仿陶瓷壳体及其制作方法、电子设备与流程

文档序号:15504298发布日期:2018-09-21 22:58阅读:159来源:国知局

本发明涉及电子设备壳体技术领域,特别是涉及一种仿陶瓷壳体及其制作方法、电子设备。



背景技术:

随着生活质量的不断提升,人们在追求产品质量的同时对产品外观的要求也越来越高。手机作为日常生活中必不可少的电子产品同样也不例外。目前,具有陶瓷外观的手机电池盖因其高亮效果以及圆润玉泽质感而受到人们的热捧。

然而,本申请的发明人在长期的研发过程中发现,现有技术中通常采用陶瓷材质直接制作手机的电池盖,成型工艺复杂,良率低,成本高,加上产能受限,影响陶瓷外观手机的推广和使用。



技术实现要素:

本发明主要解决的技术问题是提供一种仿陶瓷壳体及其制作方法、电子设备,能够在不使用陶瓷材料的情况下制作具有陶瓷外观效果的仿陶瓷壳体,且成本低、工艺简单。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种仿陶瓷壳体的制作方法,所述制作方法包括:提供壳体基体,其中,所述壳体基体包括内表面和外表面;在所述壳体基体的内表面和/或外表面形成陶瓷镀膜;对形成所述陶瓷镀膜的所述壳体基体进行处理,以在所述壳体基体的所述内表面一侧形成内衬膜,以通过所述内衬膜将所述陶瓷镀膜在所述壳体基体所述外表面显露出来。

其中,所述在所述壳体基体的一表面形成陶瓷镀膜,包括:采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在所述壳体基体的所述外表面形成所述陶瓷镀膜;所述对形成所述陶瓷镀膜的所述壳体基体进行处理,以在所述壳体基体的内表面一侧形成内衬膜,包括:在所述壳体基体的内表面丝印油墨,以在所述壳体基体的所述内表面一侧形成所述内衬膜;所述制作方法进一步包括:采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在所述陶瓷镀膜上依次形成类金刚石膜及防指纹膜。

具体地,所述陶瓷镀膜的材料为钛、硅氧化物中的至少一种;所述dlc膜材料为钛、硅的碳氮化合物中的至少一种;所述陶瓷镀膜、所述类金刚石膜及所述防指纹膜的总厚度为350~450nm。

其中,所述在所述壳体基体的一表面形成陶瓷镀膜,包括:采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在所述壳体基体的所述内表面形成所述陶瓷镀膜;所述对形成所述陶瓷镀膜的所述壳体基体进行处理,以在所述壳体基体的内表面一侧形成内衬膜,包括:在所述陶瓷镀膜上丝印油墨,以在所述壳体基体的所述内表面一侧形成所述内衬膜;所述制作方法进一步包括:采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在所述陶瓷镀膜的外表面形成防指纹膜。

具体地,所述陶瓷镀膜的材料为钛、硅氧化物中的至少一种;所述陶瓷镀膜的厚度为40~80nm。

其中,所述提供壳体基体,包括:提供壳体基材,并对所述壳体基材依次进行开料、打磨、成型处理,以形成所述壳体的外形;采用超声波清洗所述壳体基材,并进一步采用烘干设备进行烘干处理;采用羊绒轮并辅助研磨粉或泡沫液,对所述烘干处理后的所述壳体基材进行抛光处理;在所述抛光处理后,对所述壳体基材进行强化处理,以在所述壳体基材表面形成强化层,进而得到所述壳体基体。

具体地,所述壳体基体的材质为玻璃;所述在所述抛光处理后,对所述壳体基材进行强化处理,以在所述壳体基材表面形成强化层,进而得到所述壳体基体,包括:在所述抛光处理后,对所述壳体基材以预设加热速度加热至预设温度;将加热处理后的所述壳体基材浸渍在温度为400~450℃的硝酸钾溶液及催化剂的混合溶液中反应3~4h;反应结束后,以预设冷却速度冷却至室温,以在所述基材表面形成所述强化层,进而得到所述壳体基体。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种仿陶瓷壳体,所述仿陶瓷壳体包括:壳体基体、陶瓷薄膜及内衬膜;其中,所述壳体基体包括内表面和外表面,所述陶瓷薄膜设置在所述壳体基体的一表面上,所述内衬膜设置在所述壳体基体的所述内表面一侧,以通过所述内衬膜将所述陶瓷镀膜在所述壳体基体外表面显露出来。

