本实用新型涉及在多个电子部件形成金属膜的电子部件的制造装置以及成膜装置。
背景技术：
以往，公知有在长方体状的电子部件的顶面以及侧面形成金属膜的方法。
作为在电子部件的顶面以及侧面形成金属膜的方法的一个例子，在专利文献1中公开了：如图1(a)～图1(d)所示，将作为多个电子部件10的集合体的母基板MB粘贴于切割用板131，通过切割将母基板MB分割成一个个地，通过溅射等在以被分割的状态排列的电子部件10的顶面10b以及侧面10c形成金属膜18，然后，从切割用板131取下电子部件10，从而在电子部件10形成金属膜18的方法。
专利文献1：日本特开2009-44123号公报。
但是，如专利文献1所示，以保持从母基板MB被分割的状态排列的电子部件10形成金属膜的方法，存在形成于电子部件10的侧面10c的金属膜18的膜厚因在切割用板131上排列的电子部件10的位置而不同的问题。
技术实现要素：
因此，本实用新型是鉴于上述的问题点而完成的，其目的在于缩小形成于多个电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
为了实现上述目的，本实用新型的一方式的电子部件的制造装置，在具有顶面以及侧面的多个所述电子部件形成金属膜，其包括：配置机构，该配置机构在保持上述多个电子部件的支架的主面侧以上述顶面以及上述侧面露出的方式并且以在上述主面的至少一部分的区域相邻的电子部件具有不同的间隔的方式配置上述多个电子部件；以及金属膜形成机构，该金属膜形成机构从上述多个电子部件的上述顶面的方向进行成膜，从而在上述多个电子部件的上述侧面以及上述顶面形成上述金属膜。
根据该构成，能够在电子部件具有不同的间隔地配置的区域，改变形成于电子部件的侧面的金属膜的膜厚。由此，能够缩小形成于多个电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，上述多个电子部件也可以包括位于供上述多个电子部件配置的区域的内侧区域的电子部件以及位于比上述内侧区域更靠外侧区域的电子部件，在上述外侧区域相邻的电子部件的间隔比在上述内侧区域相邻的电子部件的间隔宽。
这样通过扩宽外侧区域的电子部件的间隔，能够增大形成于电子部件的侧面的金属膜的成膜速率，能够增厚外侧区域的电子部件的侧面的膜厚。由此，在内侧区域与外侧区域中，能够缩小形成于电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，在上述外侧区域相邻的电子部件的间隔与在上述内侧区域相邻的电子部件的间隔相比，也可以在沿着上述支架的上述主面的规定的直线方向扩宽。
据此，能够缩小形成于在沿着支架的主面的规定的直线方向相邻的电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，在上述外侧区域相邻的电子部件的间隔与在上述内侧区域相邻的电子部件的间隔相比，也可以在沿着上述主面的方向且与上述规定的直线方向正交的方向扩宽。
据此，能够缩小形成于在与上述直线方向正交的方向相邻的电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，上述金属膜形成机构使得上述多个电子部件也可以边向与上述规定的直线方向正交的方向移动边被成膜。
据此，即便在多个电子部件边向与上述直线方向正交的方向移动边被成膜的情况下，也能够缩小形成于在上述直线方向相邻的电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，也可以包括在上述配置机构进行配置之前切断母基板而获得上述多个电子部件的切断机构，上述切断机构在切断上述母基板后，将相邻的上述多个电子部件等间隔地排列，通过上述配置机构改变被上述切断机构排列后的上述多个电子部件的间隔，在上述支架配置上述多个电子部件。
如上，通过配置机构改变相邻的电子部件的间隔，从而能够缩小形成于多个电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，由上述配置机构配置的上述多个电子部件的间隔也可以比利用上述切断机构排列后得到的上述多个电子部件的间隔宽。
