研磨垫的制作方法

本实用新型涉及一种研磨垫，尤其涉及一种检测窗受到保护的研磨垫。

背景技术：

在产业的元件制造过程中，研磨工艺是现今较常使用来使待研磨的物件表面达到平坦化的一种技术。在研磨工艺中，物件是通过其本身与研磨垫彼此进行相对运动，以及选择于物件表面及研磨垫之间提供一研磨液来进行研磨。

对于具有光学检测系统的研磨设备，研磨垫的研磨层的某部分区域通常设置有检测窗，其功能是当使用此研磨垫对物件进行研磨时，使用者可通过研磨设备的光学检测系统，通过检测窗来检测物件的研磨情况，以作为研磨工艺的终点检测(End-Point Detection)并确保研磨品质。一般而言，为了使操作人员在进行装置研磨垫于研磨平台时能准确的将检测窗与研磨平台上的光学检测系统进行对位贴合以执行研磨工艺的终点检测，检测窗的设计会暴露于环境中，因此在进入研磨工艺前研磨垫的运送及存放的过程中或是进行装置研磨垫的过程中，检测窗容易沾附脏污或是碰到尖锐的外来物而产生刮伤，进而影响检测效果。进一步而言，操作人员在开始进行研磨程序之前会以水先清洗包含检测窗顶面的研磨面，以去除研磨垫表面的脏污；但与研磨层背面共平面的检测窗底面的脏污或刮伤却较不易清除或不易发觉，也因此若在研磨工艺进行前，检测窗底面沾附脏污又无法清除的状况下，将影响光学检测的效果进而影响研磨品质。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供一种研磨垫，其能够有效保护检测窗不受到外来物沾附，进而使得在研磨工艺期间，检测窗能够提供完善的检测效果。

本实用新型的研磨垫包括研磨层、至少一检测窗、黏着层、离型层以及检测窗保护层。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。至少一检测窗位于研磨层中，且检测窗的底面与研磨层的背面共平面。黏着层配置于研磨层的背面下方，且黏着层具有至少一第一开口暴露出至少一检测窗。离型层配置于黏着层的下方，且离型层具有至少一第二开口暴露出至少一检测窗。检测窗保护层连接于离型层且横跨至少一第二开口，其中至少一检测窗的边缘对齐至少一第一开口与至少一第二开口的边缘。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层在可见光下具有透光性。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层包括离型膜、胶带或静电吸附膜。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层的面积大于所述检测窗的面积且小于或等于所述研磨垫的面积。

本实用新型的研磨垫包括研磨层、至少一检测窗、黏着层以及检测窗保护层。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。至少一检测窗位于研磨层中，且检测窗的底面与研磨层的背面共平面。黏着层配置于研磨层的背面下方，且黏着层具有至少一开口暴露出至少一检测窗。检测窗保护层配置于黏着层的下方且横跨至少一开口，其中至少一检测窗的边缘对齐至少一第一开口与至少一第二开口的边缘。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层在可见光下具有透光性。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层包括离型膜。

本实用新型的研磨垫，其中所述离型膜的材料包括聚酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含硅酮聚合物或含氟素聚合物。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层的面积等于所述研磨垫的面积。

本实用新型的研磨垫包括研磨层、至少一检测窗、第一黏着层、基底层、第二黏着层、离型层以及检测窗保护层。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。至少一检测窗位于研磨层中，且检测窗的底面与研磨层的背面共平面。第一黏着层配置于研磨层的背面下方，且第一黏着层具有至少一第一开口暴露出至少一检测窗。基底层配置于第一黏着层的下方，且基底层具有至少一第二开口暴露出至少一检测窗。第二黏着层配置于基底层的下方，且第二黏着层具有至少一第三开口暴露出至少一检测窗。离型层配置于第二黏着层的下方，且离型层具有至少一第四开口暴露出至少一检测窗。检测窗保护层连接于离型层且横跨至少一第四开口，其中至少一检测窗的边缘对齐至少一第一开口、至少一第二开口、至少一第三开口及至少一第四开口的边缘。

本实用新型的研磨垫，其中检测窗保护层在可见光下具有透光性。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层包括离型膜、胶带或静电吸附膜。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层的面积大于所述检测窗的面积且小于或等于所述研磨垫的面积。

