蚀刻导电特征的方法以及相关装置和系统与流程

各种电子装置以及电子部件的制造需要在基板上制造图案化层。例如，微晶片、印刷电路板、太阳能电池、电子显示器（诸如液晶显示器、有机发光二极管显示器、以及量子点电致发光显示器）、以及各种其它电气或光学装置和部件可由通过基板支撑的不同材料的、多个重叠的图案化层构成。在基板上制造一个这样的图案化层可通过将未图案化材料层施加到基板上，在此层上制备抗蚀刻掩膜，并进行蚀刻过程以去除该层未被抗蚀刻掩膜覆盖的部分来完成，从而在基板上形成图案化层。在可用于制造例如印刷电路板（pcb）或其它电子部件的一个说明性实例中，将导电金属层施加到基板的电绝缘表面（或等同地，导电层被形成在基板的电绝缘表面上），将抗蚀刻掩膜施加至（或形成于）导电层上，且进行蚀刻过程以去除该导电层未被抗蚀刻掩膜覆盖的部分，从而在基板的电绝缘表面上形成图案化导电层。如此形成的图案化导电层可包括在基板的电绝缘表面上的导电材料的一个或多个导电特征，其进一步包括例如线、圆形、正方形以及其它形状。在某些情况下，用于形成这样的图案化导电层的蚀刻过程可以是湿式蚀刻过程，藉此液体蚀刻材料与导电层相互作用，以从基板的电绝缘表面去除导电层。例如，这样的湿式蚀刻过程可以是湿式“化学”蚀刻过程。湿式蚀刻的常见特征是“底切”，其在蚀刻导电层的代表性实例中是指去除蚀刻掩膜下方的导电层材料的现象。这样的底切可通过相对于蚀刻掩膜的相应宽度减小垂直于电流流动方向上的特征宽度来降低导电层的导电率。结果，导电率可能下降低于所希望程度。由于底切导致的这样的导电率的降低在相对小的特征宽度（例如低于约60μm的特征宽度）的情况下可尤其明显。此底切现象也可赋予导电特征倾斜或非平面的“侧壁”。如在本文中所使用的，“侧壁”是指特征的侧表面，诸如特征侧面上的壁，其从靠近蚀刻掩膜的特征顶部向下延伸至靠近基板的特征底部。在一些情况下，与这样的底切相关联的特征可能具有倾斜的或非平面的侧壁，使得靠近特征顶部（靠近蚀刻掩膜）的宽度小于特征底部处（靠近基板）的宽度。由于特征顶部处的特定最小特征宽度可能是所希望的，例如为了实现所希望的导电率或实现所希望的电频率响应，这样的底切可对最小特征宽度或最小特征-特征间距中的至少一个上赋予下限，从而限制可在基板上提供的特征密度。对于制造pcb中的导电金属迹线的图案化之外的应用，底切可能是不希望的。例如，如上所述的用于pcb的类似考虑因素也可应用于使用金属迹线以用于例如在微晶片、电子显示器或太阳能电池的制造中传送电流和/或电信号的其它应用。在另一个实例中，其它考虑因素可应用于在电子或光学装置或部件的制造中使用非金属图案化层（例如，光学涂层或绝缘层）的应用，其中基本上竖直的侧壁是所希望的。当在基板上形成图案化层以用于制造电子和/或光学装置或电子和/或光学部件时，存在减轻（例如，减少或消除）使用湿式蚀刻过程形成的特征上的底切的改进技术的需要。在常规处理中，通过对基板施加光敏材料（通常为uv光敏材料）的毯覆涂层来形成上述的蚀刻掩膜，该光敏材料在图案式曝光以及后续处理后转变成蚀刻掩膜。这样的后续处理一般包括光敏材料的去除（例如，在显影步骤期间），以便在基板上形成蚀刻掩膜图案。在很多情况下，例如但不限于，当使用蚀刻掩膜图案化pcb的金属层时，蚀刻掩膜覆盖基板表面的低于50%，且被去除的光敏材料作为废料丢弃。在很多情况下，光敏材料的去除需要在液体（例如显影剂）中清洗基板，且用于执行这样的清洗的液体作为废料丢弃。在很多情况下，例如但不限于，当使用蚀刻掩膜图案化pcb的金属层时，光敏材料在载体片上制备，然后经由层压从载体片转移到基板上，且在这样的转移后将载体片作为废料丢弃。在制造电子和/或光学装置和/或部件时，通常希望减少废料。减少这样的废料的一种方法是使用无压印刷（例如喷墨印刷）将蚀刻掩膜以所希望的图案直接施加到基板上，以将液体蚀刻掩膜墨以所希望的图案递送到基板，然后后续处理该液体涂层（例如经由干燥和/或烘焙）以形成完成的蚀刻掩膜。然而，通过这样的无压印刷方法递送的墨通常不能很好地吸附在制造光学和/或电气部件和/或装置中使用的基板表面上，且这样的墨可能在这样的表面上以不受控制的方式扩散和/或移位，造成如聚集、聚结以及网点增大（dotgain）的现象。因此，由这样的无压印刷过程得到的蚀刻掩膜可展现出降低的分辨率、缺少细节、图案化线宽不一致、线边缘平滑度差、要分离的特征之间的连接、以及要连续的特征中的中断。在如上所述的利用无压印刷来制备蚀刻掩膜的这样情况下，存在减轻（例如减少或消除）经沉积的液体蚀刻掩膜墨在基板表面上这样的不受控制的扩散和/或移位的需求。技术实现要素：在本公开的一个示例性方面中，一种制造图案化有一个或多个导电特征的装置的方法包括：在基板的电绝缘表面之上沉积导电材料层，在该导电材料层之上沉积抗腐蚀材料层，以及在该抗腐蚀材料层之上沉积抗蚀刻材料层。在该抗腐蚀材料层之上沉积抗蚀刻材料层，该抗蚀刻材料层和该抗腐蚀材料层以图案形成双组分蚀刻掩膜，得到该导电材料层的被覆盖部分以及该导电材料层的暴露部分，该被覆盖部分位于与该装置的一个或多个导电特征相对应的位置处。进行湿式蚀刻过程以去除该电绝缘基板的暴露部分，且该双组分蚀刻掩膜被去除以暴露该导电材料层的该被覆盖部分的剩余导电材料，从而形成该装置的一个或多个导电特征。在本公开的另一个示例性方面中，一种用于制造图案化有导电特征的装置的设备包括：第一沉积模块，其配置成在基板的电绝缘表面上方的导电材料层之上沉积抗腐蚀材料层；第二沉积模块，其配置成在该抗腐蚀材料之上沉积抗蚀刻材料层；以及湿式蚀刻模块，其配置成蚀刻该基板的导电材料层。在本公开的又一个示例性方面中，一种图案化有导电特征的装置包括：具有电绝缘表面的基板以及设置在电绝缘表面上的导电特征。该导电特征包括在垂直于该电绝缘表面的方向上测量的高度（c）；在该电绝缘表面处测量的第一宽度（a）；以及沿着该导电特征的高度（c）在该导电特征的与该电绝缘表面相对的端部处测量的第二宽度（b）。该第一宽度（a）与该第二宽度（b）之间的差的一半除以该高度（c）的值至少为2（即[a-b]/c≥2）。在本公开的又一个示例性方面中，一种方法包括：将包括第一反应性组分的第一液体组合物施加到金属性表面上以形成底漆层，以及通过无压印刷过程在底漆层上图像式印刷包括第二反应性组分的第二液体组合物，以根据预定图案产生蚀刻掩膜。当第二液体组合物的液滴接触底漆层时，该第二反应性组分与该第一反应性组分发生化学反应以使液滴停止移动。附加目的、特征和/或其它优点将在下面的描述中部分地阐述，且部分地将从描述中清楚，或可通过本公开和/或权利要求的实施而学习。这些目的以及优点中的至少一些可通过在所附权利要求中特别指出的元件和组合来实现和获得。前面的总体描述和下面的详细描述均仅是示例性和解释性的，而不是权利要求的限制；相反，权利要求应有权享有其全部范围，包括等同物。附图说明图1a-1d示出经历用于在基板上形成图案化层的常规过程的装置的横截面图和平面图。图2a-2c示出经历用于在基板上形成图案化层的另一个常规过程的装置的横截面图和平面图。图3a和3b示出经历用于在基板上形成图案化层的另一个常规过程的装置的横截面图和平面图。图4a-4c示出经历用于在基板上形成图案化层的另一个常规过程的装置的横截面图和平面图。图5a-5c示出经历用于在基板上形成图案化层的另一个常规过程的装置的横截面图、平面图以及透视图。图6a-6d示出经历根据本公开示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的过程的装置的横截面图和平面图。图7a-7c示出经历根据本公开另一个示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的过程的装置的横截面图和平面图。图8a-8d示出经历根据本公开另一个示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的过程的装置的横截面图。图9a-9c示出经历根据本公开另一个示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的过程的装置的横截面图。图10示出根据常规过程的在处理期间以在基板上形成图案化层的装置的横截面图。图11示出根据本公开示例性实施例的在处理期间以在基板上形成图案化层的装置的横截面图。图12a是根据本公开示例性实施例的在处理期间以在基板上形成图案化层的装置的横截面图。图12b是图12a的圈12b中的部分的放大图。图13a是根据本公开另一个示例性实施例的在处理期间以在基板上形成图案化层的装置的横截面图。图13b和图13c是图13a的圈13b、c中的部分的放大图，其示出b和c中不同状态的表征。图14是示出根据本公开示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的工作流程的流程图。图15是示出根据本公开另一个示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的工作流程的流程图。图16是示出根据本公开另一个示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的工作流程的流程图。图17是示出根据本公开另一个示例性实施例的用于例如在pcb的制造中在基板上形成图案化铜层的工作流程的流程图。图18是示出根据本公开各种示例性实施例的用于形成装置的系统部件的块状图。图19是示出根据本公开另一个示例性实施例的用于在基板上形成图案化层的工作流程的流程图。图20是根据常规过程形成的导电特征的显微照片。图21是根据本公开示例性实施例形成的导电特征的显微照片。为了说明的简单和清楚，附图中示出的元件不一定按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可能相对于其它元件被夸大。此外，在认为适当时，附图标记可在附图中重复以指示对应或类似的元件。具体实施方式在以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可在没有这些具体细节的情况下实施本公开。在其它情况下，为了避免混淆本公开，众所周知的方法、过程和部件未被详细描述。微芯片、印刷电路板、太阳能电池、电子显示器（诸如，但不限于，例如，液晶显示器、有机发光二极管显示器、以及量子点电致发光显示器）、以及各种其它电气或光学装置和部件可由通过基板支撑的不同材料的、多个重叠层（包括图案化层）构成。