本实用新型涉及半导体镀膜技术领域，特别提供了一种可以改变薄膜形貌的晶圆支撑装置。
背景技术：
现有远程等离子体化学气相沉积设备，将晶圆放置于载物台上，通入反应气体后通过射频场使其离化生成固体薄膜。
现有设备的载物台多为纯铝材料，载物台上放置晶圆的支撑装置多采用陶瓷材料。陶瓷与铝对温度及射频场的反应不同，导致晶圆边缘沉积薄膜的厚度有差异，影响薄膜均一性。
目前，随着半导体技术的不断发展，对薄膜性能的要求不断提高。
现有的支撑装置结构比较复杂，对于晶圆的支撑固定效果不好，而且结构单一，不能适应多尺寸的晶圆支撑。
技术实现要素：
为解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种可以改变薄膜形貌的晶圆支撑装置，包括一圆环状主体，所述的圆环状主体的内侧面为阶梯状设计。
进一步地，所述的内侧面可以设计为两层阶梯或者多层阶梯，所述的阶梯具有上梯面与拐角θ。
进一步地，所述的拐角θ的角度大于等于90度，小于180度。
进一步地，所述支撑装置的材质为铝。
进一步地，所述的支撑装置主体的表面经过硬质阳极化处理。目的有两个：一个是硬度变大，一个是表面处理后绝缘，可以降低工艺中射频场集中放电的可能性
本实用新型的优势在于，结构简单，有利于改善薄膜形貌，对于晶圆固定效果好，适合支撑多个尺寸的晶圆。
附图说明
图1为实用新型的结构示意图；
图2为本晶圆支撑装置的应用剖面示意图；
图3为图2的左侧局部放大图；
图4为本晶圆支撑装置的内侧面具有两层阶梯的剖面结构示意图；
图5为本晶圆支撑装置的内侧面具有三层阶梯的剖面结构示意图；
图6为对不同材料支撑装置下生产出来的12吋晶圆上沉积氮氧化硅薄膜的形貌分析对比图；
图7为对不同材料支撑装置下生产出来的8吋晶圆上沉积氧化硅薄膜的形貌分析对比图；
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
参考图1-5，一种可以改变薄膜形貌的晶圆支撑装置，包括一圆环状主体2，所述的圆环状主体2的内侧面为阶梯状设计。
作为方案的改进，所述的内侧面可以设计为两层阶梯5或者多层阶梯5，所述的阶梯5具有上梯面6与拐角θ。
作为方案的改进，所述的拐角θ的角度大于等于90度，小于180度。
作为方案的改进，所述支撑装置的材质为铝。
作为方案的改进，所述的支撑装置主体2的表面经过硬质阳极化处理。
如图2所示，1为远程等离子体气相沉积设备反应腔室中的载物台，2为晶圆支撑装置，3为晶圆。晶圆3加工过程中，本支撑装置放置于载物台2上，晶圆3坐落在支撑装置的侧面阶梯5的梯面上。载物台2温度在100-500℃恒温，沉积时工艺气体从载物台2上方喷淋装置4中喷出，在射频场的作用下生成等离子体并发生反应，生成固体沉积在晶圆3表面。
实施例1
将12吋晶圆放置在载物台1及晶圆支撑装置2之上，晶圆支撑装置2的材料分别为陶瓷及硬质阳极化处理过的铝。通过喷淋头4提供的气体，在一定的压力及电极环境下反应沉积成氮氧化硅薄膜。对不同材料支撑装置下生产出来的晶圆薄膜做形貌分析如图6。
图6所示曲线以晶圆中心点为0点，沿X轴为横切面测试121点作图，其中实线为硬质阳极化铝环条件下的晶圆薄膜形貌，虚线为陶瓷环条件下的晶圆薄膜形貌。由图6可见相对于陶瓷材料来讲，硬质阳极化铝环条件下晶圆边缘形貌更为均匀。
实施例2
将8吋晶圆放置在载物台1及晶圆支撑装置2之上，晶圆支撑装置2的材料分别为陶瓷及硬质阳极化处理过的铝。通过喷淋头4提供的气体，在一定的压力及电极环境下反应沉积成氧化硅薄膜。对不同材料支撑装置下生产出来的晶圆薄膜做形貌分析如图7。
图7所示曲线以晶圆中心点为0点，沿X轴为横切面测试121点作图，其中实线为硬质阳极化铝环条件下的晶圆薄膜形貌，虚线为陶瓷环条件下的晶圆薄膜形貌。由图7可见相对于陶瓷材料来讲，硬质阳极化铝环条件下晶圆边缘形貌更为均匀。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。