本实用新型的研磨垫包括研磨层、至少一检测窗、第一黏着层、基底层、第二黏着层以及检测窗保护层。研磨层具有彼此相对的研磨面及背面。至少一检测窗位于研磨层中，且检测窗的底面与研磨层的背面共平面。第一黏着层配置于研磨层的背面下方，且第一黏着层具有至少一第一开口暴露出至少一检测窗。基底层配置于第一黏着层的下方，且基底层具有至少一第二开口暴露出至少一检测窗。第二黏着层配置于基底层的下方，且第二黏着层具有至少一第三开口暴露出至少一检测窗。检测窗保护层配置于第二黏着层的下方且横跨至少一第三开口，其中至少一检测窗的边缘对齐至少一第一开口、至少一第二开口及至少一第三开口的边缘。

本实用新型的研磨垫，其中检测窗保护层在可见光下具有透光性。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层包括离型膜。

本实用新型的研磨垫，其中所述离型膜的材料包括聚酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含硅酮聚合物或含氟素聚合物。

本实用新型的研磨垫，其中所述检测窗保护层的面积等于所述研磨垫的面积。

基于上述，本实用新型的研磨垫通过包括配置于黏着层的下方且横跨黏着层的开口的检测窗保护层，或者通过包括配置于第二黏着层的下方且横跨第二黏着层的开口的检测窗保护层，藉此使得在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中，检测窗保护层能够保护检测窗的底面，使得在进行研磨工艺之前不会沾附外来物或脏污而产生刮伤或缺陷，进而使得在研磨工艺期间，检测窗能够提供完善的检测效果。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本实用新型的一实施方式的研磨垫的剖面示意图。

图2是依照本实用新型的一实施方式的研磨垫的后视示意图。

图3A至图3C是依照本实用新型的一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

图4是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的剖面示意图。

图5A至图5C是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

图6是依照本实用新型的一实施方式的研磨方法的流程图。

图7是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的剖面示意图。

图8是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的后视立体示意图。

图9A至图9D是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

图10是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的剖面示意图。

图11A至图11D是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

图12是依照本实用新型的另一实施方式的研磨方法的流程图。

附图标记说明

100、200、300、400：研磨垫；

102、202、302、402：研磨层；

104、204、304、404：检测窗；

106、306：黏着层；

108、208：离型层；

110、210、308、408：检测窗保护层；

206a、406a：第一黏着层；

206b、406b：第二黏着层；

212、410：基底层；

310、412：暂存层；

B：后侧；

BS：背面；

F：前侧；

O1、2O1、4O1：第一开口；

O2、2O2、4O2：第二开口；

2O3、4O3：第三开口；

2O4：第四开口；

3O：开口；

PS：研磨面；

S10、S12、S14、S16、S20、S22、S24、S26：步骤；

TS：顶面；

US：底面；

X、Y：暂存开口。

具体实施方式

图1是依照本实用新型的一实施方式的研磨垫的剖面示意图。图2是依照本实用新型的一实施方式的研磨垫的后视示意图。

请同时参照图1及图2，研磨垫100具有彼此相对的前侧F及后侧B，而图2即示出研磨垫100的后侧B的结构。

在本实施方式中，研磨垫100包括研磨层102、检测窗104、黏着层106、离型层108以及检测窗保护层110。详言之，研磨层102配置于前侧F，而离型层108及检测窗保护层110则共同配置于后侧B。其中，研磨层102具有研磨面PS以及相对于研磨面PS的背面BS

在本实施方式中，当使用研磨垫100对物件进行研磨程序时，物件会与研磨层102的研磨面PS接触。值得一提的是，虽然图1中未示出，但任何所属技术领域中技术人员应周知研磨面PS上包括沟槽图案，且沟槽图案可具有多种不同态样的图案分布，例如是同心环状、不同心环状、椭圆环状、波浪环状、不规则环状、多条直线状、平行直线状、放射直线状、放射弧线状、螺旋状、多角格状、或其组合，但本实用新型并不限于此。

另外，研磨层102例如是由聚合物基材所构成，其中聚合物基材可以是聚酯(polyester)、聚醚(polyether)、聚氨酯(polyurethane)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚丁二烯(polybutadiene)、或其余经由合适的热固性树脂(thermosetting resin)或热塑性树脂(thermoplastic resin)所合成的聚合物基材，但本实用新型并不限于此。