其中,所述仿陶瓷壳体为电子设备的电池盖。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括上述电池盖。

本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明仿陶瓷壳体的制作方法中,在壳体基体的内表面和/或外表面形成陶瓷镀膜,并在形成陶瓷镀膜后,再在壳体基体的内表面一侧形成内衬膜,从而使得壳体显现处陶瓷效果的外观,从而能够在不使用陶瓷材料的情况下制作具有陶瓷外观效果的仿陶瓷壳体,且成本低、工艺简单。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:

图1是本发明仿陶瓷壳体的制作方法一实施方式的流程示意图;

图2是图1中步骤s11的流程示意图;

图3是图2中步骤s114的流程示意图;

图4是本发明仿陶瓷壳体的制作方法另一实施方式的流程示意图;

图5是本发明仿陶瓷壳体的制作方法又一实施方式的流程示意图;

图6是本发明仿陶瓷壳体一实施方式的结构示意图;

图7是本发明仿陶瓷壳体又一实施方式的结构示意图;

图8是本发明电子设备一实施方式的框架示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

参阅图1,图1是本发明仿陶瓷壳体的制作方法一实施方式的流程示意图。其中,该方法包括:

步骤s11:提供壳体基体;

其中,壳体基体即已经成型但尚未具有陶瓷外观效果的的电子设备的壳体,包括内表面和外表面。本实施方式中的仿陶瓷壳体可以是电子设备的壳体,如电子设备的电池盖等。

具体地,请参阅图2,在一个应用场景中,步骤s11包括:

步骤s111:提供壳体基材,并对壳体基材依次进行开料、打磨、成型处理,以形成壳体的外形;

本实施方式中,壳体基材是玻璃,当然在其它的实施方式中,还可以是如透明塑料等其它材质,此处不做具体限定。

具体地,在对壳体基材进行开料时,可将玻璃片材放置在开料机台面,粗砂轮刀开外形,开出对应于电子设备的摄像头孔等,同时单边留0.1mm余量。

开料后,对边缘进行打磨处理,并对外形及摄像头孔位等进行精加工,以形成较为精细的壳体外形。另外,若需3d曲面效果,可采用3d玻璃曲面热弯工艺实现3d曲面效果。

步骤s112:采用超声波清洗壳体基材,并进一步采用烘干设备进行烘干处理;

容易理解地,在对壳体基材进行开料、打磨、成型后会在壳体基材的表面残留有废渣,本实施方式中,可采用超声波对壳体基材进行清洗,具体可以采用清水、去离子水或酒精进行清洗。

在清洗结束后,可进一步放入烘干设备如烘箱当中进行烘干处理。

步骤s113:采用羊绒轮并辅助研磨粉或泡沫液,对烘干处理后的壳体基材进行抛光处理;

在清洗干净并烘干之后,可采用羊绒轮,对玻璃壳体的表面进行精抛光,以形成高亮的细腻的表面。在抛光时,可根据实际需求调整上下抛光轮转速,以及控制对壳体的压力以及抛光时间,此处不做具体限定。

步骤s114:在抛光处理后,对壳体基材进行强化处理,以在壳体基材表面形成强化层,进而得到壳体基体。

本实施方式中,在抛光处理后,进一步对壳体基材进行强化处理,以提高壳体硬度。

例如,可采用纯度较高的硝酸钾溶液与相应的催化剂的混合液对玻璃壳体进行化学硬化处理。

具体地,请参阅图3,在一个应用场景中,步骤s114还包括:

步骤s1141:在抛光处理后,对壳体基材以预设加热速度加热至预设温度;