据此，能够增厚形成于电子部件的侧面的金属膜的膜厚。例如，当在顶面也形成金属膜的情况下，能够缩小形成于顶面与侧面的金属膜的膜厚差。
另外，由上述配置机构配置的上述多个电子部件的间隔也可以比上述电子部件的高度尺寸大。
据此，能够增厚形成于电子部件的侧面的金属膜的膜厚。例如，当在顶面也形成金属膜的情况下，能够缩小形成于顶面与侧面的金属膜的膜厚差。
另外，也可以在上述电子部件的作为与上述顶面相反的面的安装面设置有外部端子，在上述电子部件的上述侧面露出接地电极，在上述金属膜形成机构，没有将所述金属膜形成于所述安装面，而以与露出所述侧面的所述接地电极电连接的方式将金属膜形成于所述侧面以及所述顶面。
如上，以与接地电极电连接的方式在侧面以及顶面形成金属膜，从而能够提高电子部件的屏蔽效果。
另外，上述多个电子部件也可以由高度不同的多个电子部件构成，对于相邻的上述多个电子部件的间隔而言，高度较高的电子部件彼此的间隔比高度较低的电子部件彼此的间隔宽。
据此，即便在高度不同的多个电子部件进行成膜的情况下，也能够缩小形成于电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
另外，实用新型的一方式的成膜装置为在具有顶面以及侧面的多个电子部件形成金属膜的成膜装置，其具备：腔室、设置于上述腔室内的成膜用金属材料部、以及设置于上述腔室内并以上述多个电子部件的上述顶面与上述成膜用金属材料部对置的方式保持上述多个电子部件的支架，上述支架以在至少一部分的区域相邻的上述多个电子部件具有不同的间隔的方式保持上述多个电子部件。
使用上述成膜装置，从而能够在电子部件的侧面高精度地形成金属膜。
本实用新型能够缩小形成于多个电子部件的侧面的金属膜的膜厚差。
附图说明
图1(a)～图1(d)是表示现有技术中的电子部件的制造装置的示意图。
图2是示意性地表示由实施方式1的制造装置制成的电子部件的剖视图。
图3是表示实施方式1的电子部件的制造装置的流程图。
图4(a)～图4(e)是表示实施方式1的电子部件的制造装置的示意图。
图5是表示实施方式1的多个电子部件的其他的配置例的俯视图。
图6是示意性地表示在图3的金属膜形成机构中使用的成膜装置的图。
图7是实施方式1的实施例，且是表示配置于支架的多个电子部件的列编号以及间隔的表。
图8是实施方式1的实施例，且是表示配置于支架的多个电子部件的列编号与侧面膜厚的关系的图。
图9是表示实施方式1的变形例1的多个电子部件的配置的俯视图。
图10是表示实施方式1的变形例2的多个电子部件的配置的俯视图。
图11是表示实施方式1的变形例3的多个电子部件的配置的俯视图。
图12(a)、图12(b)是示意性地表示实施方式1的变形例4的成膜装置的图。
图13是表示实施方式2的多个电子部件的配置的主视图。
符号说明
10、10A、10B…电子部件；10a…安装面；10b…顶面；10c…侧面；11…基板；11m…基板的主面；12…电气元件；13a、13b…外部端子；14…导体图案；15…接地电极；16…导通导体；17…树脂密封部；18…金属膜；20…支架；20a…支架的主面；21…金属板；22…粘着部；31…切割用板；32…切割台；35…切割刀片；50、50A…成膜装置；51…腔室；52…成膜用金属材料部；53…电极板；54、56…支架安装部；55…电源；A1…内侧区域；A2…外侧区域；Ia、i1、i2、i3、i4、i5、i6、i7、i8、i9、i10、i11、i12、i21、i22、i31、i32、i33…电子部件的间隔；h1、h2、h3…电子部件的高度；MB…母基板。
具体实施方式
实施方式1
1-1.电子部件的构成
首先，对由实施方式1的电子部件的制造装置制成的电子部件10的构成进行说明。图2是示意性地表示电子部件10的剖视图。
电子部件10例如是内置于移动体通信终端的高频电路模块。电子部件10具备基板11、搭载于基板11的主面11m的多个电气元件12以及以覆盖多个电气元件12的方式设置于基板11的主面11m的树脂密封部17。另外，电子部件10例如呈长方体状，具有安装面10a、顶面10b以及侧面10c。在电子部件10的安装面10a不形成金属膜18，在顶面10b以及侧面10c形成成为屏蔽的金属膜18。
此外，电子部件10的安装面10a为与顶面10b相反的面，且是经由焊锡等将电子部件10安装于印刷布线板的主面时的、与印刷布线板的主面对置的面。