本公开的各种示例性实施例设想用于在基板上形成图案化层的方法和装置，以用于制造电气和/或光学装置和/或部件的应用。在本文中，“装置层（devicelayer）”应指以其最终形式（其在某些情况下可被图案化）包括在完成的光学和/或电子装置和/或部件中的层的材料层，其中进一步的，“图案化装置层（patterneddevicelayer）”应指在被图案化之后的这样的层，且“未图案化装置层（unpatterneddevicelayer）”应指在被图案化之前的这样的层。例如，各种示例性实施例设想包括一组导电迹线的导电材料的图案化装置层，例如，如可作为制造印刷电路板（pcb）或其它电子部件的一部分制造在基板上。根据本公开的实施例，基板上的未图案化装置层（例如但不限于铜或其它导电材料的导电层，其重叠基板的电绝缘表面）可涂覆有包括“底切减少（undercut-reducing）”材料的“底漆”层，该底切减少材料具有在用于去除通过蚀刻掩膜暴露的装置层材料的湿式蚀刻过程期间减少底切的效果。例如，底切减少材料可以是抗腐蚀材料，其可包括相对于装置层材料展现抗腐蚀性质的材料。这样的抗腐蚀材料可包括聚合物、有机材料、无机材料、席夫碱（schiffbases）、或其它材料，诸如在国际专利申请公开号wo2016/193978a2以及wo2016/025949a1中公开的，其每一个的全部内容在本文中通过参考并入。抗腐蚀材料可毯覆形成或沉积，或图案形成或沉积在未图案化装置层之上。在各种示例性实施例中，用语抗腐蚀材料和底切减少材料可互换使用。本公开各种示例性实施例设想在基板上的未图案化装置层之上形成包括底切减少材料的底漆层，然后通过在底漆层之上形成抗蚀刻材料的图案化层而在基板上形成蚀刻掩膜。本公开的其它示例性实施例设想通过在基板上、在未图案化装置层之上形成底切减少材料和抗蚀刻材料的混合物的图案化层，在基板上的未图案化装置层之上形成蚀刻掩膜，而不需要形成包括底切减少材料的单独层，例如底漆层。在示例性实施例中，在基板上的未图案化装置层之上形成含有底切减少材料的底漆层，然后通过在底漆层上以图案施加或沉积液体抗蚀刻墨，然后经由后续处理（例如通过干燥或烘焙墨以形成抗蚀刻材料的固体图案化层）将液体墨转变成蚀刻掩膜，在底漆层之上形成蚀刻掩膜，其中这样的液体抗蚀刻墨可包括与底漆层相互作用的材料。例如，液体抗蚀刻墨可以在与底漆层接触时经历化学反应，该化学反应限制墨在底漆表面上的移位或扩散，例如经由化学反应。在另一个实例中，液体抗蚀刻墨可以通过喷墨喷嘴递送的液滴形式施加到表面上，并且在与底漆表面接触时，这样的液滴可在之后不久有效地停止移动（immobilized）或“冻结”到位，使得墨液滴在底漆表面上的进一步移位或扩散大大减少或完全停止，如在国际公开号wo2016/193978a2以及wo2016/025949a1中描述的，其每一个的全部内容在本文中通过参考并入。在示例性实施例中，例如经由由抗蚀刻墨与底漆层之间的相互作用造成的化学反应来限制底漆表面上的抗蚀刻墨的扩散可有助于掩膜图案在待图案化层之上精确沉积。在示例性实施例中，在基板上的未图案化装置层之上形成底漆层，且通过以图案将液体抗蚀刻墨递送至底漆层上，然后经由后续处理（例如通过干燥或烘焙墨以形成抗后续蚀刻的固体图案化层）将液体墨转变成蚀刻掩膜，而在底漆层之上形成蚀刻掩膜。在示例性实施例中，该底漆层包括第一反应性组分，该液体抗蚀刻墨包括第二反应性组分，且当抗蚀刻墨与底漆层接触时，该第一和第二反应性组分反应以有效地使墨停止移动或“冻结”到位，使得底漆表面上的墨的进一步移位或扩散大大减少或完全停止。在示例性实施例中，该底漆层包括第三反应性组分，该液体抗蚀刻墨包括第四反应性组分，且第三和第四反应性组分的反应产生蚀刻掩膜材料，其相对不可溶于抗蚀刻墨，且相对不可溶于用于随后蚀刻未图案化装置层的蚀刻溶液（其中相对不可溶在此定义为相对于第四反应性组分）。如此形成的蚀刻掩膜材料在本文中称为双组分材料或双组分反应产物。在各种实施例中，提供大部分质量以形成构成蚀刻掩膜的双组分材料的反应性组分称为抗蚀刻组分（etch-resistcomponent），或等同地，抗蚀刻组分（etching-resistingcomponent），而另一种反应性组分称为固定化组分（fixatingcomponent），或等同地，固定化反应性组分（fixatingreactivecomponent）或固定化组合物（fixatingcomposition）。在示例性实施例中，该抗蚀刻组分包括多种材料。在示例性实施例中，该固定化组分包括多种材料。在示例性实施例中，该抗蚀刻墨是水性墨，且该双组分材料相对不可溶于水。在示例性实施例中，蚀刻溶液是酸性蚀刻溶液，例如但不限于，氯化铜和过氧化氢的混合物。在示例性实施例中，第一组分、第二组分、第三组分、或第四组分中的一个或多个包括多种材料。在示例性实施例中，第一和第三组分是相同的。在示例性实施例中，第二和第四组分是相同的。在示例性实施例中，产生双组分材料的反应与使抗蚀刻墨的液滴在底漆层上停止移动的反应相同。在示例性实施例中，该底漆层包括底切防止材料。在示例性实施例中，底漆的反应性组分（例如上述第一或第三反应性组分）包括底切防止材料。在示例性实施例中，抗蚀刻墨的反应性组分（例如上述第二或第四反应性组分）包括底切防止材料。在示例性实施例中，该抗蚀刻墨包括底切防止材料。在示例性实施例中，底漆或抗蚀刻墨中的至少一个可包括多价和/或聚阳离子基团和/或多价无机阳离子。在示例性实施例中，底漆或抗蚀刻墨中的至少一个可包括聚阴离子基团。在示例性实施例中，底漆或抗蚀刻墨中的至少一个可包括反应性阴离子组分，且是水溶性的。在示例性实施例中，这样的反应性阴离子组分可包括ph高于7.0的至少一种阴离子聚合物（以碱形式）。在示例性实施例中，这样的阴离子聚合物可选自呈其溶解盐形式（例如但不限于，钠盐形式）的丙烯酸树脂以及苯乙烯-丙烯酸树脂、呈其溶解盐形式（例如但不限于，钠盐形式）的磺酸树脂。在示例性实施例中，这样的阴离子聚合物可是铵形式或胺中和形式。在示例性实施例中，这样的阴离子聚合物可呈聚合物乳液或分散体的形式。在各种实施例中，产生双组分材料的反应引起底漆层上抗蚀刻墨粘度的大幅增加，且基本上由这样的粘度增加致使停止移动现象。在各种实施例中，抗蚀刻墨提供形成双组分材料的大部分材料质量。在各种实施例中，底漆提供了形成双组分材料的大部分材料质量，且在这种情况下，底漆层可含有抗蚀刻组分，而抗蚀刻墨可含有固定化组分。在各种实施例中，通过以下形成底漆层：在未图案化装置层之上提供液体底漆墨涂层，然后例如通过干燥或烘焙该层来后续处理该层以形成底漆层。在各种实施例中，这样的底漆墨是水性的。在各种实施例中，该底漆层对未图案化装置层具有良好的附着性。在各种实施例中，通过喷墨印刷、喷雾涂覆、计量杆涂覆、辊涂、浸渍涂覆、或任何其它合适的印刷或涂覆方法，在未图案化装置层之上施加底漆层。在各种实施例中，底漆层可是均匀的（例如毯覆）涂层或可以是图案化涂层。在示例性实施例中，底漆层通过在未图案化装置层之上施加表面活化溶液而至少部分地形成。在示例性实施例中，表面活化溶液包括铜盐、铁盐、铬酸-硫酸、过硫酸盐、亚氯酸钠、以及过氧化氢中的一种或多种。在示例性实施例中，未图案化装置层为金属层且表面活化溶液被施加到该金属层的表面上。在示例性实施例中，表面活化溶液可以预定时间施加且然后洗掉，例如但不限于10秒、20秒、30秒、60秒、或更长时间。在示例性实施例中，可通过将表面浸入含有表面活化溶液的池中来施加该表面活化溶液。在示例性实施例中，可通过用表面活化溶液喷涂表面、或任何其它合适的方法来施加该表面活化溶液。在示例性实施例中，使用洗涤流体（例如但不限于醇溶液、乙醇、丙醇、异丙醇、以及丙酮）将表面活化溶液从表面洗掉。在其中表面是（例如pcb的）铜层的表面的示例性实施例中，利用重量百分比浓度为0.5至1.0的cucl2（或任何二价铜盐）的表面活化水溶液，且底漆层通过将铜表面浸入含有表面活化溶液的池中30秒而至少部分地形成。在其中表面是（例如pcb的）铜层的表面的示例性实施例中，利用重量百分比浓度为0.5至1.0的na2s2o8（或任何过硫酸盐）的表面活化水溶液，且底漆层通过将铜表面浸入含有表面活化溶液的池中30秒而至少部分地形成。在其中表面是（例如pcb的）铜层的表面的示例性实施例中，利用重量百分比浓度为10的h2o2的表面活化水溶液，且底漆层通过将铜表面浸入含有表面活化溶液的池中30秒而至少部分地形成。在其中表面是（例如pcb的）铜层的表面的示例性实施例中，利用重量百分比浓度为20的fecl3的表面活化水溶液，且底漆层通过将铜表面浸入含有表面活化溶液的池中10秒而至少部分地形成。在其中表面是（例如pcb的）铜层的表面的示例性实施例中，利用重量百分比浓度为5的hcro4/h2so4的表面活化水溶液，且底漆层通过将铜表面浸入含有表面活化溶液的池中30秒而至少部分地形成。在其中表面是（例如pcb的）铜层的表面的示例性实施例中，利用重量百分比浓度为5的naclo2的表面活化水溶液，且底漆层通过将铜表面浸入含有表面活化溶液的池中60秒而至少部分地形成。在使用喷墨印刷机将抗蚀刻墨印刷至底漆层上的示例性实施例中，基板可处于大约“室”温，例如在20℃至30℃的范围内、或可处于升高的温度下，例如高达100℃。在示例性实施例中，双组分蚀刻掩膜可具有至少0.01μm的厚度。在示例性实施例中，双组分蚀刻掩膜可具有小于12μm的厚度。在本公开的示例性实施例中，将底漆层沉积到基板上，且后续使用喷墨印刷将蚀刻掩膜墨沉积到底漆层上，然后烘焙以形成蚀刻掩膜层。在接触底漆层之后不久，蚀刻掩膜墨的液滴与底漆层相互作用，从而有效地使墨液滴停止移动或“冻结”，从而大大减少或消除了进一步的扩散和/或移位，其为底漆层中的第一反应性组分与蚀刻掩膜墨中的第二反应性组分之间的化学反应的结果。此外，蚀刻掩膜墨的一种或多种组分与底漆层的一种或多种组分经历反应，以形成双组分蚀刻掩膜材料，其相对不可溶于蚀刻掩膜墨且相对不可溶于蚀刻掩膜将被使用的蚀刻溶液（其中相对不溶在此定义为相对于反应以形成双组分蚀刻掩膜的蚀刻掩膜墨组分）。例如，蚀刻掩膜墨可是水性的且从这样的反应所得到的蚀刻掩膜材料不可溶于水，且该蚀刻溶液可以是酸性蚀刻溶液，且从这样的反应产生的蚀刻掩膜材料不可溶于该酸性蚀刻溶液。在示例性实施例中，用底切防止材料（诸如抗腐蚀材料）涂覆未图案化装置层（诸如铜层）可应用于使用蚀刻掩膜来保护装置层材料免于被湿式蚀刻的任何过程。