检测窗104位于研磨层102中。如图1所示，检测窗104具有彼此相对的顶面TS及底面US，其中检测窗104的顶面TS与研磨层102的研磨面PS相邻接，且检测窗104的底面US与研磨层102的背面BS也相邻接。换言之，检测窗104的顶面TS及底面US分别与研磨层102的研磨面PS及背面BS共平面，但不以此限定本实用新型。在其他实施方式的结构中，检测窗的顶面TS及底面US也可选择不与研磨层的研磨面PS及背面BS共平面，也就是检测窗的顶面TS不与研磨层的研磨面PS相邻接和/或检测窗的底面US不与研磨层的背面BS相邻接。在此要特别说明的是，即使检测窗104的顶面TS及底面US未与研磨层102的研磨面PS及背面BS共平面，检测窗的顶面TS与研磨层的研磨面PS仍是位于同一侧，而检测窗的底面US与研磨层的背面BS也位于同一侧。另外，检测窗104可以由任何所属技术领域中技术人员所周知的可使用于研磨垫的检测窗的材料所构成。举例而言，检测窗104的材质可以是透明的高分子聚合物，例如热固性塑胶或热塑性塑胶。

黏着层106配置于研磨层102的背面BS下方，且具有暴露出检测窗104的第一开口O1。如图1所示，黏着层106仅黏附于研磨层102的背面BS，但不黏附于检测窗104的底面US。换言之，黏着层106仅覆盖于研磨层102的背面BS而未覆盖于检测窗104的底面US。在本实施方式中，检测窗104的边缘对齐第一开口O1的边缘。而所使用的黏着层106例如是(但不限于)：无载体胶或双面胶。黏着层106的材料例如是(但不限于)：压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶，但本实用新型并不限于此。

离型层108配置于黏着层106的下方。其中，离型层108的主要作用是保护黏着层106，以避免黏着层106的黏性消失。如图1所示，离型层108仅覆盖于黏着层106，并未覆盖于检测窗104的底面US，因而形成具有暴露出检测窗104的第二开口O2。同时，检测窗104的边缘对齐第二开口O2的边缘。在此所使用的离型层108可以是任何所属技术领域中技术人员所周知的离型层。举例而言，离型层108的材料可以是(但不限于)：聚酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含硅酮聚合物或含氟素聚合物，但本实用新型并不限于此。

检测窗保护层110连接于离型层108且横跨第二开口O2。详细而言，如图2所示，检测窗保护层110的面积例如大于检测窗104的面积但小于研磨垫100的面积。

在本实施方式中，检测窗保护层110在可见光下具有透光性。详言之，对于波长介于380nm至780nm之间的光，检测窗保护层110的透光率为20％至100％。如此一来，在装置研磨垫100至研磨平台上时可通过相重叠的检测窗104及检测窗保护层110来与研磨平台上的光学检测系统进行对位后，再一并移除离型层108及检测窗保护层110以进行研磨垫100与研磨平台的贴合。另外，在本实施方式中，所使用的检测窗保护层110可例如包括(但不限于)：离型膜、胶带或静电吸附膜。

值得说明的是，在本实施方式中，研磨垫100通过包括连接于离型层108且横跨第二开口O2的检测窗保护层110，使得能够有效地保护检测窗104的底面US不会在进入研磨工艺前的运送或存放的过程中沾附外来物。如此一来，在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中，检测窗104的底面US不会沾附脏污或产生刮伤或缺陷，藉此使得在研磨工艺期间，检测窗104能够提供完善的检测效果。

以下，将参照图3A至图3C来说明研磨垫100的制造方法。图3A至图3C是依照本实用新型的一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

请参照图3A，首先，形成具有检测窗104的研磨层102。其中，在研磨层102中形成检测窗104的方法可以是任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法，例如：利用机械切削的方式于研磨层中裁切出预定大小的检测窗开口后，在前述检测窗开口内灌入检测窗材料，并通过固化程序使检测窗材料固化以形成检测窗。由于前述研磨层102、检测窗104的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

之后，在研磨层102的背面BS下方依序形成黏着层106及离型层108。此时，黏着层106及离型层108是全面性地黏附于研磨层102的背面BS下方。换言之，黏着层106也形成于检测窗104的底面US下方。