作为电子部件10的基板11，使用陶瓷基板或者玻璃环氧基板等。基板11是由多个基材层形成的多层基板，其厚度例如为0.4mm。在基板11的主面11m或者内部形成有与各个电气元件12分别连接的导体图案14。作为导体图案14的材料，例如使用Cu等。作为多个电气元件12的例子，能够列举弹性波元件、IC元件、片式电容器、片式电感器等。树脂密封部17包括作为主剂的环氧树脂等热固性树脂材料与分散于该树脂材料内的填料。树脂密封部17的厚度例如为1.1mm。
金属膜18是通过溅射等形成的屏蔽膜。形成于顶面10b侧的金属膜18的厚度例如为3μm以上且12μm以下。形成于侧面10c侧的金属膜18的厚度为形成于顶面10b侧的金属膜18的厚度的30％以上且50％以下。作为金属膜18的材料，例如使用Cu、Ag、Ni等。也可以将多种金属膜层叠而形成金属膜18。
在电子部件10的安装面10a设置有外部端子13a、13b。外部端子13a、13b为焊接凸点或者导电性树脂，其厚度(高度尺寸)例如为0.1mm。一方的外部端子13a经由导通导体16连接于基板11的主面11m的导体图案14。另一方的外部端子13b经由导通导体16连接于接地电极15。接地电极15向电子部件10的侧面10c露出，而电连接于金属膜18。将金属膜18经由接地电极15接地，从而成为屏蔽膜，进而能够抑制电子部件10与外部设备的电磁波干扰。此外，外部端子13a、13b也可以为LGA(Land grid array连接盘网格阵列)那样的电极。
本实用新型的电子部件10的制造装置包含以下说明的机构，从而能够缩小形成于多个电子部件10的侧面10c的金属膜(屏蔽膜)18的膜厚差。
1-2.电子部件的制造装置
以下，使用附图对本实用新型的实施方式的电子部件的制造装置详细地进行说明。此外，以下说明的实施方式均表示本实用新型的优选的一具体例。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式、步骤、步骤的顺序等为一个例子，不是限定本实用新型的主旨。另外，针对以下的实施方式的构成要素中的、未记载于表示本实用新型的最上位概念的独立权利要求的构成要素，作为构成更优选的方式的任意的构成要素而被说明。
图3是表示电子部件10的制造装置的流程图。
实施方式1的电子部件10的制造装置包括：准备母基板MB的母基板准备机构(S11)、切断母基板MB而进行单片化的切断机构(S12)、将由单片化机构形成的电子部件10配置于支架20上的配置机构(S13)、在电子部件10形成金属膜18的金属膜形成机构(S14)以及使电子部件10从支架20分离的分离机构(S15)。
图4(a)～图4(e)是表示电子部件10的制造装置的示意图。此外，在图中省略了电子部件10的电气元件12、导体图案14、接地电极15、导通导体16以及外部端子13a、13b的记载。
首先，准备作为多个电子部件10的集合体的母基板MB(S11)。母基板MB具有多个电子部件10呈矩阵状排列连接的构造。图4(a)示出了将该母基板MB粘贴于切割用板31的状态。
接下来，将母基板MB与切割用板31一同载置于切割台32，如图4(b)所示，使用切割刀片35切断母基板MB(S12)。此时，切割用板31不被完全切断而切割一半。通过该切断使母基板MB单片化，形成多个长方体状的电子部件10。切断后的多个电子部件10成为以与切割刀片35的宽度大致相同的间隔，在切割用板31上以等间隔ia排列的状态。此外，不限定于使用了切割刀片35的切断，也可以通过激光照射等切断母基板MB。
接下来，如图4(c)所示，使多个电子部件10的每一个从切割用板31分离，并配置于支架20上(S13)。例如，使用贴片机，拾起粘贴于切割用板31的电子部件10，并配置于支架20的主面20a。
支架20由不锈钢板等金属板21与设置于金属板21的表面的粘着部22构成。粘着部22是附着保持电子部件10的双面粘着板，能够在真空中使用，使用能够耐成膜时的温度上升的材料。粘着部22例如为发泡剥离板(日东电工株式会社制)，具有通过加热，而在一方的粘着面(附着保持电子部件10的面)形成凹凸，使粘着力降低的性质。电子部件10在安装面10a侧与粘着部22的一方的粘着面抵接的状态下，并且在顶面10b以及侧面10c露出的状态下保持于支架20。
