磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜的制作方法

本发明涉及适合形成磁记录介质中的磁性薄膜的溅射靶。特别是，涉及具有在以Fe-Pt作为主要成分的磁性相中分散有非磁性相的组织结构的溅射靶。

背景技术：

在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域中，使易磁化轴沿与记录面垂直的方向取向的垂直磁记录方式已得到实用化。特别是在采用垂直磁记录方式的硬盘介质中，为了实现高记录密度化和低噪声化，正在开发利用非磁性材料将沿垂直方向取向的磁性晶粒包围、减少磁性粒子间的磁相互作用的颗粒结构型的磁性薄膜。

使用以Fe-Pt作为主要成分的强磁性合金作为上述磁性晶粒，另外，使用碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等作为非磁性材料。并且，这样的颗粒结构型的磁性薄膜通过利用磁控溅射装置使具有在磁性相中分散有非磁性相的组织结构的溅射靶溅射到基板上而制作。

但是，在溅射工序中，被称为粉粒的、薄膜形成基板上的附着物成为问题。已知在成膜时产生的粉粒大多为靶中的氧化物。认为在溅射中在靶的溅射面发生异常放电，碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等从靶的溅射面上的脱落是粉粒的产生原因。

关于具有在包含金属的磁性相中分散有包含碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等的非磁性相的组织结构的溅射靶及其制造方法，已知各种技术(专利文献1～5等)。例如，在专利文献1中公开了下述方法：在利用球磨机等将原料粉末进行混合、粉碎时，混合预先将一部分原料粉末混合、烧结、粉碎而得到的一次烧结体粉末，由此抑制氧化物的聚集，使靶组织微细化，并且减少粉粒的产生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2012/029498号

专利文献2：国际公开第2013/094605号

专利文献3：国际公开第2014/141737号

专利文献4：国际公开第2012/014504号

专利文献5：国际公开第2013/105647号

技术实现要素：

发明所要解决的问题

通常，在制造在金属相中分散有碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等非磁性相的溅射靶的情况下，有时构成非磁性相的成分发生聚集，有时该聚集物在溅射时成为粉粒的原因。在上述的现有技术中，为了抑制这样的粉粒产生，进行使包含碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等的非磁性相微细分散于包含金属的磁性相中的操作。

但是，根据构成非磁性相的成分的种类，有时即使使其微细分散，也会成为粉粒产生的原因。另外，伴随着硬盘驱动器的记录密度的提高，磁头的浮起量减小，因此，对于磁记录介质中容许的粉粒的尺寸和个数，与以往相比限制得更严格。

鉴于上述问题，本发明的课题在于提供能够大幅减少溅射时产生的粉粒的磁记录介质用溅射靶。由此，能够进行品质良好的磁记录层的成膜，并且能够改善磁记录介质的成品率等。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本发明人进行了深入研究，结果发现：通过添加粘度低的氧化物，靶中的包含金属的磁性相与包含碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等的非磁性相的粘附性提高，在溅射时能够抑制非磁性相的脱落，能够大幅减少粉粒的产生。

基于这样的发现，本发明人提供下述发明。

1)一种溅射靶，其特征在于，选自FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO中的任意一种以上的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Pt为5摩尔％～70摩尔％，剩余部分包含Fe。

2)如上述1)所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有总计为1摩尔％～50摩尔％的选自Al、B、Si、Ti中的任意一种以上元素的氧化物、碳、硼、氮化硼和碳化硼。

3)如上述1)或2)所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有1摩尔％～30摩尔％的选自Au、Ag、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V、Zn中的任意一种以上元素。

4)如上述1)～3)中任一项所述的溅射靶，其特征在于，每一个非磁性粒子的平均面积为0.1μm²～2000μm²。

5)一种膜，其特征在于，选自FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO中的任意一种以上的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Pt为5摩尔％～70摩尔％，剩余部分包含Fe。

6)如上述5)所述的膜，其特征在于，所述膜含有总计为1摩尔％～50摩尔％的选自Al、B、Si、Ti中的任意一种以上元素的氧化物、碳、硼、氮化硼和碳化硼。

7)如上述5)或6)所述的膜，其特征在于，所述膜含有1摩尔％～30摩尔％的选自Au、Ag、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V、Zn中的任意一种以上元素。

发明效果

本发明的溅射靶具有能够大幅减少在溅射时产生的粉粒量、并且能够显著提高成膜时的成品率这样的优良效果。另外，在通过溅射而成膜的磁性薄膜中，容易以包围磁性粒子的方式形成非磁性相的晶界，因此可以期待器件特性的提高。