在示例性实施例中可使用其它金属层取代铜，包括但不限于，例如铝、不锈钢、金、以及金属性合金。本公开的示例性实施例包括在例如经由层压、狭缝式模具涂覆、或旋转涂覆将光阻层施加到未图案化装置层之前，将底切减少材料以底漆层的形式引入，其随后经由暴露于选定波长的光（例如uv光）、通过光掩膜、或经由直接激光成像而图案化。底切减少材料在化学蚀刻过程期间的作用可减轻（例如，减少、消除）由图案化过程导致的装置层特征的底切的发生。因此，在进行化学蚀刻过程之后，由于底切的减少或消除，可形成具有与在没有底切减少材料的情况下形成的装置层相比更竖直且较少倾斜的侧壁的装置层特征。当应用于包括具有传送电流或电信号的功能的导电材料的图案化装置层时，本公开的各种实施例可增强如此形成的电路的整体性能、改善各个导电特征的总体导电率、增强频率响应、且允许制造具有更高密度以及更薄特征和特征之间更薄间隔两者的图案。在使用非金属性材料的图案化装置层（诸如光学或绝缘图案化特征）的部件中也可以得到类似的益处。我们认为，在常规的湿式蚀刻过程期间，当液体蚀刻剂向下行进（例如以朝向基板的方向）通过在未被蚀刻掩膜覆盖的那些区域中正被蚀刻的装置层材料的厚度时，该液体蚀刻剂还横向行进到被蚀刻掩膜覆盖的装置层材料的那些部分的侧表面（例如侧壁）中。随着蚀刻深度增加，更多的侧壁暴露于横向蚀刻，使得最靠近蚀刻掩膜的侧壁部分暴露于液体蚀刻剂的时间段比最靠近基板的侧壁部分更长，且因此受到增加的横向蚀刻，因此给所得到的图案化装置层特征的侧壁赋予底切形状。换句话说，蚀刻剂与装置层材料反应以去除装置层材料部分的时间随着距基板的距离增加。虽然不希望受任何特定理论束缚，我们认为在常规的湿式蚀刻过程中，无论是通过浸入或喷射或喷涂蚀刻剂来进行，蚀刻剂与远离基板的装置层材料部分之间的附加反应时间导致装置层材料在装置层材料在蚀刻掩膜特征正下方以及附近的区域中的横向向内的腐蚀（去除），尽管蚀刻掩膜的目的是防止在那些区域中装置层材料的去除。下面结合图4b-5c提供对此现象的进一步解释和描述。如在根据本公开的各种示例性实施例中所讨论的，蚀刻剂与装置层材料对应于图案化装置层特征的侧表面（或等同地，侧壁）的部分之间的反应在湿式蚀刻过程期间被减轻（例如减少、防止、抑制），从而减轻在侧表面上的底切形状的形成。图1a-5c均图示根据各种常规过程处理装置以在基板上形成图案化装置层（或等同地在基板上形成图案化装置层特征）的各种阶段。在示例性实施例中，该装置是在制造过程中的pcb，且该装置层材料是导电材料。然而，本领域技术人员将理解，对pcb的参考是非限制性和仅示例性的，且各种应用被涵盖在本公开的范围内，诸如上面参考的各种电子和光学部件。现参考图1a-1d，其示出根据一种常规过程经历处理以形成图案化装置层特征的装置100的各种视图。图1a是装置100的平面图和侧视图，装置100包括基板102，基板102上设置有未图案化装置层104。基板102本身可包括多个层，例如但不限于，一个或多个未图案化或图案化装置层。例如，尽管在基板102的一侧（例如图取向中的“顶部”）示出该未图案化装置层104，但是本公开也设想装置100的“双面”处理，例如，其中基板102包括第二未图案化装置层，其被定位为包括该基板102的相对侧（例如“底部”）。在示例性实施例中，这样的“底部”侧的未图案化装置层经历与“顶部”侧的未图案化装置层104类似的图案化过程，且这样的“底部”侧图案化全部或部分地发生在未图案化装置层104的“顶部”侧图案化之前、之后或期间。在示例性实施例中，基板102可包括根据一个或多个示例性实施例处理的一个或多个图案化装置层，例如但不限于，以类似于用于处理未图案化装置层104的方式的方式。在一个示例性实施例中，装置100是制造过程中的pcb，未图案化装置层104包括导电材料，从而使其成为未图案化导电装置层，基板102包括一层或多层电绝缘材料，其配置成提供“顶部”电绝缘表面和“底部”电绝缘表面，且该未图案化导电装置层104被定位为与“顶部”电绝缘表面相邻。第二未图案化导电装置层被结合至基板102中，且被定位为与“底部”电绝缘表面相邻（其中这样的“底部”电绝缘表面在基板102内且在图1中未示出），且基板102的“底部”表面，即基板102的相对于与未图案化装置层104相邻的表面在相对侧上的表面，是该第二未图案化导电装置层的表面。在一个示例性实施例中，装置100是在制造过程中的pcb，且基板102在包括基板102和未图案化装置层104之间的界面的至少一部分的区域上方具有电绝缘表面。在一个示例性实施例中，基板102可包括电绝缘材料层，诸如例如但不限于，包括由环氧树脂或其它材料结合的织造玻璃的复合材料。这样的电绝缘材料可具有例如在从约0.001英寸至约0.05英寸范围内的厚度。在一个示例性实施例中，基板102可包括电绝缘材料和导电材料的多个交替层，进一步包括至少两个电绝缘层，每个层包括由环氧树脂或其它材料结合的织造玻璃且具有在0.001英寸与0.05英寸之间的厚度，例如一个“芯”层和包括预浸结合片（其可以被称为“预浸片（prepreg）”）的一层，以及位于电绝缘层之间的至少一个图案化导电层，其中与未图案化装置层104交界的基板102的“顶部”表面是至少两个电绝缘层中的一个的表面。在示例性实施例中，预浸片包括fr4级环氧层压片。在示例性实施例中，芯层包括fr4级环氧层压片。未图案化装置层104可包括导电材料层，诸如，例如金属或金属合金，其包括但不限于铜、铝、银、金、或其它导电材料，其为本领域技术人员所熟悉的。在示例性实施例中，未图案化装置层104是层压到基板102上的铜箔，其中在基板102和未图案化装置层104之间的界面表面是电绝缘的；然而，其它导电材料被认为在本公开的范围内。现参考图1b，在下一阶段的处理中，蚀刻掩膜106形成在未图案化装置层104的暴露表面110上。蚀刻掩膜106可以所希望图案108形成，诸如对应于在处理之后装置100上期望为图案化装置层迹线的地方的迹线，如图1b所示。换句话说，蚀刻掩膜106可包括沉积在未图案化装置层104之上、在对应于装置100中期望为图案化装置层特征的地方的位置处的抗蚀刻材料。蚀刻掩膜106可包括诸如，例如聚合物、氧化物、氮化物、或其它材料的材料。在一个示例性实施例中，蚀刻掩膜材料是使用负型光阻材料形成的聚合物，例如但不限于由microchemcorp.,200flandersroad,westborough,ma01581usa供应的su-8系列光阻之一。在一个示例性实施例中，蚀刻掩膜材料是使用正型光阻材料形成的聚合物，例如但不限于由microresisttechnologygmbh.,köpenickerstr.325,12555berlin,de供应的ma-p1200系列光阻之一。蚀刻掩膜106可通过诸如丝网印刷、喷墨印刷、光微影术、凹版印刷、冲压、照相雕刻法、或其它方法的方法在未图案化装置层104的表面上方被图案化。在将蚀刻掩膜106施加到未图案化装置层104的表面110后，将装置100暴露于蚀刻剂（诸如化学蚀刻剂），其从未被蚀刻掩膜106保护的那些区域去除未图案化装置层104中的材料，导致图案化装置层114的形成，如图1c所示。这样的化学蚀刻剂可包括对未图案化装置层104的材料具有腐蚀效果的化学化合物。在示例性实施例中，未图案化装置层104是导电层，且这样的化学蚀刻剂可包括但不限于过硫酸铵、氯化铁、或对未图案化装置层104的材料具有腐蚀效果的其它化学化合物。在一个实施例中，未图案化导电装置层104包括铜，且所使用的蚀刻剂是氯化铜（cucl2）。本领域技术人员熟悉适用于去除未图案化装置层104的材料的各种化学蚀刻剂。继续参考图1c，当未图案化装置层104暴露于蚀刻剂时，该蚀刻剂从暴露的顶部表面110开始溶解（例如，腐蚀）未图案化装置层104的材料。随着未图案化装置层104的材料被去除，该蚀刻剂也可去除蚀刻掩膜106下方的未图案化装置层104的材料部分，留下非直的且非垂直的侧壁112。例如，如图1c所示，在根据图1a-1d所示的过程制造的装置100中，根据蚀刻掩膜106的图案108产生的图案化装置层114的特征的侧壁112可展现锥形，例如从图案化装置层114与蚀刻掩膜106之间的界面处的第一特征宽度w1到基板102与图案化装置层114之间的界面处的第二特征宽度w2（比该第一特征宽度w1更宽）成锥形。图1d示出在蚀刻掩膜106被去除后的装置100，其暴露图案化装置层114。图1d中通过图案化装置层114特征的侧壁112展现的锥形是“底切”的侧壁的一个说明，且以下将结合图4a-4c更详细讨论。底切侧壁的其它形状和布置也可能发生，且包括基本上不是直的且基本上不是与形成其的基板表面垂直延伸的侧壁。现参考图2a-2c，其示出一种形成具有导电迹线的图案208的蚀刻掩膜206的方法。具有基板202和未图案化装置层204的装置200用未图案化抗蚀刻层216覆盖在未图案化装置层204的整个区域（即，毯覆涂覆）上。然后将未图案化抗蚀刻层216以图案暴露于光（例如，uv光），使得暴露区域在后续显影过程中相对较不易被去除（所谓的负型处理），或者使得暴露区域在后续显影过程中相对较容易被去除（所谓的正型处理）。这种使用曝光的图案式可例如借助于通过光掩膜照射光（如所谓的光刻处理中的那样），或通过向抗蚀刻层216以作为时间函数的图案递送一系列的聚焦光（例如以激光束的形式）脉冲或扫描（所谓的直写处理）来实现。显影过程与图案式曝光相对应地去除未图案化抗蚀刻层216中的材料，得到具有该图案208的图案化蚀刻掩膜206，如图2c中所示。该显影过程可包括将装置200浸没在液体显影剂中，该液体显影剂溶解或腐蚀在未图案化蚀刻掩膜层216中相对地更容易去除的材料，例如但不限于，在负型过程的情况下，该显影剂液体可溶解在未图案化抗蚀刻层216中尚未暴露于uv光的材料；而在正型过程的情况下，该显影剂液体可溶解在未图案化抗蚀刻层中已暴露于uv光的材料。然后如上文中结合图1d所讨论的那样去除未被蚀刻掩膜206保护的未图案化装置层204的部分，得到具有图案化装置层的装置200，该图案化装置层具有呈图案208且展现底切的特征。可选地，蚀刻掩膜可以所希望的图案直接沉积在未图案化装置层上，而不需要如图2a-2c的实施例中的图案化未图案化抗蚀刻层的中间步骤。例如，现参考图3a和3b，蚀刻掩膜306可直接以迹线的所希望图案308形成在装置300的未图案化装置层304之上，该迹线对应于在所得到的装置上期望为图案化装置层的特征的位置。