在本实施方式中，在将多个电子部件10配置于支架20时，以在支架20的主面20a的至少一部分的区域相邻的多个电子部件10具有不同的间隔的方式配置多个电子部件10。
具体而言，以改变切断机构S12后的多个电子部件10的间隔ia，并且具有大于该间隔ia的间隔i1以及间隔i2的方式在支架20配置多个电子部件10。配置于支架20的多个电子部件10包括位于供多个电子部件10配置的区域的内侧区域A1的电子部件10以及位于比内侧区域A1更靠外侧区域A2的电子部件10。此处，在外侧区域A2相邻的电子部件10的间隔i2比在内侧区域A1相邻的电子部件10的间隔i1宽。间隔i1例如为0.5mm以上且1.5mm以下，间隔i2例如以成为大于间隔i1的值的方式从0.8mm以上且2.5mm以下的范围选择。
间隔i1、i2也可以为大于电子部件10的高度h1尺寸的值，以便由金属膜形成机构S14在侧面10c形成充分的厚度的金属膜18。例如，间隔i1、i2也可以为高度h1的0.8倍以上且2倍以下。
图5是表示配置于支架20的多个电子部件10的其他的配置例的俯视图。
在图5的配置例中，在支架20上配置有7行17列合计119个电子部件10。多个电子部件10沿行排列方向(Y方向)等间隔地配置。与此相对，在列排列方向(X方向)，以在支架20的主面20a的一部分区域相邻的电子部件10具有不同的间隔的方式配置。
配置于支架20的多个电子部件10被划分成位于内侧区域A1的电子部件(第5～13列的电子部件)与位于外侧区域A2的电子部件(第1～5列以及第13～17列的电子部件)。在内侧区域A1相邻的电子部件10以间隔i3等间隔地配置。另外，在外侧区域A2中的、第2～5列以及第13～16列相邻的电子部件10以间隔i4配置，在外侧区域A2中的、第1、2列以及第16、17列相邻的电子部件10以间隔i5配置。在外侧区域A2相邻的电子部件10的间隔i4、i5比在内侧区域A1相邻的电子部件10的间隔i3宽，更具体而言，成为间隔i3＜间隔i4＜间隔i5。即，相邻的电子部件10的间隔以第2、5、13以及16列为交界，向沿着支架20的主面20a的规定的直线方向(X方向)扩宽。
此外，在图5中位于第5列以及第13列的电子部件10是位于内侧区域A1与外侧区域A2的边界的电子部件。在本实施方式中，将在图5中位于第5列以及第13列的电子部件10设为属于内侧区域A1以及外侧区域A2两者的电子部件10。据此，第4、5列的电子部件10的间隔以及第13、14列的电子部件10的间隔成为i4，第5、6列的电子部件10的间隔以及第12、13列的电子部件10的间隔成为i3。
返回图4，对在配置于支架20的多个电子部件10形成金属膜18的机构进行说明。在该机构中，如图4(d)所示，在电子部件10各自的顶面10b以及侧面10c形成金属膜18(S14)。金属膜18使用溅射装置等成膜装置从电子部件10的顶面10b的方向成膜。
图6是示意性地表示成膜装置50的图。成膜装置50具备腔室51、设置于腔室51内的成膜用金属材料部52以及保持电子部件10的支架20。
腔室51内在被未图示的减压泵排气后，被导入氩气等非活性气体，例如保持为10-3Pa～10-1Pa左右的真空状态。
成膜用金属材料部52是包括Cu、Ag或者Ni等金属材料的靶。成膜用金属材料部52的X方向的尺寸为供电子部件10配置的区域的X方向的长度尺寸的0.8倍以上且1.5倍以下。成膜用金属材料部52与电子部件10的距离(TS距离)小于供电子部件10配置的区域的X方向的长度尺寸。在成膜用金属材料部52的上侧设置有电极板53。成膜用金属材料部52能够装卸地安装于电极板53上。
在腔室51的下部配置有保持电子部件10的支架20。在支架20的下侧设置有支架安装部54。支架20以电子部件10的顶面10b与成膜用金属材料部52对置的方式保持于支架安装部54。支架20能够相对于支架安装部54装卸。
在支架20与电极板53之间设置有电源55。电源55以电极板53以及成膜用金属材料部52侧成为阴极的方式被连接。支架20侧为阳极，且被接地。