附图说明

图1是示出本发明的溅射靶中非磁性相的观察部位的示意图。

具体实施方式

本发明的特征在于，在包含以Fe-Pt作为主要成分的磁性相和非磁性相的烧结体溅射靶中添加能够降低上述非磁性相的粘度的材料(低粘度氧化物)，由此能够提高溅射靶中的磁性相与非磁性相的粘附性，能够大幅减少因非磁性相(碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等)的脱落等导致的溅射时的粉粒产生。

作为使非磁性相的粘度降低的材料(低粘度氧化物)，优选为选自FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO中的任意一种以上的氧化物。模拟的结果是，FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO的1000℃下的粘度分别为1.8×10^-1泊、3.0×10^-1泊、4.7×10^-2泊、2.9×10^-2泊、3.2×10^-2泊、3.2×10^-1泊，1000℃下的粘度均为小于1.0泊这样充分低的粘度。(顺便说一下，CaO、MgO、NiO的1000℃下的粘度分别为2.1×10¹泊、1.6×10¹泊、1.8×10⁰泊这样比较高的值。)

选自FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO中的任意一种以上的氧化物优选以总计含有0.1摩尔％以上且10摩尔％以下的方式添加在溅射靶中。小于0.1摩尔％时，难以得到粘附性提高的效果，另一方面，超过10摩尔％时，有时无法得到所期望的磁特性。为了使粘附性更良好，更优选将这些氧化物设定为0.1摩尔％以上且5摩尔％以下。另外，为了提高磁特性，也可以还含有其它氧化物。

作为本发明的溅射靶中的磁性相的成分，可以使用至少含有Fe、Pt的组成的金属。优选可以使用Pt为5摩尔％以上且70摩尔％以下、剩余部分包含Fe的组成的金属。另外，为了提高磁特性，也可以还含有其它金属。需要说明的是，上述磁性相的组成范围是相对于从溅射靶的全体组成中减去非磁性相的组成而得到的组成的摩尔分数。

对于上述磁性相的成分而言，只要能够得到足以作为磁性薄膜的特性，就可以在上述范围内适当调节组成。需要说明的是，不可避免地混入到溅射靶中的杂质不会对包含金属的磁性相与包含碳及其化合物、硼及其化合物、金属氧化物等的非磁性相的粘附性产生显著的变化。因此，关于溅射靶是否满足本发明的组成范围，可以将这样的不可避免的杂质除外来考虑。

本发明的溅射靶优选含有总计为1摩尔％～50摩尔％的碳、硼、氮化硼、碳化硼、以Al、B、Si、Ti中的任意一种以上元素作为构成成分的氧化物中的任意一种以上作为非磁性相。通常的垂直磁记录膜含有碳、硼、氮化硼、碳化硼、以Al、B、Si、Ti中的任意一种以上元素作为构成成分的氧化物作为非磁性相的材料，在通过溅射而成膜的磁性薄膜中，通过以包围磁性粒子的方式形成非磁性相的晶界，表现出作为垂直磁记录膜的功能。通过在这样的非磁性相中添加上述的使粘度降低的材料，利用磁性粒子将非磁性相的晶界粘附，可以期待器件特性的提高。

另外，本发明的溅射靶优选在靶中含有以体积比率计10％以上且小于55％的、包含上述氧化物(也包含低粘度氧化物)、碳化物等在内的非磁性材料。通过将非磁性材料的体积比率设定为10％以上且小于55％，能够使成膜的磁性薄膜的磁特性更良好。在非磁性相的体积比率小于10％的情况下，非磁性相阻断磁性相彼此的磁相互作用的效果弱，另外，在非磁性相的体积比率为55％以上的情况下，非磁性相的分散性变差，因此有时产生粉粒量增多的问题。

本发明的溅射靶可以在溅射靶中含有1摩尔％以上且30摩尔％以下的选自Au、Ag、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V、Zn中的任意一种以上元素作为磁性相。由此，能够提高磁性薄膜的磁特性。需要说明的是，这些金属主要包含在磁性相中，但是有时由于在烧结时被氧化而一部分包含在非磁性相中。

本发明的溅射靶的组织中，金属磁性相(基体)中的非磁性粒子的平均面积优选在0.1μm²～2000μm²的范围内。由此，能够减少在溅射时由氧化物引起的粉粒的产生。上述非磁性粒子不仅包含低粘度氧化物，还包含碳化物等其它非磁性相。在平均面积大于2000μm²的情况下，粗大的金属氧化物的粒子在溅射时成为电弧放电的起点，因此有可能粉粒增加，另一方面，在每一个粒子的平均面积小于0.1μm²的情况下，为了实现这样的组织，需要对原料粉末进行微粉碎，存在制造工序变得繁杂的问题。关于非磁性粒子的平均面积，为了减小因观察部位导致的变动，如图1所示对面内的5个部位的区域进行观察，设定为其平均值。

在此，以下对实施例等中的非磁性粒子的测定方法、平均面积的计算方法进行详细说明。

(非磁性相的测定方法)

