一种三代渗碳钢材料氮化表面改性方法与流程

文档序号:16593158发布日期:2019-01-14 19:19阅读:421来源:国知局

本发明属于金属热处理技术领域,涉及一种三代渗碳钢材料氮化表面改性方法。



背景技术:

三代渗碳钢材料属于相变控制性沉淀硬化不锈钢超高合金钢,主要应用于航空航天等耐温轴齿及轴承类材料,其国产牌号对应为

15cr14co12mo4ni2vnb。该材料实际生产时,其工艺条件不成熟,特别是缺乏合适的氮化表面改性相关工艺参数。

由于三代渗碳钢材料中的合金含量超高,含有大量的强碳、氮化物形成元素,利用传统气体氮化工艺容易造成其氮化物以网状组织形式析出或呈波纹状,金相组织严重不合格,无法满足三代渗碳钢材料的氮化设计工艺要求。



技术实现要素:

本发明的目的是:提供一种渗层和金相组织均满足工艺要求的三代渗碳钢材料氮化表面改性方法。

本发明的技术解决方案为:一种三代渗碳钢氮化表面改性方法,氮化前淬火后,对材料进行冰冷、时效处理。

冰冷处理为-80~100℃保温3~5h,时效处理是580~620℃时效1.5~2.5h。

三代渗碳钢包括css-42l材料和bg801材料。

对氮化表面吹砂处理后,采用气体渗氮方式对渗氮表面进行气体氮化。

使用nh4cl作为催化剂。

先通入ar对炉内空气进行置换,然后再升温通入nh3。

气体氮化采取两段法,其中第一阶段采用低分解率,分解率不超过48%,第二阶段采用高分解率,分解率不低于70%,通过两阶段氮化分解率控制,调控氮势,避免氮化过程中氮势过高,出现网状氮化物以及波纹状氮化物,从而优化氮化金相组织,提高组织质量。

氮化层深为0.15~0.60mm。

本发明的技术效果是:本发明三代渗碳钢材料氮化表面改性方法,通过淬火后氮化前对材料进行冰冷、时效处理以及氮化工艺参数控制,从而保证基体材料马氏体转变程度,使得三代渗碳钢氮化速率较快,氮化后氮化层深度0.15~0.30mm,表面硬度达到hv1000以上的同时,金相组织满足三代渗碳钢的设计要求。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明:

实施例1,首先对三代渗碳钢材料css-42l进行真空1060℃保温1h,气冷淬火,-85℃保温4h,以促进材料发生马氏体转变,提高组织强度,随后600℃时效2h(允许有上下20°温度浮动),该时效处理温度明显高于常规渗碳钢时效处理温度(比常规时效处理温度高大概100°),从可以促使组织变性能够大面积析出碳化二钼,使得碳化二钼相长大,氮原子在机体中扩散阻力减小,扩散快,速度氮化时间,可以有效缩短氮化时间,节约成本,同时碳化二钼析出可以实现二次强化,利于提高氮化组织的稳定性。

时效处理完成后,进行气体氮化,将css-42l材料氮化表面吹砂处理后,随同nh4cl放入气体氮化炉内,通入ar气体12h后,随炉升温至550℃,到温后停止通入ar,通入nh3。第一阶段氨分解率为45%,氮化工艺时间60h,第二阶段氨分解率为70%,氮化工艺时间50h,氮化结束后随炉冷却。

采用显微硬度分析法检测氮化层有效深度为0.20mm,氮化表面显微硬度hv1127,金相法观察金相组织未存在网状氮化物以及波纹状氮化物,满足了设计要求。

实施例2,首先对三代渗碳钢bg801材料进行真空1080℃保温1h,气冷淬火,-95℃保温4h,随后620℃时效2h,从而有效提高组织强度和稳定性,以及优化后续氮化工艺条件,然后再进行气体氮化。

将bg801材料氮化表面吹砂处理后,随同nh4cl放入气体氮化炉内,通入ar气体12h后,随炉升温至560℃,到温后停止通入ar,通入nh3。第一阶段氨分解率为43%,氮化工艺时间60h,第二阶段氨分解率为75%,氮化工艺时间50h,氮化结束后随炉冷却。

采用显微硬度分析法检测氮化层有效深度为0.22mm,氮化表面显微硬度hv1130,金相法观察金相组织未存在网状氮化物以及波纹状氮化物,满足了设计要求。



技术特征:

技术总结
本发明属于金属热处理技术领域,涉及一种三代渗碳钢材料氮化表面改性方法。本发明三代渗碳钢材料氮化表面改性方法,是在其淬火、冰冷、时效后进行氮化,对氮化表面吹砂处理后,采用气体氮化方式进行零件氮化表面改性,其中,为去除零件表面致密钝化膜,需要使用NH4Cl作为催化剂,先通入Ar气,置换炉内空气,然后,再通入氮气,进行氮化。氮化分为两个阶段,第一阶段采取低分解率,第二阶段采用高分解率。本发明三代渗碳钢材料氮化方法通过氮化前热处理工艺参数优化,特别是氮化前促进基体马氏体转变,从而能够提三代渗碳钢氮化速率的同时,保证金相组织中不出现网状组织和波纹状组织,使得三代渗碳钢材料气体氮化后符合设计要求。

技术研发人员:孙振淋;钱珏;何培刚;辛玉武
受保护的技术使用者:中国航发哈尔滨东安发动机有限公司
技术研发日:2018.11.21
技术公布日:2019.01.11
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