一种铸造再生砂提纯装置的制作方法

本实用新型涉及铸造旧砂再生技术领域，尤其是涉及一种铸造再生砂提纯装置。

背景技术：

砂型铸造，又称砂铸，利用砂作为铸模材料，铸造时，造型材料和高温铁质金属液接触，在后续高温热处理过程中，砂粒表面常会粘附一层铁质薄膜，且砂芯(型)内部的细微孔隙中还存有小铁珠；因此，现有铸造旧砂再生工艺得到的再生砂品质较差，其中仍然含有大量的磁性杂质。而由于这些磁性杂质的存在，导致再生砂制备冷芯或热芯过程中，酸耗值较大，影响冷芯催化剂的效果以及砂粒与树脂的包覆效果，降低了砂芯的强度，因此再生砂无法100％替代新砂用于造型材料。

现有铸造旧砂再生处理过程通常在焙烧前进行磁选以去除磁性物质，但由于铸造旧砂中夹杂的残余有机物，影响了吸磁性，导致磁性物质很难被彻底去除，会继续流入到下一个工序中，这些杂质颗粒会降低再生砂的硅含量，从而影响实际使用，通常要加入30％-50％的新砂混合使用。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种铸造再生砂提纯装置，以解决现有技术中存在的在焙烧旧砂前进行磁选以去除磁性物质，但由于铸造旧砂中夹杂的残余有机物，影响了吸磁性，导致磁性物质很难被彻底去除，进而继续流入到下一工序中，降低再生砂的硅含量，影响使用的问题。

本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。

为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

本实用新型提供的一种铸造再生砂提纯装置，包括：机架、设置在所述机架顶端的进料口、设置在所述进料口下方的第一输送装置、设置在所述第一输送装置下方的精砂收集装置和杂质收集装置、设置在所述精砂收集装置下方的精砂出料装置、设置在所述杂质收集装置下方的杂质出料装置，其中所述第一输送装置包括设置在所述机架上的第一托辊和第二托辊以及张紧在所述第一托辊和所述第二托辊之间的第一输送带，所述第二托辊带有磁性；所述精砂收集装置的接料位置设置在远离所述第一托辊且与所述第二托辊相切的竖直平面和过所述第二托辊轴线的竖直平面之间；所述杂质收集装置的接料位置位于所述精砂收集装置的接料位置的下游位置。

优选地，所述第二托辊的磁力为5000-10000高斯。

优选地，所述精砂出料装置包括第二输送装置，所述第二输送装置包括设置在所述机架上的第三托辊和第四托辊以及张紧在所述第三托辊和所述第四托辊之间的第二输送带。

优选地，所述精砂出料装置还包括设置在所述第四托辊下方的精砂出口。

优选地，所述杂质出料装置包括设置在所述杂质收集装置下方的杂质出口。

优选地，所述精砂收集装置为倾斜设置的板状结构，其底部延伸至所述第三托辊中轴线的上方。

优选地，所述杂质收集装置为倾斜设置的板状结构，所述杂质收集装置的底部延伸至所述第三托辊远离所述第四托辊一侧的上方。

优选地，在所述进料口和所述第一输送装置之间设置有振动给料机，所述振动给料机的出料口位于所述第一托辊的上方。

优选地，还包括驱动装置，所述驱动装置通过第一传动装置带动所述第二托辊转动，所述第二托辊通过第二传动装置带动所述第一输送带和所述第四托辊转动，所述第四托辊带动所述第二输送带转动。

优选地，所述第一托辊的轴线与所述第二托辊的轴线位于同一水平面上。

优选地，所述第三托辊的轴线与所述第四托辊的轴线位于同一水平面上。

本实用新型提供的一种铸造再生砂提纯装置，其有益效果为：该铸造再生砂提纯装置包括用于安装各个零部件的机架，在机架顶端设置用于供铸造再生砂进入设备的进料口，在进料口下方设置有第一输送装置，该第一输送装置包括设置在机架上的第一托辊和第二托辊以及张紧在第一托辊和第二托辊之间的第一输送带，第二托辊带有磁性，当铸造再生砂沿第一输送带到达第二托辊时，第二托辊将铸造再生砂中的磁性杂质吸附在覆盖在第二托辊表面的第一输送带的表面，随第二托辊运动，当磁性杂质运动到第二托辊下方远离第二托辊时磁性逐渐减小，磁性杂质与传送带脱离，通过杂质收集装置后掉落到杂质出料装置内，除去磁性杂质的精砂运动到第二托辊远离第一托辊一侧时，由于重力的作用与第一输送带脱离，经精砂收集装置后通过精砂出料装置进行收集，精砂收集装置的接料位置设置在远离第一托辊且与第二托辊相切的竖直平面和过第二托辊轴线的竖直平面之间，如此设置可防止精砂掉落后进入杂质出料装置，杂质收集装置的接料位置位于所述精砂收集装置的接料位置的下游位置，如此可防止杂质掉落在精砂出料装置内，上述设置可将铸造再生砂中的磁性杂质与精砂分离，从而提高铸造再生砂中的硅含量，降低酸耗值，分离后得到的精砂可100％的替代新砂用于造型材料。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例示出的铸造再生砂提纯装置整体图；