对支架20与电极板53之间外加高电压，从而等离子体中的离子与成为阴极侧的成膜用金属材料部(靶)52碰撞，从而击出成膜用金属材料部52的金属原子。被击出的金属原子附着于电子部件10的顶面10b以及侧面10c，而形成金属膜18。另外，形成于侧面10c的金属膜18与在侧面10c露出的接地电极15连接(参照图2)。此外，金属膜18也形成于不配置电子部件10而露出的粘着部22的表面。
金属膜18可以为1层，也可以由多层构成。本实施方式的金属膜18具有紧贴层、导电层以及耐腐蚀层3层构造。
紧贴层直接形成于电子部件10的顶面10b以及侧面10c。紧贴层使用包含不锈钢材料的靶而被成膜。代替不锈钢材料，紧贴层也可以由Ti、Cr、Ni、TiAl等材料形成。在作为紧贴层使用金属的情况下，导电率提高，从而能够缩小电阻。靶除了金属靶之外，能够使用烧结靶。在为烧结靶的情况下，能够以任意的组成比调整金属比率，从而能够使紧贴性、耐腐蚀性最佳化。
导电层形成于紧贴层上。导电层使用包含Cu材料的靶而被成膜。代替Cu材料，导电层也可以由Ag、Al等材料形成。
耐腐蚀层形成于导电层上。耐腐蚀层使用包含不锈钢材料的靶而被成膜。耐腐蚀层代替不锈钢材料，也可以由Ti、Cr、TiAl等材料形成。另外，除此之外，也可以使用Ni、坡莫合金等透磁率高的材料。在该情况下，能够提高作为金属膜18整体的电磁场遮挡效果。
在金属膜形成机构S14的动作结束后，如图4(d)所示，使多个电子部件10从支架20分离(S15)。
具体而言，从作为双面粘着板的粘着部22取下多个电子部件10。
在作为粘着部22使用了粘着力因加热而降低的发泡剥离板的情况下，进行热处理(例如120℃)，从而使保持了电子部件10的一方的粘着面的粘着力降低。此时，形成于电子部件10的金属膜18呈与侧面10c紧贴的状态，而形成于粘着部22的表面的金属膜18沿着发泡剥离板的凹凸被导入，因此金属膜18容易沿着电子部件10的侧面10c与粘着部22的表面的交界被断开。通过该热处理，能够使电子部件10从粘着部22容易分离。通过这些机构，能够制成形成有金属膜18的电子部件10。
实施例
接下来，对本实施方式的实施例进行说明。图7是表示配置于支架20的多个电子部件10的列编号以及间隔的表。在图7中，示出了配置于支架20上的电子部件10的列排列方向的编号与在列间相邻的电子部件10的间隔。另外，示出了列排列方向的内侧区域以及外侧区域。
电子部件10呈长方体状，使用长度(X方向的尺寸)为10mm，宽度(Y方向的尺寸)为8mm，高度(Z方向的尺寸)为1.5mm的电子部件。
作为实施例，将成膜前的电子部件10隔开图7所示的间隔配置。具体而言，以沿列排列方向成为40列的方式，以沿行排列方向成为10行的方式配置电子部件10。此处，将包含列排列方向的中央的28个电子部件10设为位于内侧区域A1的电子部件10，将位于内侧区域A1的两外侧的6个电子部件10设为位于外侧区域A2的电子部件10。
在该实施例中，将配置有电子部件10的整体的区域的70％设为内侧区域A1，将剩余的30％设为外侧区域A2。然后，配置为在外侧区域A2相邻的电子部件10的间隔比在内侧区域A1相邻的电子部件10的间隔宽。另外，外侧区域A2的端部的相邻的电子部件的间隔配置为更宽。具体而言，将作为内侧区域A1的第7～34列的电子部件的间隔设为2.0mm，将作为外侧区域A2的第2～7列以及第34～39列的电子部件的间隔设为2.3mm，将第1、2列以及第39、40列的电子部件的间隔设为2.5mm。
另一方面，在比较例中，以等间隔2.0mm配置第1～40列的电子部件10。
作为成膜装置50，使用DC磁控溅射装置，将电力设定为25kW，将腔室内压力设定为1.5Pa，将成膜用金属材料部52与电子部件10的距离(TS距离)设定为50mm。另外，针对全部的电子部件，以形成于侧面的膜厚成为2.5μm以上的方式在实施例以及比较例中分别调整了成膜时间。具体而言，在比较例中，形成实施例的1.2倍的成膜时间。
图8是表示配置于支架20的多个电子部件10的列编号与侧面膜厚的关系的图。作为膜厚测定器，使用了荧光X射线膜厚计。将膜厚的测定位置设定为侧面10c的高度方向的中央。
如图8所示，在比较例中，位于列排列方向的中央的电子部件10的侧面膜厚为3.0μm，位于列排列方向的端部的电子部件10的侧面膜厚为2.6μm，中央与端部的膜厚差为0.4μm。