蚀刻掩膜306可通过例如喷墨印刷、层压、网板印刷、凹版印刷、冲压、或其它方法以所希望图案308沉积在未图案化装置层304上。在一个示例性实施例中，使用喷墨印刷在未图案化装置层304之上形成蚀刻掩膜306，其中具有多个喷嘴的喷墨印刷头将液体抗蚀刻墨液滴喷射到装置300上以形成与图案308对应的液体抗蚀刻墨的涂层，且后续处理液体抗蚀刻墨的该涂层以将液体涂层转变为蚀刻掩膜306。在一个示例性其它实施例中，液体抗蚀刻墨的处理包括干燥和/或烘焙该装置，以从液体涂层形成固体蚀刻掩膜306。在一个示例性实施例中，使用喷墨印刷机在未图案化装置层304之上形成蚀刻掩膜306，该喷墨印刷机包括具有多个喷嘴的一个或多个印刷头、保持基板的基板支撑件、用于相对移动该多个喷嘴和基板的载物台、用于控制基板和喷嘴的相对位置的运动控制系统、以及用于控制喷嘴的喷发以便以所希望图案将液滴递送到基板上的喷嘴控制系统。在本公开中设想到，在其中利用喷墨印刷来沉积液体涂层的任何实施例中，可使用诸如此处描述的喷墨印刷系统。图4a-4c图示用于从装置400去除来自未图案化装置层404的材料的常规过程并且描绘在湿式蚀刻过程期间我们认为会发生导致底切的情况。在图4a中，未图案化装置层404与图案408相对应地被蚀刻掩膜406覆盖。装置400然后暴露于化学蚀刻剂418。在图4b的示例性实施例中，通过浸入该蚀刻剂418来进行该暴露。蚀刻剂418去除来自未图案化装置层404（来自图4a）的材料以产生部分图案化装置层405。例如，在图4b的实施例中，蚀刻剂418包括容纳在容器420内的液体，例如但不限于，溶液，且将具有蚀刻掩膜406（图4b）的装置400浸入蚀刻剂418中，如图4b中所示。一旦未图案化导电层404的顶部表面410（图4a）的暴露部分被蚀刻掉，且侧壁412开始形成，则侧壁412暴露于该蚀刻剂418且该蚀刻剂418去除来自侧壁412的材料，导致图4c中所示的图案化装置层414的特征的锥形底切形状。换句话说，一旦未图案化装置层404的顶部表面410被蚀刻掉，可以在所有方向上普遍起作用的蚀刻剂418横向攻击蚀刻掩膜406下方的包括装置层的材料（不论装置层是处于其未图案化的状态，即404；部分图案化的状态，即405；或是图案化的状态，即414）。通过蚀刻剂418去除的装置层的材料量可取决于装置层材料暴露于蚀刻剂418的时间量。因此，随着蚀刻剂418行进穿过部分图案化装置层405的厚度（即，在垂直于基板402的平面的方向上），侧壁412更靠近蚀刻掩膜406的部分比侧壁412更靠近基板402的部分暴露于蚀刻剂418更长的时间段，且蚀刻过程由此赋予侧壁412如图4c中所示的锥形（即，底切）形状。换句话说，蚀刻剂与装置层中的材料反应以从装置层去除这样的材料的时间随着距基板的距离而增加。虽然不希望受任何特定理论束缚，我们因此认为蚀刻剂与远离基板的装置层的那些部分的材料之间的附加反应时间导致在蚀刻掩膜正下方和附近的装置层区域中的来自装置层的材料的横向向内的腐蚀（去除），尽管蚀刻掩膜的目的是防止在那些区域中去除装置层的材料。现参考图5a-5c，其示出另一常规过程的实施例。图5a-5c的过程与结合图4a-4c所述的类似，且包括在装置500的未图案化装置层504之上形成蚀刻掩膜506，如图5a所示。不是如上面结合图4b所述的那样将装置500浸入蚀刻剂518内，而是以撞击装置500的射流522引入蚀刻剂518，装置500可在容器520中，如图5b所示。过量的蚀刻剂518可流入容器520的排放口524中或以其它方式收集，例如用于再循环或其它处理。因为蚀刻剂518全向地作用，所以在图案化装置层514的特征的所得侧壁512上形成锥形或底切，如图5c所示。如上所述，在装置上形成图案化装置层的特征的底切侧壁在可形成的特征的尺寸和形状上引入各种限制。例如，如上所讨论的，形成底切的倾向可能会限制能产生的最小特征宽度或最小特征-特征间距，从而限制装置上的特征密度。在各种应用中，最大化装置上的特征密度可提高性能。在各种实施例中，装置层包括导电材料，该装置是pcb，且底切的倾向可能限制最小特征宽度、最小特征-特征间距和最大特征密度。图6a-17示出用于减轻（例如，减少或消除）在常规处理期间发生的底切的过程的各种实施例。例如，现参考图6a，装置600在基板602之上具有未图案化装置层604。未图案化装置层604可通过化学气相沉积、物理气相沉积、层压、狭缝式模具涂覆、旋转涂覆、喷墨印刷、网板印刷、喷嘴印刷、凹版印刷、棒涂、或任何其它合适的方法施加到基板，如本本领域技术人员熟悉的那些。未图案化装置层604在抗腐蚀层629上方形成蚀刻掩膜628之前涂覆有抗腐蚀层629。抗腐蚀层629可通过化学气相沉积、物理气相沉积、层压、狭缝式模具涂覆、旋转涂覆、喷墨印刷、网板印刷、喷嘴印刷、凹版印刷、棒涂、或任何其它合适的方法施加到基板，如本本领域技术人员熟悉的那些。在一些实施例中，抗腐蚀层629包括“底漆”层，且通过在底漆层上沉积液体抗蚀刻墨来形成蚀刻掩膜628，该液体抗蚀刻墨经由例如但不限于干燥或烘焙的后续处理转变成蚀刻掩膜628。在各种实施例中，如先前已描述，这样的液体抗蚀刻墨可经由喷墨印刷以液滴形式递送到装置600，且可与抗腐蚀层629（在这样的情况下起到底漆层的作用）相互作用，使得这样的液滴在与底漆表面接触时快速（例如以微秒数量级）有效地停止移动或“冻结”到位，进而使得墨液滴在底漆表面上的进一步移位或扩散大大减少或完全停止，如进一步在国际公开号wo2016/193978a2以及wo2016/025949a1中讨论的，在上文中通过参考并入。这样的液体抗蚀刻墨还可经由与这样的底漆层的相互作用产生双组分材料，该双组分材料至少部分地形成抗蚀刻掩膜。在各种实施例中，参考图6a，装置600是pcb，未图案化装置层604包括诸如铜、铝、金、和/或其它金属的导电材料，且与未图案化导电装置层604相邻的基板602表面是电绝缘的。在示例性实施例中，抗腐蚀层629可包括基于其阻止用于去除装置600的未图案化装置层604的材料的化学蚀刻剂的腐蚀效果的能力而选择的材料。作为非限制性实例，抗腐蚀层629可包括但不限于，聚合物；有机化合物，诸如包括一个或多个亚胺基团、一个或多个胺基团、一个或多个唑基团、一个或多个联胺基团、一个或多个胺基酸的有机化合物；席夫碱；或其它材料。在其它示例性实施例中，抗腐蚀层629可包括无机材料，诸如铬酸盐、钼酸盐、四硼酸盐、或另一种无机化合物。在一些示例性实施例中，抗腐蚀层629可包括反应性组分，诸如包括聚阳离子和/或多价阳离子的一种或多种反应性阳离子基团。该阳离子反应性组分可能能够附着到金属性表面，诸如铜表面。在一些实施例中，抗腐蚀层629可通过使用任何已知的施加方法在未图案化装置层之上施加液体抗腐蚀墨来形成，该方法例如但不限于喷涂、旋转涂覆、喷嘴印刷、棒涂、网板印刷、涂抹、喷墨印刷等，然后处理该装置600以将液体涂层转变为抗腐蚀层629。在一些实施例中，抗腐蚀层629可被称为底漆层，且液体抗腐蚀墨可被称为底漆墨。液体抗腐蚀墨可包括溶液，该溶液可包括聚亚胺，诸如，例如具有低分子量或高分子量的聚乙烯亚胺，诸如线性聚乙烯亚胺或分支聚乙烯亚胺。作为非限制性实例，分子量可在从约800至约2,000,000的范围内。在一些实施例中，为了使液体抗腐蚀墨可经由喷墨印刷头喷射，液体墨可以是水溶液，其可包括附加试剂，诸如丙二醇、正丙醇以及润湿添加剂（诸如由evonikindustries供应的tego500）。在一些实施例中，抗腐蚀材料层629的厚度可在从约0.03μm至约1.1μm的范围内。在一些实施例中，该方法可包括使用任何干燥方法干燥经施加的墨以形成固体涂层。在一些实施例中，该方法可包括使用任何干燥方法烘焙经施加的墨以形成固体涂层。作为进一步的非限制性实例，若存在，抗腐蚀材料层629的阳离子反应性组分可包括聚酰胺，诸如各种ph水平的聚乙烯亚胺、聚四级胺、长链四级胺、聚三级胺；以及多价无机阳离子，诸如镁阳离子、锌阳离子、钙阳离子、铜阳离子、铁阳离子以及亚铁阳离子。聚合性组分可作为可溶组分或以乳液形式引入配方中。可使用任何合适的印刷或涂覆方法将抗腐蚀材料层629施加到未图案化装置层604，该印刷或涂覆方法包括但不限于喷墨印刷、喷涂、计量杆涂覆、辊涂、浸渍涂覆、旋转涂覆、网板印刷、层压、冲压以及其它。抗腐蚀层629可均匀地施加在未图案化装置层604之上，或以所希望的图案施加，诸如以限定图案化装置层630的所希望图案的图案608（根据图6）。在图6a-6d的示例性实施例中，抗腐蚀层629可包括“底漆”层，且可通过在底漆层上沉积液体抗蚀刻墨来形成蚀刻掩膜628，该液体抗蚀刻墨经由例如但不限于干燥或烘焙的后续处理转变成蚀刻掩膜628。在各种实施例中，这样的干燥可包括烘焙，例如但不限于在70℃或更高。在各种实施例中，如先前已描述，这样的液体抗蚀刻墨可经由喷墨印刷以液滴形式递送到装置600，且可与底漆层相互作用，使得这样的液滴在与底漆表面接触时快速地（例如以微秒数量级）停止移动或“冻结”到位，进而使得墨液滴在底漆表面上的进一步移位或扩散大大减少或完全停止，如进一步在国际公开号wo2016/193978a2以及wo2016/025949a1中讨论的，其在上文中通过参考并入。这样的液体抗蚀刻墨可进一步经由与这样的底漆层的相互作用产生双组分材料，该双组分材料至少部分地形成蚀刻掩膜。该蚀刻掩膜628或用于制造这样的蚀刻掩膜628（根据如上所述的各种实施例）的液体抗蚀刻墨可包括聚合性组分，其是水溶性的且可包括阴离子基团。阴离子聚合物可选自呈其溶解盐形式的丙烯酸树脂以及苯乙烯-丙烯酸树脂。阴离子聚合物可选自呈其溶解盐形式的磺酸树脂，诸如钠、铵中和或胺中和形式。在利用液体抗蚀刻墨的实施例中，液体墨可包括用于改善材料的印刷或其它沉积质量的附加试剂。该蚀刻掩膜628或用于制造这样的蚀刻掩膜628（根据如上所述的某些实施例）的液体抗蚀刻墨可包括反应性组分，其可以是水溶性的且可包括反应性阴离子基团。阴离子反应性组分的非限制性实例可包括ph高于7.0的至少一种阴离子聚合物（以碱形式）。阴离子聚合物可选自呈其溶解盐形式的丙烯酸树脂以及苯乙烯-丙烯酸树脂。阴离子聚合物可选自磺酸树脂，其呈其溶解盐形式，例如但不限于，钠盐形式，铵或胺中和形式，以及呈聚合物乳液或分散体形式。聚合性组分可作为可溶组分或以乳液形式引入配方中。参考图6b，该抗腐蚀层629和蚀刻掩膜628可直接地印刷在装置600上。在一个示例性实施例中，该抗腐蚀层629可在未图案化装置层604之上以所希望图案（诸如图案608）经由印刷来形成，以便于制造相应图案化装置层630（如图6中所示）。