图中：1、机架；2、进料口；3、振动给料机；4、第一输送装置；41、第一托辊；42、第一输送带；43、第二托辊；5、精砂收集装置；6、杂质收集装置；7、精砂出料装置；71、第二输送装置；711、第三托辊；712、第四托辊；713、第二输送带；72、精砂出口；8、杂质出口；9、驱动装置；10、第一传动装置；11、第二传动装置。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本实用新型的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。

本实用新型提供了一种铸造再生砂提纯装置，参看图1，示出了本实用新型实施例的铸造再生砂提纯装置整体图，包括用于安装各个零部件以及起支撑作用的机架1，在机架1的顶端一侧设置用于将初次磁选并筛分后的铸造再生砂注入该铸造再生砂提纯装置的进料口2，在进料口2的下方设置第一输送装置4，第一输送装置4为带传送装置，包括第一托辊41、第二托辊43以及张紧在第一托辊41和第二托辊43之间的第一输送带42，从进料口2进入的铸造再生砂落到第一输送带42上，随第一输送带42一起运动，第二托辊43带有磁性，当铸造再生砂运动到第二托辊43处时，铸造再生砂中的磁性杂质会被吸附在第一输送带42与第二托辊43贴合的表面，随着输送带继续运动，磁性杂质运动到第二托辊43的下方，逐渐的远离第二托辊43，此时磁性会减小，磁性杂质会脱离第一输送带42，脱离后的磁性杂质会沿着设置在第二托辊43下方的杂质收集装置6滑落到杂质出口8，被除去磁性杂质的精砂随第一输送带42运动到第二托辊43远离第一托辊41一侧时在重力的作用下经设置在第二托辊43下方的精砂收集装置5滑落到设置在精砂收集装置5下方的精砂出料装置7上，精砂收集装置5的接料位置要设置在远离第一托辊41且与第二托辊43相切的竖直平面和过第二托辊43轴线的竖直平面之间，防止精砂掉落到杂质出口8，杂质收集装置6的接料位置位于精砂收集装置的接料位置的下游位置，该下游位置是指第一输送带42转动到第二托辊43下方沿第一输送带42转动方向转过精砂收集装置5接料位置的部位，如此设置，可将铸造再生砂中的磁性杂质去除，得到没有磁性杂质的精砂，提高铸造再生砂的硅含量，降低酸耗值，100％的替代新砂。

作为可选的实施方式，上述第二托辊43的磁力可以在5000-10000高斯，磁力太小，不足以把弱磁性杂质颗粒吸附；磁力太高，能源浪费。

上述精砂出料装置7可以设置第二输送装置71，用于运输从精砂收集装置5滑落的精砂，该第二输送装置71可以设置为带传送装置，可以包括第三托辊711、第四托辊712以及张紧在第三托辊711与第四托辊712之间的第二输送带713，磁选后的精砂通过第二输送带713进行运输。

在上述第二输送装置71中的第四托辊712下方还可以设置精砂出口72，精砂通过第二输送带713运输后通过精砂出口72从铸造再生砂提纯装置中输出。

作为优选地实施方式，上述精砂收集装置5可以使用钢板，倾斜的设置在第二托辊43的下方，钢板的下方至少延伸到第三托辊711中轴线的上方，防止精砂掉落到第二输送装置71以外。

上述杂质收集装置6也可以设置为钢板，倾斜的设置在精砂收集装置5靠近第一托辊41的一侧，其底部至少延伸到第三托辊711远离第四托辊712一侧的上方，防止杂质掉落到第二输送装置71上。

进一步的，上述精砂收集装置5的顶端与杂质收集装置6的顶端可以连接在一起，例如焊接，可以为90度设置。

为了实现连续给料，同时也为了使洒在第一输送带42上的铸造再生砂更加均匀，在进料口2和第一输送装置4之间可以设置一个振动给料机3，可以是电磁振动给料机，该电磁振动给料机的出口至少延伸到第一托辊41中轴线的上方，如此设置，散落在第一输送带42上的铸造再生砂会更加均匀，铸造再生砂2-10mm为宜，太薄影响效率，太厚影响磁选效果。

在机架1内部还要设置驱动装置9，可以选用变速电机，变速电机与第二托辊43之间可以采用带传动的方式实施驱动，在电机轴以及第二托辊43上设置带轮，通过第一传动装置10，如皮带将变速电机的动力输送到第二托辊43上，带动第一输送装置4运转，第二托辊43与第四托辊712之间也可以采用带传动的方式实施驱动，在第二托辊43上再设置一个带轮，在第四托辊712上也设置带轮，通过第二传动装置11，如皮带将第二托辊43上的动力输送到第四托辊712，带动第二输送装置71运转。

上述第一托辊41与第二托辊43可以水平设置，第一托辊41与第二托辊43位于同一水平面上。

上述第三托辊711与第四托辊712可以水平设置，第三托辊711与第四托辊712位于同一水平面上。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利。