与此相对，在实施例中，位于列排列方向的中央的电子部件10的侧面膜厚为2.75μm，位于列排列方向的端部的电子部件10的侧面膜厚为2.6μm，中央与端部的膜厚差为0.15μm。如上，在实施例中，能够缩小中央与端部的膜厚差。另外，在实施例中，能够将直至达到必要膜厚的成膜时间设为比较例的0.8倍，从而能够缩短成膜时间。
此外，如上所述，虽将配置有电子部件10的整体的区域的70％设为内侧区域A1，但不限定于此，也可以将配置有电子部件10的整体的区域的50％以上且80％以下设为内侧区域A1，将剩余的区域设为外侧区域A2。
此外，作为其他的比较例，虽也能够仅在与第7～34列相当的位置等间隔地配置电子部件10并进行成膜，但在该情况下，不配置与第1～6列以及第35～40列相当的电子部件10，因此生产效率降低。与此相对，在上述实施例中，有效地使用从成膜用金属材料部52溅射的金属原子，从而能够提高生产效率。
1-3.效果等
本实施方式的电子部件10的制造装置为在具有顶面10b以及侧面10c的多个电子部件10形成金属膜18的电子部件10的制造装置，其包含：配置机构，该配置机构在保持多个电子部件10的支架20的主面20a侧以顶面10b以及侧面10c露出的方式并且以在主面20a的至少一部分的区域相邻的电子部件10具有不同的间隔的方式配置多个电子部件10；以及金属膜形成机构，该金属膜形成机构从多个电子部件10的顶面10b的方向进行成膜，从而在多个电子部件10的侧面10c以及顶面10b形成金属膜18。
根据上述构成，能够在相邻的电子部件10具有不同的间隔地配置的区域，改变形成于侧面10c的金属膜18的膜厚，从而能够缩小形成于多个电子部件10的侧面10c的金属膜18的膜厚差。例如，即便在形成于侧面10c的金属膜18的膜厚因支架20上的电子部件10的位置而不同的情况下(成膜速率不同的情况下)，也与所形成的膜厚的不同对应地配置电子部件10，从而能够缩小位置的不同引起的膜厚差。另外，能够缩小支架20上的电子部件10的位置的不同引起的膜厚差，因此能够缩短直至达到必要膜厚的成膜时间。
另外，多个电子部件10包含位于供多个电子部件10配置的区域的内侧区域A1的电子部件10以及位于比内侧区域A1更靠外侧区域A2的电子部件10，在外侧区域A2相邻的电子部件10的间隔i2、i3也可以比在内侧区域A1相邻的电子部件的间隔i1宽。
如上使外侧区域A2的电子部件10的间隔i2、i3比间隔i1宽，从而能够增大形成于外侧区域A2的电子部件10的侧面10c的金属膜的成膜速率，进而能够增厚外侧区域A2的电子部件10的侧面10c的膜厚。由此，在内侧区域A1与外侧区域A2中，能够缩小形成于电子部件10的侧面10c的金属膜18的膜厚差。
另外，本实施方式的成膜装置50为在具有顶面10b以及侧面10c的多个电子部件10形成金属膜18的成膜装置50，其具备：腔室51、设置于腔室51内的成膜用金属材料部52以及设置于腔室51内并以多个电子部件10的顶面10b与成膜用金属材料部52对置的方式保持多个电子部件10的支架20，支架20以在至少一部分的区域相邻的多个电子部件10具有不同的间隔的方式保持多个电子部件10。
通过使用该成膜装置50能在电子部件10高精度地形成金属膜18。
1-4.变形例
接下来，对实施方式1的变形例1～4的电子部件10的制造装置进行说明。
图9是表示变形例1的多个电子部件10的配置的俯视图。
在变形例1中，如图9所示，在外侧区域A2沿列排列方向相邻的电子部件10的间隔伴随着朝向外侧而逐渐扩宽。
具体而言，配置于支架20的多个电子部件10被划分成位于内侧区域A1的电子部件(第5～13列的电子部件)与位于外侧区域A2的电子部件(第1～5列以及第13～17列的电子部件)，在内侧区域A1相邻的电子部件10以间隔i6等间隔地配置。另外，外侧区域A2中的在第4、5列以及第13、14列相邻的电子部件10以间隔i7分别配置，在第3、4列以及第14、15列相邻的电子部件10以间隔i8分别配置，在第2、3列以及第15、16列相邻的电子部件10以间隔i9分别配置，在第1、2列以及第16、17列相邻的电子部件10以间隔i10分别配置。更具体而言，间隔的宽度成为间隔i6＜间隔i7＜间隔i8＜间隔i9＜间隔i10。