该抗腐蚀层629可以从约5nm至约100nm的范围内、以约100nm或更小、或以约1μm或更小的厚度沉积。抗腐蚀材料层629的其它厚度被认为在本公开的范围内，且可取决于具体的应用。然后在抗腐蚀材料层629之上以所希望图案（诸如图案608）经由印刷来形成蚀刻掩膜628，以便于制造相应图案化装置层630（如图6中所示）。例如，蚀刻掩膜628可被沉积以具有从约1μm至约5μm的范围内、或约5μm或更小、或约15μm或更小的厚度。然后将装置600引入蚀刻剂中，诸如结合图4b和5b所讨论的液体化学蚀刻剂418或518。如图6c和6d中所示，抗腐蚀材料层629的存在可有助于减少图案化装置层630的特征的底切量。例如，图案化装置层630的特征可展现接近抗腐蚀层629的第一宽度w1以及接近基板602的第二宽度w2。在一些示例性实施例中，宽度w1与w2之间的差导致图案化装置层630的特征展现锥形侧壁632（即，图案化装置层630的特征可展现出一定程度的底切）。由图案化装置层630的特征展现出的底切可小于由如上所讨论的图案化装置层114、414（图1d和4d）的特征所展现出的底切。可使用各种测量来量化底切的程度，如下面结合图10和11更详细讨论的。在图7a-7c的示例性实施例中，抗腐蚀层729毯覆沉积在设置在基板702上的未图案化装置层704的表面上。这样的毯覆涂覆可通过诸如但不限于化学气相沉积、物理气相沉积、层压、喷墨印刷、喷涂、计量杆涂覆、辊涂、浸渍涂覆、旋转涂覆、网板印刷、喷嘴印刷、或其它方法的方法来完成。蚀刻掩膜728可以所希望的图案（诸如图案708）形成在抗腐蚀层729之上，如上面关于各种实施例所讨论的。该方法与上面描述的图6a-6c的实施例类似地进行。例如，具有抗腐蚀层729和蚀刻掩膜728的装置700暴露于蚀刻剂，诸如结合图4b和5b所讨论的蚀刻剂418或518。如图7b中所示，将装置700放置在容器720中，且将蚀刻剂718喷射到其上设置有蚀刻掩膜728的装置700的表面上方。蚀刻剂718可从未图案化装置层704表面去除抗腐蚀层729，并暴露由如图7b中所示的蚀刻剂718去除的未图案化装置层704的材料，以形成具有侧壁732的图案化装置层730，和与根据常规过程制造的图案化装置层114、414相关联的侧壁112相比，侧壁732展现出减小的底切程度。部分图案化装置层705反映在从通过蚀刻掩膜暴露的那些区域去除抗腐蚀层729且装置层本身的一些材料已经被蚀刻掉之后、且在蚀刻充分进行以形成图案化装置730之前装置层的中间状态。现参考图8a-8d，示出了图7a-7c的实施例的过程的一部分的更详细说明。在图8a中，蚀刻剂（诸如图7b中的蚀刻剂718）的射流822撞击沉积在基板802上的未图案化装置层804上的抗腐蚀层829和蚀刻掩膜828的表面。抗腐蚀层829可优先附着到装置层的材料表面上，且也可至少部分地可溶于蚀刻剂718中，而抗蚀刻材料828可基本上不可溶于蚀刻剂718。蚀刻剂718的射流822可含有足够的动能以从通过蚀刻掩膜暴露的那些区域中的未图案化装置层804去除抗腐蚀层829，如图8b中所示，之后蚀刻剂718可开始去除未被抗蚀刻材料828覆盖的未图案化装置层804的材料，并形成如图8c中所示的部分图案化装置层805。图8d示出在部分图案化装置层805被充分蚀刻以形成图案化装置层830之后的装置800。如图8d中所示，图案化装置层830具有侧壁832，侧壁832展现出比根据结合图1a-5c描述的常规过程制造的侧壁较少的底切。虽然图8d中示出图案化装置层830具有轻微的底切，但本公开设想了基本上没有底切（即，基本上直的且垂直于基板802的表面延伸）的图案化装置层（例如导电）特征。现参考图9a-9c，其示出用于在装置900上形成图案化装置层930的过程的另一个实施例。设置在基板902上方的未图案化装置层904用抗腐蚀层929和蚀刻掩膜928遮蔽。将装置900引入具有蚀刻剂918的容器920中，使得装置浸入图9b中的蚀刻剂918内。如图9c中所示，所得到的装置900的图案化装置层930具有侧壁932，侧壁932展现出比由与常规过程相关联的导电特征114（图1d）展现的底切较小的底切程度。现参考图10，其示出结合图1a-5c的常规方法讨论的装置100的放大图。在图10中，图案化装置层114的特征展现在蚀刻掩膜106和图案化装置层114的界面与在图案化装置层114和基板102之间的界面之间延伸的锥形侧壁。图案化装置层特征114在图案化装置层114和蚀刻掩膜106的界面处展现第一宽度w1，且在图案化装置层114和电绝缘基板102的界面处展现第二宽度w2。出于说明的目的绘制图10，且可以发生轮廓的变化，但一般来说，图案化装置层114在与基板的界面处具有比与抗蚀刻材料的界面处更宽的宽度。应注意的是，蚀刻掩膜106具有宽度w3，本公开设想其大于、小于、或等于宽度w2。现参考图11，其示出图6a-9c中所示的装置600、700、800、或900相似的装置1100的放大图。在此示例性实施例中，图案化装置层1130的特征在图案化装置层1130和抗腐蚀层1129之间的界面处展现第一宽度w1，且在图案化装置层1130和基板1102之间的界面处展现第二宽度w2。应注意的是，蚀刻掩膜1128具有宽度w3，本公开设想其大于、小于、或等于宽度w2。底切程度的示例性度量是蚀刻因子f，其为图案化装置层的特征的最宽部分和最窄部分的宽度差与图案化装置层的特征的高度的比率。因此，蚀刻因子f被定义为h/x，其中h是迹线的高度（h）且x等于（w2-w1）/2，即，基部部分宽度（w2）与顶部部分宽度（w1）之间的差除以2。图11图形展示了h和x之间的关系。下面结合实例1-3讨论本公开的图案化装置层特征的蚀刻因子f的示例性值。作为非限制性实例，与根据本公开的各种示例性实施例制造的装置相关联的装置层特征可展现出大于2、大于5、大于7、或更大（诸如大于10、大于20等）的蚀刻因子f。作为另一个实例，当x的值接近零时，具有接近竖直线的侧壁（即，展现无底切）的导电特征的蚀刻因子f将接近无限大。h、w1和w2的测量可使用测量表面轮廓、横截面与膜厚度的多种显微术技术进行，例如但不限于表面轮廓量测、扫描式电子显微术、椭圆偏光术和共焦显微术。虽然不希望受到特定理论的束缚，但是发明人相信，在蚀刻过程期间，抗腐蚀材料层的部分从该层上分离并附着到和/或吸附到在蚀刻掩膜下的装置层的侧壁上以减轻底切。图12a和12b描绘这种现象。图12a示出根据本公开的各种示例性实施例的在图案化过程中的中间处理步骤期间的装置1200的横截面图。如所示的那样，基板1202上的部分图案化装置层1205正经历蚀刻过程。图12b示出图12a在部分图案化装置层1205的侧壁1232和抗腐蚀层1229之间的界面处的部分的放大图。如图12b所示，当装置1200暴露于蚀刻剂1218时，由于蚀刻剂1218的作用，包括抗腐蚀层1229的抗腐蚀材料部分1246从抗腐蚀层1229分离，例如但不限于通过部分地溶解抗腐蚀层，且这样的抗腐蚀材料然后行进并附着到和/或吸附到侧壁1232上。换句话说，蚀刻剂1218的存在可便于在蚀刻过程期间将包括抗腐蚀层1220的抗腐蚀材料部分1246从抗腐蚀材料层1229移位到部分图案化装置层1230的侧壁1232。然后在侧壁1232上抗腐蚀材料部分1246的存在可抑制蚀刻剂1218在侧壁1232上的腐蚀作用，从而降低（例如减少或消除）所得到的图案化装置层1230中展现的底切量。在各种示例性实施例中，我们认为至少两个过程有助于这些现象，其中在一个过程中，抗腐蚀材料被蚀刻剂溶解，而在另一个同时的过程中，溶解在蚀刻剂中的抗腐蚀材料被吸附到和/或附着到侧壁1232上。在各种示例性实施例中，第一和第二过程的速率使得在蚀刻过程期间形成并保持抗腐蚀材料部分1246以降低（例如减少或消除）所产生的底切量。如图12b所示，我们认为在一些情况下，吸附到侧壁1232的抗腐蚀材料部分1246可展现大致锥形，其中抗腐蚀材料的附着层和/或吸附层1246在靠近抗腐蚀材料层1229处展现更大的厚度，且在远离抗腐蚀材料层1229并朝向基板的方向、沿着层1246展现减小的厚度。图13a、13b和13c示出其中我们认为抗腐蚀材料的颗粒1348从抗腐蚀层1329分离并附着到和/或吸附到装置1300的部分图案化装置层1305的侧壁1332上的过程的附加实例。图13b和13c示出抗腐蚀材料层1329与部分图案化装置层侧壁1332之间的界面的放大图。如图13b所示，抗腐蚀材料的颗粒1348从抗腐蚀材料层1306分离。在图13c中，分离颗粒1348附着到和/或吸附到部分图案化装置层1305的侧壁1332上。分离颗粒1348可以在远离抗腐蚀材料层1329的方向上以通常厚度降低的图案附着到和/或吸附到侧壁1332上。我们认为在各种情况下，分离颗粒1348可以基本上均匀的图案、基本上随机的图案、或以一些其它图案吸附到和/或附着到侧壁1332上。在蚀刻过程期间，侧壁1332上的颗粒1348的存在可抑制蚀刻剂1318的作用并减轻（例如，减少或消除）在部分图案化装置层1305上发生的底切。如上关于图12所述，在各种示例性实施例中，我们认为至少两个过程有助于这些现象，其中在一个过程中，抗腐蚀材料被蚀刻剂溶解，而在另一个同时的过程中，溶解在蚀刻剂中的抗腐蚀材料被吸附到和/或附着到侧壁1332上，且在各种实施例中，第一和第二过程的速率使得在蚀刻过程期间形成并保持抗腐蚀材料部分1346以降低（例如减少或消除）所观察到的底切量。图14是示出根据本公开的用于形成装置（例如但不限于电气或光学部件或装置）的工作流程1400的示例性实施例的流程图。在1402处，在基板上制备未图案化装置层。例如，未图案化装置层（例如导电膜）被层压或以其它方式沉积到基板的电绝缘表面上。在1404处，诸如通过在未图案化装置层上沉积抗腐蚀层和在抗腐蚀材料之上沉积蚀刻掩膜来形成抗底切蚀刻掩膜。例如，将含有抗腐蚀材料的液体底漆墨毯覆涂覆至基板上，然后干燥以形成抗腐蚀底漆层，并将液体蚀刻掩膜墨印刷在抗腐蚀底漆层上，然后干燥以形成蚀刻掩膜。底漆层和蚀刻掩膜一起形成抗底切蚀刻掩膜。抗底切蚀刻掩膜可包括如上面的示例性实施例中所讨论的抗腐蚀层（诸如，例如抗腐蚀层629、729、829、929、1129、1229、或1329）和蚀刻掩膜（诸如，例如蚀刻掩膜628、728、828、或928）。如上所述，底漆层和液体蚀刻掩膜墨可相互作用以形成双组分材料。