装置：基恩士公司制造的彩色3D激光显微镜VK-9700

软件：VK Analyzer(装置附带)

(非磁性粒子的平均面积的求法)

非磁性粒子的测定中，使用利用上述激光显微镜得到的放大图像。在包含金属成分的磁性相中分散有包含碳或其化合物、硼或其化合物、金属氧化物等的非磁性粒子的组织的激光显微镜图像中，根据包含金属成分的磁性相部分与包含碳或其化合物、硼或其化合物、金属氧化物等的非磁性相部分之间的对比度差，能够明确地识别两者的边界。然后，利用上述附带的软件计算出由该边界包围的非磁性粒子的平均面积。

具体而言，如图1所示，对于烧结体(溅射靶)的面内5个部位(中心1个点、自外周起向内侧30mm的任意1个点、和以靶的中央作为旋转中心使该点旋转90°、180°、270°的3个点)，在216μm×288μm的视野中对组织图像进行观察。

接着，将这些组织图像转换为二值化图像。二值化时的阈值设定在包含金属成分的磁性相部分与包含碳或其化合物、硼或其化合物、金属氧化物等的非磁性相部分的边界的色调的差异之间。在包含金属成分的磁性相(基体)中分散有包含碳或其化合物、硼或其化合物、金属氧化物等的非磁性粒子的激光显微镜图像中，两者的边界的色调差通常是明确的，但是根据情况也可以组合使用判别分析法、微分直方图法等处理来提高两者的分离精度。

各组织图像的二值化图像中，为了防止将各组织图像中的非磁性粒子的平均面积计算得过小，在该阶段中在软件上将与图像端部接触的非磁性粒子从计算对象中排除。接着，计算出各组织图像中的非磁性粒子的面积的平均值。然后，对于所得到的各观察部位的非磁性粒子的面积，取5个部位的平均值作为每一个非磁性粒子的平均面积。

使用本发明的溅射靶制作的磁性薄膜的特征在于，含有0.1摩尔％～10摩尔％的选自FeO、Fe3O4、K2O、Na2O、PbO、ZnO中的任意一种以上的氧化物，含有5摩尔％～70摩尔％的Pt，剩余部分包含Fe。另外，其特征在于，除了上述成分组成以外，还含有总计为1摩尔％～50摩尔％的包含Al、B、Si、Ti中的任意一种以上元素的氧化物、碳、硼、氮化硼和碳化硼。此外，其特征在于，除了上述成分组成以外，还含有1摩尔％～30摩尔％的选自Au、Ag、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V、Zn中的任意一种以上元素。通过添加上述低粘度氧化物，利用磁性粒子将非磁性相的晶界粘附，还可以期待器件特性的提高。

本发明的溅射靶可以使用粉末烧结法、例如可以利用以下的方法进行制作。首先，作为金属粉，准备Fe粉、Pt粉，并且根据需要准备上述Au粉、Ag粉、Cu粉、Ga粉等金属粉。作为金属粉，不仅可以使用单元素的金属粉，也可以使用合金粉。这些金属粉优选使用粒径在1μm～10μm的范围内的金属粉。粒径为1μm～10μm时，能够进行更均匀的混合，能够防止偏析和粗大结晶化。在金属粉末的粒径大于10μm的情况下，有时非磁性粒子未均匀地分散，另外，在小于1μm的情况下，有时会产生由于金属粉的氧化的影响而靶的组成偏离所期望的组成的问题。但是，该粒径范围只不过是优选的范围，当然应当理解的是，偏离该范围并不是否定本发明的条件。

作为氧化物粉，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉，另外，准备上述Al2O3粉、B2O3粉、SiO2粉、TiO2粉等。另外，除了氧化物粉之外，根据需要准备C粉、B粉、BN粉、B4C粉。

氧化物粉优选使用粒径在1μm～30μm的范围内的氧化物粉。粒径为1μm～30μm时，在与上述金属粉混合时，氧化物粉彼此不易聚集，能够均匀地分散。另一方面，在氧化物粉的粒径大于30μm的情况下，有时在烧结后产生粗大的非磁性粒子，在小于1μm的情况下，有时发生氧化物粉彼此的聚集。另外，对于C粉、B粉、BN粉、B4C粉的原料粉而言，优选使用1μm～100μm的范围的原料粉。

但是，以上的粒径范围只不过是优选的范围，当然应当理解的是，偏离该范围并不是否定本发明的条件。

然后，称量上述原料粉以得到所期望的组成，使用球磨机等公知的方法在粉碎的同时进行混合。此时，优选在粉碎容器内封入惰性气体，从而尽可能地抑制原料粉的氧化。

接着，将以这样的方式得到的混合粉末利用热压法在真空气氛或惰性气体气氛中进行成型、烧结。另外，除了上述热压以外，也可以使用放电等离子体烧结法等各种加压烧结方法。特别是，热等静压烧结法对于提高烧结体的密度是有效的。烧结时的保持温度取决于靶的构成成分，但是多数情况下，设定在700℃～1500℃的温度范围内。

