靶材上施加有直流电压、脉冲直流电压、交流电压、或射频电压。
本实用新型的技术方案具有如下优点：
本实用新型所述的溅射真空电子束蒸镀装置采用水蒸气作为催化剂，能够显著地提高薄膜的沉积速率，而且通过加入反应气体，能够快速氧化靶材金属，并迅速地氧化新粘附的原子，发生化学反应，形成氧化物薄膜，提高了成膜质量，避免了薄膜脱落。
附图说明
图1是本实用新型所述的溅射真空电子束蒸镀装置的结构示意图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示，本实用新型所述的溅射真空电子束蒸镀装置包括真空溅射室106、布置在真空溅射室106内的阳极108和阴极靶材110，布置在真空溅射室106内的基片支座112，基片支座112的下方固定设置有基片102，基片102与阴极靶材110相对布置；真空溅射室106的底部118上设置有惰性气体入口管114和水蒸气入口管116，反应气体喷嘴120设置在基片102与阴极靶材110之间的区域的一侧；真空溅射室106的侧壁上设置有真空泵122。
所述的反应气体喷嘴120与设置在真空溅射室106的外部的氧气瓶连接。
所述的惰性气体入口管114与设置在真空溅射室106的外部的氩气瓶连接。
所述的水蒸气入口管116向真空溅射室106中输入的水蒸气的分压力为5×10-6托和5×10-4托之间的范围内。
所述阴极靶材110上施加有直流电压、脉冲直流电压、交流电压、或射频电压。
本实用新型所述的溅射真空电子束蒸镀装置在运行时，将基片102夹在基片支座112中，激活真空泵122，以便如箭头124所示抽出空气。通过所述惰性气体入口管114来注射惰性气体(氩气)，在真空溅射室106内达到预定义的压力。向反应气体喷嘴120提供氧气。阴极靶材110在本实施例中为硅。向硅阴极靶材110施加直流电压、脉冲直流电压、交流电压、或射频电压，引起氩气的电离。在施加交流电压的情况下，通常使用两个阴极靶材110，而不需要使用阳极108。带正电荷的氩离子(Ar+)如点线125所示地轰击阴极靶材110，使得阴极靶材110的硅原子如虚线126所示地朝向基片102飞行，并粘附到基片102上。所述反应气体喷嘴120释放处于预定义的压力水平的氧气。氧气与粘附到基片102上的硅原子起反应，使得在基片102上形成二氧化硅薄膜层104。在阴极靶材110和基片102之间的气相中也会发生这种氧化。
通过向真空溅射室106添加水蒸气作为催化剂，会提高二氧化硅薄膜层104的沉积速率。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。