即，在变形例1中，使在外侧区域A2相邻的电子部件10的间隔伴随着朝向列排列方向的外侧而逐渐扩宽。由此，能够在外侧区域A2的列排列方向，改变形成于侧面10c的金属膜18的膜厚，从而能够缩小形成于侧面10c的金属膜18的膜厚差。
此外，在变形例1中，虽表示了从第5列朝向外侧，且从第13列朝向外侧扩宽间隔的配置装置，但不限定于此，也可以为从中央朝向两外侧逐渐扩宽间隔的配置装置。
图10是表示变形例2的多个电子部件10的配置的俯视图。
在变形例2中，如图10所示，配置为沿行排列方向(Y方向)相邻的电子部件10具有不同的间隔。
具体而言，配置于支架20的多个电子部件10被划分成位于行排列方向的内侧区域A1的电子部件(第3～5列的电子部件)与位于行排列方向的外侧区域A2的电子部件(第1～3列以及第5～7列的电子部件)，在内侧区域A1相邻的电子部件10以间隔i11等间隔地配置。另外，在外侧区域A2相邻的电子部件10以间隔i12等间隔地配置。在外侧区域A2相邻的电子部件10的间隔i12比在内侧区域A1相邻的电子部件10的间隔i11宽。
即，在变形例2中，以在作为规定的直线方向的行排列方向相邻的电子部件10具有不同的间隔的方式配置电子部件10。由此，能够改变在行排列方向形成于侧面10c的金属膜18的膜厚，从而能够缩小形成于侧面10c的金属膜18的膜厚差。
图11是表示变形例3的多个电子部件10的配置的俯视图。
在变形例3中，如图11所示，配置为沿行排列方向以及列排列方向相邻的电子部件10具有不同的间隔。
具体而言，配置于支架20的多个电子部件10被划分成位于内侧区域A1的电子部件(第5～13列且第3～5行的电子部件)与位于外侧区域A2的电子部件(第1～5列以及第13～17列，或者第1～3行以及第5～7行的电子部件)。在内侧区域A1，沿列排列方向相邻的电子部件10以间隔i3等间隔地配置，沿行排列方向相邻的电子部件10以间隔i11配置。另外，在外侧区域A2中的第2～5列以及第13～16列相邻的电子部件10以间隔i4配置，在外侧区域A2中的第1、2列以及第16、17列相邻的电子部件10以间隔i5配置。另外，外侧区域A2中的、沿行排列方向相邻的电子部件10以间隔i12配置。在外侧区域A2沿列排列方向相邻的电子部件10的间隔i4、i5比在内侧区域A1沿列排列方向相邻的电子部件10的间隔i3宽。另外，在外侧区域A2沿行排列方向相邻的电子部件10的间隔i12比在内侧区域A1沿行排列方向相邻的电子部件10的间隔i11宽。
即，在变形例3中，使相邻的电子部件10的间隔以列排列方向的第2、5、13以及16列为交界向沿着支架20的主面20a的规定的直线方向(X方向)扩宽，并且以行排列方向的第2、5行为交界，也向与上述直线方向正交的方向(Y方向)扩宽。由此，能够在列排列方向以及行排列方向，改变形成于侧面10c的金属膜18的膜厚，从而能够缩小形成于侧面10c的金属膜18的膜厚差。
图12(a)、图12(b)分别是示意性地表示变形例4的成膜装置50A的主视图和侧视图。
在变形例4的成膜装置50A中，多个电子部件10边被鼓状的支架安装部56旋转输送边被成膜。
在成膜装置50A的腔室51的下部设置有鼓状的支架安装部56。保持电子部件10的支架20安装于支架安装部56。支架安装部56以未图示的马达为驱动源，以沿X方向延伸的轴57为中心旋转，从而与支架20一同旋转输送电子部件10。在该成膜装置50A中，在支架20与成膜用金属材料部52成为对置的位置关系的情况下，电子部件10的顶面10b与成膜用金属材料部52对置，从而电子部件10从顶面10b的方向被成膜。
电源55连接为电极板53以及成膜用金属材料部52成为阴极，支架安装部56以及支架20成为阳极。向支架20与电极板53之间外加高电压，从而击出成膜用金属材料部(靶)52的金属原子。被击出的金属原子附着于被旋转输送的电子部件10的顶面10b以及侧面10c形成金属膜18。
在该变形例4中，以沿与轴57平行的方向(X方向)相邻的电子部件10具有不同的间隔的方式配置，电子部件10边沿与X方向正交的Y方向移动边被成膜。具体而言，在支架20上相邻的电子部件10的间隔配置为外侧区域比内侧区域更向X方向扩宽，从而电子部件10沿着与Y方向平行的直线的接圆被旋转输送。