利用车床将以这样的方式得到的烧结体加工成所期望的形状，由此能够制作本发明的溅射靶。

实施例

以下，基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例只不过是一例，本发明不受该例任何限制。即，本发明仅受权利要求书限制，包含本发明中所含的实施例以外的各种变形。

(实施例1～6：非磁性相C等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备C粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物。然后，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。

接着，对于实施例1～6各例，将所称量的粉末分别与作为粉碎介质的氧化锆球一起封入到容量10升的球磨机罐中，使其旋转24小时而进行混合。然后，将从球磨机中取出的混合粉填充至直径190mm的碳制模具中，通过热压而使其烧结。热压的条件设定为：真空气氛、升温速度300℃/小时、保持温度1050℃、保持时间2小时，从升温开始时至保持结束以30MPa进行加压。保持结束后，在腔室内使其原样自然冷却。

接着，对于实施例1～6各例，对所制作的烧结体的截面进行研磨，并利用显微镜观察其组织，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。然后，以216μm×288μm的视野尺寸对观察面的5个部位拍摄组织图像。利用图像处理软件对所拍摄的图像进行二值化，求出相当于非磁性相的部分(组织观察图像的黑色的部分)的个数和面积，并计算出每一个非磁性粒子的平均面积，将其结果示于表1。

接着，利用车床将实施例1～6的各烧结体切削加工成直径180.0mm、厚度5.0mm的形状，从而制作圆盘状的靶。将它们安装到磁控溅射装置(CANON ANELVA制造的C-3010溅射系统)中，并进行溅射。溅射的条件设定为输入功率1kW、Ar气体压力1.7Pa，实施2千瓦时的预溅射后，在直径4英寸的硅基板上进行20秒成膜。然后，对于实施例1～6各例，利用粉粒计数仪测定附着在基板上的尺寸0.25μm～3μm的粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

[表1]

(实施例7～12：非磁性相B等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备B粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例7～12各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例7～12各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例7～12的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例13～18：非磁性相BN等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备BN粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例13～18各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例13～18的各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例7～12的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例19-24：非磁性相B4C等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备B4C粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例19～24各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例19～24各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例19～24的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例25～30：非磁性相Al2O3等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备Al2O3粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例25～30各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例25～30各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例25～30的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例31-36：非磁性相B2O3等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备B2O3粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例31～36各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例31～36各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例31～36的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例37-42：非磁性相SiO2等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备SiO2粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例37～42各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例37～42各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例37～42的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例43-48：非磁性相TiO2等)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备TiO2粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉、ZnO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例43～48各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例43～48各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例43～48的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(实施例49-53：金属元素的添加)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料、以及Au粉、Ag粉、Cu粉、Ge粉、Pd粉作为添加成分，另外，准备C粉、B粉、BN粉、B4C粉、Al2O3粉作为非磁性材料，准备FeO粉、Fe3O4粉、K2O粉、Na2O粉、PbO粉作为低粘度氧化物，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于实施例49～53各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于所得到的烧结体的截面，与实施例1～6同样地利用显微镜进行观察，结果确认到在磁性相中分散有非磁性相的组织。另外，对于实施例49～53各例，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用实施例48～53的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与后述的比较例相比大幅减少。

(比较例1～4：非磁性相C、无低粘度氧化物)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备C粉、CaO粉、MgO粉、NiO粉作为非磁性材料。称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于比较例1～4各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于比较例1～4的所得到的烧结体，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用比较例1～4的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与实施例相比大幅增加。

(比较例5-11：非磁性相B、BN、Al2O3等、无低粘度氧化物)

准备Fe粉、Pt粉作为磁性材料，准备B粉、BN粉、B4C粉、Al2O3粉、B2O3粉、SiO2粉、TiO2粉作为非磁性材料，称量这些粉末以得到表1中记载的组成比。然后，对于比较例5～11各例，利用与实施例1～6同样的方法制作烧结体。对于比较例5～11的所得到的烧结体，与实施例1～6同样地计算出每一个非磁性粒子的平均面积。将其结果示于表1。接着，使用比较例5～11的各烧结体与实施例1～6同样地实施溅射，并测定粉粒的个数。其结果是，如表1所示，与实施例相比大幅增加。

产业实用性

本发明的溅射靶具有能够减少在溅射时产生的粉粒量、并且能够提高成膜时的成品率的优良效果。因此，作为用于形成以硬盘驱动器为代表的磁记录介质的磁性薄膜的溅射靶是有用的。