如上所述，底漆层和液体蚀刻掩膜墨可相互作用，从而有效地使在底漆表面上的墨停止不动或冻结。在1406处，进行湿式蚀刻以去除未被蚀刻掩膜覆盖的未图案化装置层的区域（即，未图案化装置层的暴露部分）。可以足够的持续时间进行湿式蚀刻以去除未图案化装置层的暴露部分，从而留下对应于由蚀刻掩膜覆盖的特征的图案化装置层。在1408处，诸如通过将装置浸入剥离流体或以剥离流体流来喷涂装置来剥离蚀刻掩膜，该剥离流体设计为溶解且从而去除蚀刻掩膜以暴露装置上所得到的图案化装置层。在各种进一步的实施例中，剥离过程也去除蚀刻掩膜下的抗腐蚀层。图15是更详细地示出根据本公开用于在基板上形成诸如上文中结合1404所讨论的抗底切蚀刻掩膜的工作流程1500的示例性实施例的流程图。在1502处，在具有未图案化装置层的基板上形成抗腐蚀层，诸如，例如抗腐蚀层629、729、829、929、1129、1229、或1329。在图15的实施例中，抗腐蚀层在未图案化装置层的整个表面上形成为毯覆涂层（即，未图案化层）。在1504处，在毯覆涂层中的抗腐蚀层的表面上方形成蚀刻掩膜，诸如蚀刻掩膜628、728、828、或928。在1506处，抗蚀刻材料诸如通过暴露于uv光的图案而被直写暴露或曝光，如上文总体结合图2a-2c所讨论的。在1508处，抗蚀刻材料被显影以形成图案化蚀刻掩膜，诸如，例如通过去除未暴露于uv光的抗蚀刻材料（在负型过程的情况下）或暴露于uv光的抗蚀刻材料（在正型过程的情况下）。图16是示出根据本公开的用于在基板上形成抗底切蚀刻掩膜的工作流程1600的另一示例性实施例的流程图。在1602处，在具有未图案化装置层的基板之上在未图案化装置层之上以毯覆涂层形成抗腐蚀层（诸如，例如抗腐蚀层629、729、829、929、1129、1229、或1329）。在1604处，在未图案化抗腐蚀涂层之上制备图案化蚀刻掩膜（诸如，例如蚀刻掩膜628、728、828、或928）。图17是示出根据本公开形成装置的工作流程1700的另一示例性实施例的流程图。在1702处，将未图案化装置层（诸如例如但不限于铜膜）层压到基板的电绝缘表面上。在1704处，在铜膜之上以毯覆涂层形成抗腐蚀层（诸如，例如抗腐蚀层629、729、829、929、1129、1229、或1329）。在1706处，通过将液体抗蚀刻墨以所希望图案印刷在经毯覆涂覆的抗腐蚀材料之上且然后干燥该液体以形成蚀刻掩膜，制备蚀刻掩膜（诸如，例如抗蚀刻掩膜628、728、828、或928）。在1708处，进行喷雾型湿式蚀刻以蚀刻未被蚀刻掩膜材料覆盖的铜膜区域。在1710处，蚀刻掩膜从铜膜的剩余部分剥离以暴露所形成的导电特征。在各种实施例中，该抗腐蚀层是底漆层，且液体抗蚀刻墨可以通过喷墨喷嘴递送的液滴形式施加到表面上，并且在与底漆表面接触时，这样的液滴可在之后不久（例如以微秒数量级）停止移动或“冻结”到位，例如但不限于由于抗蚀刻墨与底漆层之间的相互作用触发的化学反应，使得墨液滴在底漆表面上的进一步移位或扩散大大减少或完全停止，如上以及在国际公开号wo2016/193978a2以及wo2016/025949a1中所述。在各种实施例中，底漆层和液体蚀刻掩膜墨相互作用以形成双组分蚀刻掩膜材料。图18示出根据本公开实施例的用于制造装置的设备1800的块状图。设备1800可包括封装件1802。在各种示例性实施例中，封装件1802可以被配置成提供环境颗粒过滤、相对湿度控制、温度控制、或处理环境内的其它过程条件控制。设备1800可包括第一基板传送机构1804以及基板输入单元1806，基板输入单元1806配置成从第一基板传送机构1804接收基板。该基板可包括未图案化装置层，诸如结合图6a-9c讨论的基板602、702、802、或902，以及未图案化装置层604、704、804、或904。第一沉积模块1808配置成在未图案化装置层上方沉积第一层，诸如结合图6a-9c和11-13c所讨论的抗腐蚀层629、729、829、929、1129、1229、或1329，其中第一沉积模块1808可包括将第一材料沉积到基板上的部分以及进一步处理经沉积第一材料以形成该抗腐蚀层的部分，例如但不限于，通过干燥、固化、或以其它方式处理第一材料。第二沉积模块1812配置成在抗腐蚀材料层上方沉积蚀刻掩膜，诸如结合图6a-9d所讨论的蚀刻掩膜628、728、828、或928。第二沉积模块1812可包括将第二材料沉积到基板上的部分以及进一步处理经沉积第二材料以形成该蚀刻掩膜的部分，例如但不限于，通过干燥、固化、显影、曝光、激光直写、或以其它方式处理第二材料。设备1800可包括基板输出单元1820，其将基板提供至第二基板传送机构（未示出）。第一基板传送机构1804可将基板从先前的处理模块或设备传送到设备1800，且第二基板传送机构可将基板传送到下一个处理模块或设备。在各种示例性实施例中，第一沉积模块1808和第二沉积模块1812可配置成通过诸如喷墨印刷、喷涂、层压、旋转涂覆、或任何其它沉积方法的方法沉积材料，包括但不限于如上所述的任何沉积方法。在一些示例性实施例中，该设备包括基板清洁模块1807，其配置成从基板输入单元1806接收基板、清洁基板、并将基板传送到第一沉积模块1808。在一些示例性实施例中，第一沉积模块1808和第二沉积模块1812可以是单一模块。在一些示例性实施例中，设备1800包括蚀刻模块1816，其配置成蚀刻未被蚀刻掩膜保护的未图案化装置层中的材料；以及剥离模块1818，其配置成在蚀刻基板上的未图案化装置层的材料后从基板去除蚀刻掩膜。图19示出根据本公开的另一实施例的示例性工作流程1900。在1902处，将包括第一反应性组分的底漆层施加到未图案化装置层上，诸如金属性表面，例如铜箔。该底漆层可以是抗腐蚀层，诸如与上述实施例相关的抗腐蚀层629、729、829、929、1129、1229、或1329。在1904处，通过将包括第二组合物的液体抗蚀刻墨图像式印刷到底漆层上来制备双组分抗蚀刻掩膜，该第二组合物包括第二反应性组分。由抗蚀刻墨的相互作用所得到的双组分材料可包括例如结合上述实施例描述的蚀刻掩膜，诸如628、728、828、或928。第二组合物可包括能够与第一反应性组分经历化学反应的第二反应性组分。在各种实施例中，抗蚀刻墨可以通过喷墨喷嘴递送的液滴形式施加到表面上，并且在与底漆表面接触时，这样的液滴可在之后不久（例如以微秒数量级）停止移动或“冻结”到位，例如但不限于由于抗蚀刻墨与底漆层之间的相互作用触发的化学反应，使得墨液滴在底漆表面上的进一步移位或扩散大大减少或完全停止，如上以及在国际公开号wo2016/193978a2以及wo2016/025949a1中所述。在1906处，在蚀刻过程之前或期间，去除底漆层的未遮蔽部分（即，未被蚀刻掩膜覆盖的底漆层的部分）。在1908处，蚀刻金属性表面的未遮蔽部分以形成图案化装置层，诸如结合上述实施例讨论的图案化装置层630、730、830、930、1130、1230、或1330。在1910处，去除抗蚀刻掩膜以暴露图案化装置层。实例1-3进行以下比较实例以证明，与不使用抗腐蚀材料的常规过程相比，使用本公开实施例所得到的底切减少。在以下详述的实例2和3中，首先使用epsonstylus4900喷墨印刷机将聚亚胺基试剂组合物施加在具有½oz（17μm）铜厚度的fr4覆铜板的顶部。然后，在聚亚胺层顶部施加抗蚀刻掩膜。使用作为保湿剂的10%丙二醇和作为离子交换剂的1%（w/w）2-胺基-2-甲基丙醇、作为表面活性剂的由byk供应的0.3%（w/w）byk348以及作为着色剂的2%（w/w）bayscriptbacyan来制备水性抗蚀刻组合物。抗蚀刻溶液还包括作为阴离子抗蚀刻的24%joncryl8085苯乙烯丙烯酸树脂溶液。在下面的描述中，%（w/w）是依据相对于组合物重量的重量百分比的物质浓度的度量。印刷样品在80℃下干燥。使用含有酸性蚀刻溶液的蚀刻剂池将来自未受保护暴露区域的铜蚀刻掉。通过在25℃的温度下将经蚀刻的板浸入1%（w/w）的naoh水溶液中，然后用水洗涤fr4铜板并在25℃下用空气干燥其，剥离该抗蚀刻掩膜。在实例1中，在不施加下面的试剂层的情况下制备另一样品。实例1：使用epsonstylus4900喷墨印刷机将抗蚀刻图案印刷在½oz（17μm）铜厚度的未涂覆铜fr4板的顶部。参考图20，其示出根据实例1制造的铜迹线样品的横截面的显微照片。使用作为保湿剂的10%丙二醇和作为离子交换剂的1%（w/w）2-胺基-2-甲基丙醇、作为表面活性剂的由byk供应的0.3%（w/w）byk348以及作为着色剂的2%（w/w）bayscriptbacyan来制备水性抗蚀刻组合物。抗蚀刻溶液还包括作为阴离子抗蚀刻反应性组分的24%joncryl8085苯乙烯丙烯酸树脂溶液。如上所述的那样进行抗蚀刻的干燥、蚀刻和去除。如从图20中可看出，铜侧壁的斜率相对较高。测量所形成的导电特征的相关尺寸，且计算出蚀刻因子为1.5。实例2：将抗蚀刻图案印刷在涂覆有聚亚胺基涂层的铜fr4板的顶部。将聚亚胺水溶液制备成由basf供应的10%（w/w）lupasolg100（具有5000分子量的聚乙烯亚胺）水溶液、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇以及含0.3%（w/w）由evonikindustries供应的tego500的混合物。使用epsonstylus4900喷墨印刷机施加该聚亚胺溶液。将聚亚胺基涂层在室温下放置干燥，得到完全透明的均匀涂层，其具有0.075μm的干燥厚度，覆盖该板的整个表面而没有晶体形成。使用上面详述的过程和材料将抗蚀刻组合物印刷在经涂覆的铜板上。测量所形成的导电特征的相关尺寸，且计算出蚀刻因子为2.5。实例3：将抗蚀刻图案印刷在涂覆有聚亚胺基涂层的铜fr4板的顶部。参考图21，其示出根据本公开的实施例、根据实例3制造的铜迹线（铜迹线样品）的横截面的显微照片。使用epsonstylus4900喷墨印刷机将聚亚胺基涂层涂覆到fr4板的顶部。将聚亚胺溶液制备成由basf供应的10%（w/w）lupasolhf（具有25,000分子量的聚乙烯亚胺）、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇以及含0.3%（w/w）由evonikindustries供应的tego500的水溶液混合物。将经涂覆板在室温下放置干燥，得到完全透明的均匀涂层，其具有0.075μm的厚度的干燥层，覆盖整个表面而没有晶体形成。