在该成膜装置50A中，电子部件10以沿X方向延伸的轴57为中心边旋转边被成膜，因此例如在将电子部件10在X方向、Y方向均等间隔地配置的情况下，Y方向上的侧面10c的金属膜18成为大致均匀的膜厚，但X方向上的侧面10c的金属膜18因电子部件10的位置不同而成为不同的膜厚。
因此，在变形例4中，如图12(a)所示，以沿X方向相邻的电子部件10具有不同的间隔的方式配置电子部件10。根据该构成，能够缩小因支架20上的电子部件10的位置不同而产生的侧面10c的膜厚差。
实施方式2
图13是表示实施方式2的多个电子部件10(10A、10B)的配置的主视图。
在实施方式2中，在支架20上配置有高度不同的多个电子部件10A、10B。
电子部件10A的高度为h2，电子部件10B的高度为h3，具有高度h2＞高度h3的关系。相邻的电子部件的间隔例如在内侧区域，高度较高的电子部件10A彼此的间隔i21比高度较低的电子部件10B彼此的间隔i31扩宽。
另外，在外侧区域相邻的电子部件10A的间隔i22比在内侧区域相邻的电子部件10A的间隔i21宽。另外，在外侧区域相邻的电子部件10B的间隔i32、i33比在内侧区域相邻的电子部件10B的间隔i31宽。
在实施方式2的电子部件10的制造装置中，多个电子部件由高度不同的多个电子部件10A、10B构成，对于相邻的多个电子部件的间隔而言，高度较高的电子部件彼此的间隔i21比高度较低的电子部件彼此的间隔i31宽。
利用如上构成，即便在对高度不同的多个电子部件10成膜的情况下，也能够缩小形成于电子部件10的侧面10c的金属膜18的膜厚差。
其他的方式
以上，基于实施方式1、2以及变形例对本实用新型的电子部件10的制造装置等进行了说明，但本实用新型不限定于这些实施方式1、2以及变形例。只要不脱离本实用新型的主旨，则将本领域技术人员构想的各种变形实施为实施方式以及变形例、将实施方式1、2以及变形例中的一部分的构成要素组合而构建的其他的方式也包含于本实用新型的范围内。
在本实施方式中，虽将电子部件10直接粘贴于支架20，但不限定于此。例如，也可以在电子部件10的安装面10a设置树脂层，经由树脂层将电子部件10粘贴于支架20。在形成金属膜18后，使树脂层从电子部件10分离，从而能够将侧面10c的下部的金属膜18的外缘形成为直线状。
另外，粘着部22也可以以覆盖金属板21的一方主面的全部的方式粘贴于金属板21。通过粘着部22覆盖金属板21的一方主面的全部，从而能够抑制金属膜18向金属板21附着。
另外，也可以将粘着部22例如使用滚子、压力机或者带贴片机等粘贴于金属板21。另外，为了抑制金属板21与粘着部22之间的气泡，也可以在真空中粘贴粘着部22。为了提高电子部件10相对于粘着部22的紧贴力，也可以在配置电子部件10后，将粘着部22加热至50℃～80℃。
另外，在本实施方式中，由金属板21与粘着部(双面粘着板)22构成支架20，但不限定于此，也可以在环状框架粘贴单面粘性胶带而构成。在该情况下，与电子部件10的安装面10a抵接的单面粘性胶带的粘着面成为支架的主面。
另外，粘着部22不限定于双面粘着板，也可以为涂覆于金属板21的粘合剂。在该情况下，作为粘合剂，也可以使用粘着力经热处理或者紫外线照射而降低的材料。
另外，成膜装置50可以是磁控溅射、2极溅射、高频溅射、反应性溅射等溅射装置，也可以是具有作为蒸发源的成膜用金属材料部的蒸镀装置。
另外，为了提高生产性，除了进行溅射的腔室51之外也可以设置负荷固定室。溅射装置不限定于批处理式，也可以为在线式、单张处理式。电力供给方式不限定于DC方式，也可以为脉冲方式、RF方式。在脉冲方式、RF方式中，即便在靶表面形成反应物(氧化物或者氮化物)而使电阻值增高的情况下，也能够稳定地进行放电。
另外，也可以在溅射前在腔室51外，对电子部件10实施干式蚀刻。通过干式蚀刻，电子部件10的表面被清洗并且被粗糙化，因此金属膜18的紧贴性提高。也可以使用Ar离子枪清洗电子部件10的表面。
另外，为了除去形成于成膜用金属材料部(靶)52的表面的氧化物，也可以在金属膜形成前，在关闭挡板的状态下进行预溅射。
工业上的利用可能性
本实用新型的电子部件的制造装置例如能够在制造构成移动体通信终端的通信模块的电子部件时利用。另外，本实用新型的成膜装置例如能够用作在电子部件形成成为屏蔽的金属膜的成膜装置。