接着，请参照图3B，对黏着层106及离型层108进行切削移除程序，去除预定部分的黏着层106及离型层108，使得黏着层106中形成暴露出检测窗104的第一开口O1及离型层108中形成暴露出检测窗104的第二开口O2。换言之，在本实施方式中，第一开口O1及第二开口O2是在同一个切削移除程序中被同时形成。在此所进行的切削移除程序可使用任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法来进行，例如使用机械切削或电脑数值控制(CNC)激光切割的方式。切削移除程序例如是通过与检测窗104相同形状大小的刀模来进行，或是通过输入与检测窗104相同形状大小的电脑数值控制程序以进行激光切割。而对位的方式例如是以光线自检测窗104的顶面TS透射至研磨垫100的后侧B的方式，或是将检测窗104的顶面TS对准至预形成于切削平台上的对准标记，而刀模或电脑数值控制程序的位置也对准至预形成于切削平台上的对准标记的对位方式，因此第一开口O1及第二开口O2的边缘都会对齐检测窗104的边缘。由于前述黏着层106及其第一开口O1、离型层108及其第二开口O2的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

最后，请参照图3C，形成连接于离型层108且横跨第二开口O2的检测窗保护层110，以完成研磨垫100的制作。在本实施方式中，检测窗保护层110连接离型层108的方式可例如包括(但不限于)：热融合、黏着或静电吸附。前述检测窗保护层110的其他相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

另外，虽然图2中示出检测窗104为椭圆形，但本实用新型并不限于此。在其他实施方式中，依照实际所需，检测窗104可设计成各种其他形状，例如梭形、圆形、方形或是任何适用的形状。

另外，虽然图2中示出检测窗104的数量为一个，但本实用新型并不限于此。在其他实施方式中，依照实际所需，检测窗104的数量也可以是多个。也就是说，只要研磨层102中设置有至少一个检测窗104即落入本实用新型的范畴。进一步而言，由于黏着层106的第一开口O1及离型层108的第二开口O2皆用以暴露出检测窗104，因此依据检测窗104的数量，黏着层106也可以具有多个第一开口O1，且离型层108也可以具有多个第二开口O2。

另外，虽然图2中示出检测窗保护层110的面积小于研磨垫100的面积，但本实用新型并不限于此。在其他实施方式中，检测窗保护层110的面积也可以是等于研磨垫100的面积。

另外，在图1的实施方式中，离型层108与研磨层102之间仅配置有黏着层106，但本实用新型并不限于此。在其他实施方式中，离型层与研磨层之间也可配置有基底层。以下，将参照图4进行详细说明。

图4是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图4及图1，图4的研磨垫200与图1的研磨垫100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。值得一提的是，研磨层202、检测窗204、离型层208及其第四开口2O4、以及检测窗保护层210可与图1的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。另外，图4的研磨垫200的后侧B的结构请参考图2。以下，将就研磨垫200与研磨垫100之间的差异处进行说明。

请参照图4，在本实施方式中，研磨垫200包括配置于研磨层202的背面BS下方的第一黏着层206a。详言之，由于第一黏着层206a仅黏附于研磨层202的背面BS，并未黏附于检测窗204的底面US，因此第一黏着层206a具有暴露出检测窗204的第一开口2O1。同时，检测窗204的边缘对齐第一开口2O1的边缘。在本实施方式中所使用到的第一黏着层206a可例如是(但不限于)：无载体胶、双面胶、热熔胶或湿气硬化胶。而第一黏着层206a的材料可例如是(但不限于)：压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶，但本实用新型并不限于此。

研磨垫200包括配置于第一黏着层206a下方的基底层212。详言之，基底层212的主要作用在于衬垫研磨层202，通过前述第一黏着层206a的黏合作用而使得研磨层202与基底层212得以连结在一起。另外，由于基底层212仅覆盖于第一黏着层206a，并未覆盖于检测窗204的底面US，而使得基底层212具有暴露出检测窗204的第二开口2O2，且检测窗204的边缘对齐第二开口2O2的边缘。在本实施方式中所使用到的基底层212的材质可例如为聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本实用新型并不限于此。