如实例1中详述的那样制备抗蚀刻组合物。如关于实例1所述的那样进行未遮蔽铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。如图21所示，铜迹线的侧壁的斜率远小于如图20中所示的在没有底切消除层的情况下制备的样品。测量所形成的导电特征的相关尺寸，且测量并发现蚀刻因子为7.5。下表1总结了三个实例的结果的一些特征。表1实例底切防止剂mww2-w1x高度-h蚀刻因子1无-2010151.52lupasolg1005000126152.53lupasolhf25,00042157.5进行以下比较实例以证明使用底漆层和喷墨印刷的抗蚀刻墨形成蚀刻掩膜的改进，其中在与底漆层接触时，底漆层的组分和抗蚀刻墨之间发生一种或多种反应，从而形成双组分蚀刻掩膜材料，且抗蚀刻墨的液滴快速（例如，微秒数量级）停止移动或冻结，且这样的液滴的随后扩散和/或移位大大减少。实例4-12使用epsonstylus4900喷墨印刷机将示例性抗蚀刻组合物（在此描述为第二组合物）印刷在具有1/2oz、1/3oz以及1oz厚度的fr4覆铜板上。在一些情况下，首先使用epsonstylus4900喷墨印刷机以固定化组合物（在此描述为第一组合物）涂覆铜，从而形成固定化层，于其上根据预定图案选择性地印刷抗蚀刻组合物。在下面的描述中，%（w/w）是依据相对于组合物重量的重量百分比的物质浓度的度量。使用含有由amza[pernix166]供应的强42°波美（baume）的氯化铁蚀刻剂溶液的蚀刻剂池将来自未受抗蚀刻保护-暴露区域的铜蚀刻掉。蚀刻在由walterlemmengmbh供应的spraydevelopers31中、在35℃的温度下进行3分钟。通过在25℃的温度下将经蚀刻的板浸入1%（w/w）的naoh水溶液中，然后用水洗涤fr4铜板并在25℃下通过空气干燥，剥离该抗蚀刻掩膜。在一些实验中，还使用包括高级和超高级蚀刻单元的工业蚀刻单元（由universal或shmidth制造）蚀刻铜板，其含有用于蚀刻未经保护的铜的氯化铜溶液。实例4：将抗蚀刻组合物印刷在未经涂覆的铜fr4板的顶部（比较数据）。以10%丙二醇和1%（w/w）2-胺基-2-甲基丙醇、由byk供应的0.3%（w/w）byk348以及2%（w/w）bayscriptbacyan来制备抗蚀刻组合物（第二组合物）。这些材料溶解在含有作为阴离子反应性组分的24%joncryl8085苯乙烯丙烯酸树脂溶液的水中。使用epsonstylus4900喷墨印刷机将抗蚀刻组合物印刷在具有½oz厚度的fr4覆铜板上以产生抗蚀刻掩膜。干燥抗蚀刻厚度为5微米。视觉上检查蚀刻掩膜，且所印刷的图案展现非常差的印刷质量，边缘分辨率极差、迹线断裂、且迹线间严重短路。实例5：如实例4中详述的那样制备抗蚀刻组合物。将底漆或固定化组合物制备成由basf供应的10%（w/w）lupasolpr8515（作为阳离子反应性组分的聚乙烯亚胺）、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇以及含0.3%（w/w）的由evonikindustries供应的tego500（消泡基板润湿添加剂）的水溶液混合物。使用epsonstylus4900喷墨印刷机涂覆fr4铜板。将经涂覆板在室温下放置干燥，得到完全透明的均匀涂层，其具有0.3μ的厚度的干燥层，覆盖整个表面而没有任何晶体形成。使用epsonstylus4900喷墨印刷机将抗蚀刻组合物印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。视觉上检查蚀刻掩膜，以显示比实例4更好的印刷质量，但仍然有变宽的迹线和迹线间短路的相对较差的印刷质量。如在实例4中详述的那样进行未遮蔽铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。在蚀刻过程之后产生的布线图案具有和抗蚀刻掩膜的一样的图像，有相同的变宽的迹线和迹线间短路。应该注意的是，对于某些应用，实例5所展现的印刷质量可能是足够的。实例6-如实例4中详述的那样制备抗蚀刻组合物。如实例5中详述的那样制备固定化组合物，除了用含有13%（w/w）浓hcl的0.3%（w/w）tego500代替0.3%（w/w）tego500之外。如实例5中详述的那样，使用epsonstylus4900喷墨印刷机以固定化组合物涂覆fr4铜板，且如实例5中详述的那样，在干燥之后形成涂层。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其带有具有低至2毫米的厚度、清晰边缘且无迹线断裂的明确界定的细迹线。如在实例4中详述的那样进行未遮蔽铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。通过蚀刻和剥离过程产生的布线图案展现出明确界定的图案，其带有具有低至15微米的宽度、边缘清晰且没有迹线断裂的细迹线。实例7-双组分反应，将抗蚀刻组合物印刷在涂覆有含有盐酸（hcl）的反应性阳离子组合物的铜表面上。如实例4中详述的那样制备抗蚀刻组合物。将固定化组合物制备为10%（w/w）stylezew-20（由isp作为20%聚合物水溶液供应）、0.1%byk348、以及13%（w/w）浓hcl的水溶液混合物。使用mayer棒以固定化组合物覆盖f4f铜板以产生具有0.4μ厚度的干燥层。将经涂覆板放置干燥，得到在整个铜表面上完全透明的涂层，没有晶体形成。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其带有具有清晰边缘且无迹线断裂的明确界定且低至2毫米的细迹线。未被抗蚀刻组合物覆盖的固定化层的残留物通过在25℃的温度下将该板在水中浸泡2分钟来洗涤并在80℃下干燥。如在实例4中详述的那样进行暴露铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。该板上的布线图案展现出明确界定的细迹线，其带有低至2mil的宽度、含有清晰边缘且没有迹线断裂。实例8-双组分反应，将抗蚀刻组合物印刷在涂覆有含有盐酸（hcl）的反应性阳离子组合物的铜表面上。如实例4中详述的那样制备抗蚀刻组合物。将固定化组合物制备成10%（w/w）lupasolhf（由basf作为56%聚合物水溶液供应）、0.1%的byk348、含13%（w/w）浓hcl的水溶液混合物。使用mayer棒以固定化组合物覆盖fr4铜板以产生具有1μ厚度的干燥层。将经涂覆板放置干燥，得到在整个铜表面上完全透明的涂层，没有晶体形成。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其具有含清晰边缘且没有迹线断裂的明确界定且低至2mil的细迹线。未被抗蚀刻组合物覆盖的固定化层的残留物通过在25℃的温度下将该板在水中浸泡3分钟来洗涤并在80℃下干燥。如在实例4中详述的那样进行暴露铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。该板上的布线图案展现出明确界定的细迹线，其带有低至2mil的宽度、含有清晰边缘且没有迹线断裂。实例9-双组分反应：将抗蚀刻组合物印刷在涂覆有含有盐酸（hcl）的反应性阳离子组合物的铜表面上。如实例5中详述的那样制备抗蚀刻组合物。将固定化组合物制备成10%（w/w）lupasolpn50（由basf作为49%聚合物水溶液供应）、0.1%的byk348、含13%（w/w）浓缩hcl的水溶液混合物。使用mayer棒以固定化组合物覆盖fr4铜板以产生具有1μ厚度的干燥层。将经涂覆板放置干燥，得到在整个铜表面上完全透明的涂层，没有晶体形成。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其具有含清晰边缘且无迹线断裂的明确界定和低至2毫米的细迹线。如实例8中详述的那样洗涤固定化层的残留物。如在实例1中详述的那样进行暴露铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。该板上的布线图案展现出明确界定的细迹线，其具有低至2mil的宽度、含有清晰边缘且没有迹线断裂。实例10-双组分反应，将抗蚀刻组合物印刷在涂覆有含有柠檬酸的反应性组合物的铜表面上。如实例4中详述的那样制备抗蚀刻组合物。将固定化组合物制备成10%（w/w）柠檬酸、25%（w/w）丙二醇的水溶液混合物，其含有0.3%（w/w）由evonikindustries供应的tego500（消泡基板润湿添加剂）。使用epsonstylus4900喷墨印刷机以该固定化组合物涂覆fr4铜板。将经涂覆板在室温下放置干燥，得到完全透明的均匀涂层，其具有0.3μ厚度的干燥层，覆盖整个表面而没有晶体形成。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其具有含清晰边缘且没有迹线断裂的明确界定且低至2mil的细迹线。如在实例4中详述的那样进行暴露铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。该板上的布线图案展现出明确界定的细迹线，其具有低至2mil的宽度、含有清晰边缘且没有迹线断裂。实例11-双组分反应，如实例4中详述的那样制备含有抗蚀刻组合物的涂覆组合物。将固定化组合物制备成2.5%（w/w）zn（no3）2、3.75%（w/w）醋酸钙、0.2%（w/w）capstone51、5%（w/w）正丙醇和5%（w/w）lupasolfg（由basf供应）的水溶液混合物。使用mayer棒以固定化组合物覆盖fr4铜板以产生具有0.5μ厚度的干燥层。将经涂覆板放置干燥，得到在整个铜表面上完全透明的涂层，没有晶体形成。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其具有含清晰边缘且没有迹线断裂的明确界定且低至2mil的细迹线。如在实例4中详述的那样进行暴露铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。该板上的布线图案展现出明确界定的细迹线，其具有低至2mil的宽度、含有清晰边缘且没有迹线断裂。