一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料及其制备方法与流程

本发明属于散热材料技术领域，具体地说是一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料及其制备方法。

背景技术：

目前电子产品为了提高散热能力，具有强散热能力的石墨材料成为越来越多厂家的首选。合成石墨与纲米晶材料制备复合型散热材料，一般是在纳米晶上粘贴双面胶，然后将合成石墨粘贴在双面胶上，再通过滚压贴合，使纳米晶与合成石墨稳固贴合。此制备方式，便于加工，形成的复合材料也具有一定的散热性能。然而，由于双面胶的存在，而且双面胶具有一定的厚度，导致整个材料的厚度较大。对于朝向轻薄化趋势发展的电子产品，愈加轻薄的散热产品能够有利于将整个电子产品设计的更加轻薄化。另外，双面胶的耐热性较左，并且双面胶处于中间，一定程度上也会阻挡热量的传递，从而影响整体的散热性能。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料及其制备方法，具有较高的磁导率，在高频下具有较小的磁损，具有较高的导热性能。

为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：

一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料的制备方法，包括以下步骤：

将纳米晶原材料放至于真空环境中加热至熔融状态；

将熔融状态的纳米晶材料以甩带的作业方式，喷射到通过辊轴传送的合成石墨表面，合成石墨通过冷却区后形成非晶磁材与合成石墨的复合体；

将非晶磁材与合成石墨的复合体经过500-600℃的退火处理，使复合体的非晶部分晶化；

将复合体进行自然冷却，送入压机压合，得到纳米晶与合成石墨结合后的复合材料。

所述纳米晶材料放至在真空中频感应炉中加热处理，加热至1200-1400℃温度使纳米晶为熔融态，真空度≤10^-2pa。

3所述冷却区的温度保持在-90-110℃。

一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料，所述复合材料包括合成石墨和纳米晶，该纳米晶与合成石墨一体成型结构。

本发明在合成石墨上直接成型纳米晶，两者结合为一体，减少中间胶粘材料，具有较高的磁导率，在高频下具有较小的磁损，具有较高的导热性能，整体的厚度较小。

附图说明

附图1为本发明制备的复合材料的剖面示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

本发明揭示了一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料的制备方法，包括以下步骤：

s1，将纳米晶原材料放至于真空环境中加热至熔融状态，通常是放至于真空中频感应加热炉内加热，对于纳米晶原材料，加热到1300℃即可使其熔融，真空度≤10^-2pa。

将熔融状态的纳米晶材料以甩带的作业方式，喷射到通过辊轴传送的合成石墨表面，合成石墨通过冷却区后形成非晶磁材与合成石墨的复合体。将熔融纳米晶材料甩带到高速输送的合成石墨表面，然后快速通过冷却区，使得熔融纳米晶材料成型，该冷却区的温度保持在-90-110℃。

将非晶磁材与合成石墨的复合体经过500-600℃的退火处理，使复合体的非晶部分晶化。通过退火处理后，非晶磁材的非晶部分晶化。

将复合体进行自然冷却，送入压机压合，得到纳米晶与合成石墨结合后的复合材料。将复合体放置，由自然风冷却，或者可以吹风加快冷却过程，通过压机的压合后，使得纳米晶与合成石墨结合的更加稳固。

按照上述制备方法制备，直接在合成石墨表面成型纳米晶材料，保证结合力的同时，又去除了中间胶粘材料，使得导热时能够直接进行热量的传递，而且，两者的一体结构，保证了高导热性，而且利用甩带的方式由非晶磁材到晶化处理，最后冷却结合，保持了复合材料的高磁导率，在高频下具有较小的磁损率。

另外，如附图1所示，制备得到的复合材料，整体分为两层结构，分别为合成石墨1和纳米晶2，两者的中间没有胶粘材料，导热更加直接。而且由于没有中间胶粘材料，使得整体的厚度较小，能够用于更加轻薄化的电子产品中。

需要说明的是，以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
一种纳米晶与合成石墨无胶粘复合材料及其制备方法，包括以下步骤：将纳米晶原材料放至于真空环境中加热至熔融状态；将熔融状态的纳米晶材料以甩带的作业方式，喷射到通过辊轴传送的合成石墨表面，合成石墨通过冷却区后形成非晶磁材与合成石墨的复合体；将非晶磁材与合成石墨的复合体经过500‑600℃的退火处理，使复合体的非晶部分晶化；将复合体进行自然冷却，送入压机压合，得到纳米晶与合成石墨结合后的复合材料。本发明具有较高的磁导率，在高频下具有较小的磁损，具有较高的导热性能。

技术研发人员：任泽明;任泽永;余长勇
受保护的技术使用者：广东思泉新材料股份有限公司
技术研发日：2018.08.23
技术公布日：2019.01.22