研磨垫200包括配置于基底层212下方的第二黏着层206b。在本实施方式中，第二黏着层206b黏附于基底层212的远离第一黏着层206a的背面上。换言之，基底层212是介于第一黏着层206a与第二黏着层206b之间。其中，由于第二黏着层206b仅覆盖于基底层212，并未覆盖于检测窗204的底面US，而使得第二黏着层206b具有暴露出检测窗204的第三开口2O3，且检测窗204的边缘对齐第三开口2O3的边缘。在此所使用到的第二黏着层206b可例如是(但不限于)：无载体胶或双面胶。第二黏着层206b的材料例如是(但不限于)：压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶，但本实用新型并不限于此。

在研磨垫200中，离型层208配置于第二黏着层206b的下方。其中，离型层208的主要作用是用来保护第二黏着层206b，以避免第二黏着层206b的黏性消失。通过第二黏着层206b的黏合作用，使得基底层212及离型层208得以连结在一起。

值得说明的是，基于图1的实施方式的内容可知，在本实施方式中，研磨垫200通过包括连接于离型层208且横跨第四开口2O4的检测窗保护层210，使得能够有效地保护检测窗204的底面US不会在进入研磨工艺前的运送或存放的过程中沾附外来物。如此一来，在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中，检测窗204的底面US不会沾附脏污或产生刮伤或缺陷，藉此使得在研磨工艺期间，检测窗204能够提供完善的检测效果。

以下，将参照图5A至图5C来说明研磨垫200的制造方法。图5A至图5C是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

请参照图5A，首先，形成具有检测窗204的研磨层202。在本实施方式中，在研磨层202中形成检测窗204的方法可以是任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法，例如：利用机械切削的方式于研磨层中裁切出预定大小的检测窗开口后，在前述检测窗开口内灌入检测窗材料，并通过固化程序使检测窗材料固化以形成检测窗。由于前述研磨层202、检测窗204的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

之后，在研磨层202的背面BS下方依序形成第一黏着层206a、基底层212、第二黏着层206b及离型层208。此时，第一黏着层206a、基底层212、第二黏着层206b及离型层208均是全面性地覆盖于研磨层202的背面BS下方。换言之，第一黏着层206a、基底层212、第二黏着层206b及离型层208皆形成于检测窗204的底面US下方。

接着，请参照图5B，对第一黏着层206a、基底层212、第二黏着层206b及离型层208进行切削移除程序，去除预定部分的第一黏着层206a、基底层212、第二黏着层206b及离型层208，以在第一黏着层206a中形成暴露出检测窗204的第一开口2O1、在基底层212中形成暴露出检测窗204的第二开口2O2、在第二黏着层206b中形成暴露出检测窗204的第三开口2O3、及在离型层208中形成暴露出检测窗204的第四开口2O4。换言之，在本实施方式中，第一开口2O1、第二开口2O2、第三开口2O3及第四开口2O4是在同一个切削移除程序中被同时形成。在本实施方式中所进行的切削移除程序可使用任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法来进行，例如使用机械切削的方式或电脑数值控制(CNC)激光切割的方式。切削移除程序例如是通过与检测窗204相同形状大小的刀模来进行，或是通过输入与检测窗204相同形状大小的电脑数值控制程序以进行激光切割。对位的方式例如是以光线自检测窗204的顶面TS透射至研磨垫200的后侧B的方式，或是将检测窗204的顶面TS对准至预形成于切削平台上的对准标记，而刀模或电脑数值控制程序的位置也对准至预形成于切削平台上的对准标记的对位方式，因此第一开口2O1、第二开口2O2、第三开口2O3及第四开口2O4的边缘都会对齐检测窗204的边缘。由于第一黏着层206a及其第一开口2O1、基底层212及其第二开口2O2、第二黏着层206b及其第三开口2O3、离型层208及其第四开口2O4的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

最后，请参照图5C，形成连接于离型层208且横跨第四开口2O4的检测窗保护层210，以完成研磨垫200的制作。在本实施方式中，检测窗保护层210连接离型层208的方式可例如包括(但不限于)：热融合、黏着或静电吸附。由于检测窗保护层210的其他相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

另外，基于图4的实施方式的内容可知，检测窗保护层210在可见光下具有透光性，藉此使得在装置研磨垫200至研磨平台上时可通过相重叠的检测窗204及检测窗保护层210来与研磨平台上的光学检测系统进行对位后再一并移除离型层208及检测窗保护层210以进行研磨垫200与研磨平台的贴合。