实例12-将抗蚀刻组合物制备成8%（w/w）pva、24%joncryl8085苯乙烯丙烯酸树脂溶液（作为42%聚合物水溶液供应）和1.5%的2-胺基2-甲基丙醇的水溶液混合物。如下制备固定化组合物：2%（w/w）的basacidred495、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇、0.3%（w/w）teg0500、10%（w/w）的lupasolg20（由basf供应）（含有12%（w/w）浓缩hcl）。使用mayer棒以抗蚀刻组合物覆盖fr4铜板以产生具有2.4μ厚度的干燥层。将经涂覆板放置干燥，得到在整个铜表面上完全透明的涂层，没有晶体形成。将固定化组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。与实例5相似，将抗蚀刻组合物喷墨印刷在经涂覆铜板上并在80℃下干燥以产生双组分抗蚀刻掩膜。抗蚀刻图案展现出高印刷质量，其具有含清晰边缘且没有迹线断裂的明确界定且低至2mil的细迹线。未被抗蚀刻墨覆盖的涂层的残留物通过在25℃的温度下将该板在1%（w/w）nahco3的水溶液中浸泡30秒来洗涤并在80℃下干燥。如在实例4中详述的那样进行暴露铜的蚀刻和抗蚀刻掩膜的去除。该板上的布线图案展现出明确界定的细迹线，其具有低至2mil的宽度、含有清晰边缘且没有迹线断裂。阳离子组合物（固定化反应性组分）阳离子反应性组分（固定化反应性组分）的非限制性实例可包括聚酰胺（例如聚乙烯亚胺）、二价金属盐、有机或无机酸两者、乙烯吡咯烷酮的杂聚物、二甲基胺基丙基甲基丙烯酰胺；甲基丙烯酰胺丙基月桂基二甲基氯化铵、聚四级胺和多胺（天然形式或作为铵盐）。经干燥固定化层的厚度可薄至约0.01微米。干燥层的典型期望厚度可在0.025和5微米之间变化。阳离子组合物（第一组合物）可包括调整为适合施加方法和干燥层的期望宽度的附加组分。该组合物可具有适于在环境温度下喷涂或喷墨印刷的粘度，例如分别小于60厘泊或在3-20cp（厘泊）之间的粘度。在应用不同的涂覆方法的情况下，该组合物可能具有较高的粘度。在一些实施例中，可将酸性溶液添加到第一溶液中以增加第一层对铜层320的反应性以及其对抗蚀刻或固定化层的反应性。在一些实施例中，在铜蚀刻过程之前，第一层可例如通过水进一步显影。在一些实施例中，可在施加第二层之前干燥所施加的第一层。这样干燥的层可主要含有第一反应性材料。第一层可使用任何已知的干燥方法进行干燥。表1中列出了第一反应性组分（例如，固定化组分）和第一组合物（例如固定化组合物、阳离子组合物）的一些非限制性实例。表1：固定化组合物反应性组分化学基团110%（w/w）聚乙烯亚胺、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇、含有0.3%（w/w）表面活性剂的水溶液聚乙烯亚胺，10%（w/w），分子量(mw)500-5000210%（w/w）聚乙烯亚胺、丙二醇、10%正丙醇、含有0.3%（w/w）表面活性剂的水溶液聚乙烯亚胺,10%(w/w)，mw6000-20000003l0%（w/w）vp杂聚物、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇、含有0.3%（w/w）表面活性剂的水溶液乙烯吡咯烷酮的杂聚物、甲基丙烯酰胺丙基二甲基胺及甲基丙烯酰氨基丙基月桂基二甲基氯化铵410%（w/w）聚季铵、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇、含有0.3%（w/w）表面活性剂的水溶液聚季铵53%（w/w）聚乙烯亚胺、5%金属盐、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇、含有0.3%（w/w）表面活性剂的水溶液聚乙烯亚胺(mw500-5000)，含二价金属盐(例如ca,zn,mg等)63%（w/w）聚乙烯亚胺、5%金属盐、10%（w/w）丙二醇、10%正丙醇、含有0.3%（w/w）表面活性剂的水溶液聚乙烯亚胺(mw600-2000000，含二价金属盐(例如ca,zn,mg等)阴离子组合物（抗蚀刻聚合性组分）在一些实施例中，第二反应性组分（例如，聚合性组分）可以是抗蚀刻组分（抗金属性蚀刻溶液）。第二反应性组分可包括聚阴离子活性基团，诸如：丙烯酸酯、苯乙烯丙烯酸酯；磷酸酯和磺酸酯。由于第一反应性材料（其包括聚阳离子）和第二反应性材料（其包括聚阴离子）之间的化学反应，施加在第一（例如，固定化）层顶部的抗蚀刻墨液滴可停止移动且固定化到铜表面。由于固定化非常迅速（在微秒范围内），所以所印刷的图案尺寸与所需图案的尺寸相似。通过第一反应性材料和第二反应性材料（二者都可溶于水）的反应形成的化合物应该不可溶于铜蚀刻溶液。第二组合物可具有适于在喷射温度下喷墨印刷的小于60cp（例如3-20cp）的粘度。在应用不同的涂覆方法的情况下，该组合物可能具有较高的粘度。在一些实施例中，第二组合物可包括不超过20%（w/w）的反应性组分以维持所需粘度。在一些实施例中，当溶解于组合物中时，聚阴离子反应性组分（抗蚀刻聚合物）可具有最大值5000的摩尔重量（例如，聚合物可具有相对短的链）。在一些实施例中，抗蚀刻聚合物可具有更高的摩尔重量，从而得到呈聚合物乳液或分散体形式的组合物。第二反应性组分可具有高酸值，例如，每克聚合物具有超过100个反应性阴离子基团。例如，根据本发明实施例的抗蚀刻聚合物在每个链中可具有超过200、240、300或更多的反应性阴离子基团。表2中列出了第二反应性组分（抗蚀刻组分）和第二组合物（抗蚀刻组合物、阴离子组合物）的一些非限制性实例。表2：no.抗蚀刻组合物第二反应性组分12%(w/w)的青染料（cyandye）、10%的丙二醇、1%(w/w)的2-氨基-2-甲基丙醇以及0.3%(w/w)的表面活性剂溶解在含24%苯乙烯丙烯酸树脂的水溶液中。丙烯酸酯mw800-17,000　　　　　　　　　　　　　　　　　　酸值130-240，以溶液或乳液的形式22%(w/w)的青染料、10%的丙二醇、1%(w/w)的2-氨基-2-甲基丙醇以及0.3%(w/w)的表面活性剂溶解在含24%磷酸酯树脂的水溶液中。有机磷酸酯mw800-17,000，　　　　　　　　　　　　　　　　酸值130-240，以溶液或乳液的形式32%(w/w)的青染料、10%的丙二醇、1%(w/w)的2-氨基-2-甲基丙醇以及0.3%(w/w)的表面活性剂溶解在含24%磺酸盐树脂的水溶液中。有机磺酸盐mw800-17,000，　　　　　　　　　　　　　　　　酸值130-240，以溶液或乳液的形式说明示例性实施例的该描述和附图不应被认为限制性的。在不脱离本说明书和权利要求的范围的情况下，可以进行各种机械、组成、结构和操作的变化，包括等同物。在一些情况下，众所周知的结构和技术未被详细示出或描述，以免混淆本公开。在两个或更多图中的相同附图标记表示相同或相似的元件。此外，参考一个实施例详细描述的元件以及其相关特征可在任何可行情况下被包括在未特别示出或描述的其它实施例中。例如，如果元件参考一个实施例详细描述且未参考第二实施例描述，尽管如此仍可主张该元件被包括在第二实施例中。出于本说明书和所附权利要求的目的，除非另外声明，否则在说明书和权利要求中使用的表达数量、百分比或比例的所有数字以及其它数值应理解为在所有情况下被用语“约”修饰（如果它们还没被如此修饰）。因此，除非有相反声明，否则在以下的说明书和所附权利要求中提出的数值参数是近似值，其可以根据试图获得的期望性质而变化。至少，且非试图限制等同原理对权利要求范围的应用，每个数值参数至少应该根据所公布的有效位数的数字和通过应用普通四舍五入技术来解释。应注意，如在本说明书和所附权利要求中所使用的，单数形式“一（a/an）”和“该（the）”以及任何单词的任何单数使用都包括多个所指对象，除非清楚和明确地限制为一个所指对象。如在本文中所使用的那样，用语“包括”以及其语法上变形旨在是非限制性的，使得列表中的项目的记载并非排除可被替换或添加到所列项目的其它类似项目。此外，本说明书的用语不旨在限制本公开。例如，可以使用空间相对用语-诸如“在...之下（beneath）”、“在...下方（below）”、“下部”、“在…之上（above）”、“上部”、“靠近”等等来描述在图中图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所示的位置和取向之外，这些空间相对用语旨在涵盖在使用或操作中的装置的不同位置（即，定位）和取向（即，旋转设置）。例如，若图中的装置翻转，则被描述为在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件将在其它元件或特征“之上”或“上方”。因此，示例性用语“在...下方”可涵盖在…上方和在…下方的位置和取向两者。装置可以其它方式取向（旋转90度或处于其它取向）且相应地解释在本文中使用的空间相对用语。鉴于在本文中的本公开，进一步的修改和替代实施例对于本领域技术人员将是明显的。例如，为了操作的清楚起见，装置以及方法可包括从图中以及描述中省略的附加部件或步骤。因此，此描述仅被解释为说明性的，且是出于教导本领域技术人员实施本教导的一般方式的目的。应该理解的是，在本文中示出和描述的各种实施例将被认为是示例性的。元件和材料以及这些元件和材料的设置可被在本文中所说明和描述的那些取代，工作流程和过程中的部分以及步骤可以是可选的顺序，且本教导的某些特征可独立地利用，对于本领域技术人员而言在得益于在本文中的描述后全部是明显的。在不脱离本教导和所附权利要求的精神和范围的情况下，可以对在本文中所描述的元件进行改变。虽然在本文中的各种示例性实施例描述了pcb的制造，但是本领域技术人员应理解，使用类似的蚀刻和金属或导电迹线图案化技术制造的其它电气和光学装置或部件也涵盖在本公开和权利要求的范围内，且pcb是作为一个非限制性的示例性应用而讨论。根据在本文中的示例性实施例可制造的其它装置和部件包括但不限于微芯片、电子显示器、微芯片、太阳能电池、以及其它电子、光学、或其它装置和部件。应理解，在本文中阐述的特定实例和实施例是非限制性的，且可以在不脱离本教导的范围的情况下对结构、尺寸、材料和方法进行修改。通过考虑本公开的说明书和实施，根据本公开的其它实施例对于本领域技术人员而言将是明显的。说明书和实例仅旨在被认为是示例性的，而所附权利要求在适用法律下享有其最全面的宽度，包括等同物。当前第1页12