其中,本实施方式中可以利用热处理炉将壳体基材在密闭的环境中进行加热,需要指出的是,可以利用热处理炉的设置功能,设置升温速度,如3~8℃/min,对壳体进行缓慢加热处理。本实施方式中,可以将壳体基材加热300℃左右,或者直接加热至400~450℃的附近温度。

步骤s1142:将加热处理后的壳体基材浸渍在温度为400~450℃的硝酸钾溶液及催化剂的混合溶液中反应3~4h;

其中,可事先将混合溶液加热至400~450℃,在壳体基材加热到预设温度后可直接取出,并浸渍在该混合溶液中,使得玻璃结构表面的钾离子和钠离子进行离子交换而形成强化层。

步骤s1143:反应结束后,以预设冷却速度冷却至室温,以在基材表面形成强化层,进而得到壳体基体。

需要指出的是,在对壳体进行冷却时,也可放在热处理炉当中,设置冷却速度,以对壳体进行缓慢冷却,以使得壳体不会因为快速冷却而发生脆裂。

本实施方式中,可控制整个强化过程的时间为4~5h,在强化处理结束后,可使得壳体表面硬度达7h左右的的铅笔硬度,当然,也可根据需求获得其它硬度值的表面硬度,此处不做限定。

步骤s12:在壳体基体的内表面和/或外表面形成陶瓷镀膜;

步骤s13:对形成陶瓷镀膜的壳体基体进行处理,以在壳体基体的内表面一侧形成内衬膜,以通过内衬膜将陶瓷镀膜在壳体基体外表面显露出来。

本实施方式中,可以在壳体基体的内表面,或者外表面,或者同时在内表面和外表面形成陶瓷镀膜。

具体地,陶瓷镀膜的材料为,例如可以硅的氧化物、钛的氧化物,或者还可以是钛-硅-钛的膜系结构,具体是指依次形成的氧化钛膜、氧化硅膜、氧化钛膜三层膜结构;可采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机形成陶瓷镀膜。

在一个应用场景中,采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在壳体基体的外表面形成陶瓷镀膜。

此时,在壳体基体的内表面丝印油墨,以在壳体基体的内表面一侧形成内衬膜。本实施方式中,可以丝印不同颜色的油墨,如白色、黑色等,以满足用户的不同需求。

丝印油墨以形成内衬膜能够防透光,进而能够起到衬托陶瓷镀膜,以形成更加真实的陶瓷外观效果。

另外,在壳体的内表面一侧形成内衬膜,能够进一步保护可以的内表面,以减少壳体与电子设备内部部件发生摩擦损伤。

另外,在本应用场景中,请进一步参阅图4,仿陶瓷壳体的制作方法进一步包括:

步骤s14:采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在陶瓷镀膜上依次形成类金刚石膜及防指纹膜。

其中,类金刚石(diamond-likecarbon,dlc)膜具有比较高的硬度、高导热性、高绝缘性、良好的化学稳定性、从红外到紫外的高光学透过率和良好的减摩特性等,能够对壳体起到良好的保护作用。

防指纹(af)膜为高密合性含氟镀层,拒水拒油,能够减少污渍、指纹的附着,且能够轻易擦除,同时能够提高所制得的壳体的耐磨性,不易刮花。

本应用场景中,陶瓷镀膜、类金刚石膜及防指纹膜的总厚度可为350~450nm,例如可以为350nm、360nm、370nm、380nm、390nm、400nm,410nm,420nm,430nm,440nm,450nm等。

需要指出的是,本应用场景中,将陶瓷镀膜设置在壳体的外表面,能够使得最终形成的陶瓷效果更佳高亮、逼真。

在另一个应用场景中,采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在壳体基体的内表面形成陶瓷镀膜。其中,陶瓷镀膜的厚度可以为40~80nm,具体如40nm、50nm、60nm、70nm、80nm等。

此时,在陶瓷镀膜上丝印油墨,以在壳体基体的内表面一侧形成内衬膜。

本应用场景中,由于陶瓷镀膜位于壳体的内表面,形成陶瓷镀膜后,再进一步在陶瓷镀膜上形成内衬膜即可。其中,本应用场景中内衬膜的形成方式以及作用与前一应用场景中的相同,相关详细内容请参见上述应用场景,此处不再赘述。

另外,在本应用场景中,请进一步参阅图5,仿陶瓷壳体的制作方法进一步包括:

步骤s15:采用真空蒸镀或磁控溅镀镀膜机在陶瓷镀膜的外表面形成防指纹膜。

本应用场景中的防指纹膜与前一应用场景中的类似,此处不再赘述。

需要指出的是,本应用场景中,由于陶瓷镀膜设置在壳体的内部,而无需再在壳体的外部专门设置对陶瓷镀膜的保护膜,因此,省去了前一应用场景中的dlc膜,从而能够在保持壳体具有陶瓷外观效果的同时,降低壳体的总厚度,又利于电子产品及壳体的轻薄化。

另外,上述方式中,在壳体基体的内表面和/或外表面形成陶瓷镀膜,并在形成陶瓷镀膜后,再在壳体基体的内表面一侧形成内衬膜,从而使得壳体显现处陶瓷效果的外观,从而能够在不使用陶瓷材料的情况下制作具有陶瓷外观效果的仿陶瓷壳体,且成本低、工艺简单。

请参阅图6,图6是本发明仿陶瓷壳体一实施方式的结构示意图。本实施方式中,仿陶瓷壳体可以是电子设备的壳体,具体地,仿陶瓷壳体可以为电子设备的电池盖。

具体地,该仿陶瓷壳体包括:壳体基体11、陶瓷薄膜12、内衬膜13、dlc膜14及af膜15;

其中,壳体基体11包括内表面111和外表面112,陶瓷薄膜12、dlc膜14及af膜15依次设置在壳体基体11的外表面112上,内衬膜13设置在壳体基体的内表面111上,以通过内衬膜将陶瓷镀膜在壳体基体外表面显露出来。

需要指出的是,本实施方式中,dlc膜14及af膜15并不是必须的。且壳体基体11、陶瓷薄膜12、内衬膜13、dlc膜14及af膜15的相关信息与上述本发明仿陶瓷壳体的制作方法中的相同,相关详细内容请参见上述实施方式,此处不再赘述。

另外,本应用场景中,将陶瓷镀膜设置在壳体的外表面,能够使得最终形成的陶瓷效果更佳高亮、逼真。

请参阅图7,图7是本发明仿陶瓷壳体另一实施方式的结构示意图。本实施方式中,仿陶瓷壳体可以是电子设备的壳体,具体地,仿陶瓷壳体可以为电子设备的电池盖。

具体地,该仿陶瓷壳体包括:壳体基体21、陶瓷薄膜22、内衬膜23及af膜24;

其中,壳体基体21包括内表面211和外表面212,陶瓷薄膜22、内衬膜23依次设置在壳体基体21的内表面211上,af膜25设置在壳体基体的外表面212上,以通过内衬膜将陶瓷镀膜在壳体基体外表面显露出来。

需要指出的是,本实施方式中,af膜24并不是必须的。且壳体基体21、陶瓷薄膜22、内衬膜23及af膜24的相关信息与上述本发明仿陶瓷壳体的制作方法中的相同,相关详细内容请参见上述实施方式,此处不再赘述。

需要指出的是,本应用场景中,由于陶瓷镀膜设置在壳体的内部,而无需再在壳体的外部专门设置对陶瓷镀膜的保护膜,因此,省去了前一实施方式中的dlc膜,从而能够在保持壳体具有陶瓷外观效果的同时,降低壳体的总厚度,又利于电子产品及壳体的轻薄化。

请参阅图8,图8是本发明电子设备一实施方式的框架示意图。其中,该电子设备30包括上述本发明仿陶瓷壳体实施方式中的电池盖31。其中,本实施方式中电子设备30可以为手机、mp3、mp4、平板电脑等,此处不做限定。其中,电池盖31的具体结构以及制作方法与上述实施方式中的相同,此处不再赘述。

以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

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