另外，由于第一黏着层206a的第一开口2O1、基底层212的第二开口2O2、第二黏着层206b的第三开口2O3及离型层208的第四开口2O4皆用以暴露出检测窗204，因此依据检测窗204的数量，第一黏着层206a也可以具有多个第一开口2O1、基底层212也可以具有多个第二开口2O2、第二黏着层206b也可以具有多个第三开口2O3，且离型层208也可以具有多个第四开口2O4，但本实用新型并不限于此。

图6是依照本实用新型的一实施方式的研磨方法的流程图。此研磨方法适用于研磨物件。详细而言，此研磨方法可应用于制造工业元件的研磨工艺，例如是应用于电子产业的元件，其可包括半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、存储盘、及显示器等元件，而制作这些元件所使用的物件可包括半导体晶圆、ⅢⅤ族晶圆、存储元件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但并非用以限定本实用新型的范围。

请参照图6，首先，进行步骤S10，提供研磨垫。详言之，在本实施方式中，研磨垫可以是前述实施方式中所述的任一种研磨垫，例如研磨垫100、200。而研磨垫100、200的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

接着，进行步骤S12，移除研磨垫100、200中的离型层108、208，以使研磨垫100、200配置于研磨平台上。在本实施方式中，离型层108是配置于黏着层106的下方，且离型层208是配置于第二黏着层206b的下方，因此移除离型层108、208后会使得黏着层106及第二黏着层206b暴露出。基于此，研磨垫100是以贴合方式通过黏着层106而黏着固定于研磨平台上，而研磨垫200是以贴合方式通过第二黏着层206b而黏着固定于研磨平台上。另外，如前文所述，检测窗保护层110、210连接于离型层108、208，因此检测窗保护层110、210会随着离型层108、208一并被移除。

接着，进行步骤S14，对物件施加压力。藉此，物件会被压置于研磨垫上，并与研磨垫接触。在此步骤S14中，物件会与研磨层102、202的研磨面PS接触。其中，对物件施加压力的方式例如是使用能够固持物件的载具来进行。

之后，进行步骤S16，对物件及研磨垫提供相对运动，以利用研磨垫对物件进行研磨程序，而达到平坦化的目的。其中，对物件及研磨垫提供相对运动的方法可例如是：通过研磨平台进行旋转来带动固定于研磨平台上的研磨垫旋转。

另外，在图1及图2的实施方式中，研磨垫100、200包括离型层108、208，且检测窗保护层110、210连接于离型层108、208，但本实用新型并不限于此。在其他实施方式中，研磨垫所具有的检测窗保护层也可以是其他形式。以下，将参照图7～图12进行详细说明。

图7是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的剖面示意图。图8是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的后视立体示意图。请同时参照图7及图1，图7的研磨垫300与图1的研磨垫100相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。值得一提的是，研磨层302、检测窗304、黏着层306及其开口3O可与图1的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。另外，图8示出的是研磨垫300的后侧B的立体结构。以下，将就研磨垫300与研磨垫100之间的差异处进行说明。

请同时参照图7及图8，研磨垫300包括配置于黏着层306的下方的检测窗保护层308。其中，黏着层306配置于研磨层302的背面BS下方，且具有暴露出检测窗304的开口3O。在本实施方式中，黏着层306黏附于研磨层302的背面BS，但不黏附于检测窗304。换言之，黏着层306仅覆盖研磨层302的背面BS，而未覆盖检测窗304的底面US。因此，使得黏着层306形成具有暴露出检测窗304的开口3O，且检测窗304的边缘对齐开口3O的边缘。再者，通过黏着层306的黏合力得以使研磨层302及检测窗保护层308能黏合在一起，且检测窗保护层308横跨黏着层306的开口3O。另外，如图7所示，检测窗保护层308的面积等于研磨垫300的面积。

另外，在本实施方式中，检测窗保护层308在可见光下具有透光性。详言之，对于波长介于380nm至780nm之间的光，检测窗保护层308的透光率为20％至100％。如此一来，在装置研磨垫300至研磨平台上时可通过相重叠的检测窗304及检测窗保护层308来与研磨平台上的光学检测系统进行对位后再移除检测窗保护层308以进行研磨垫300与研磨平台的贴合。另外，在本实施方式中，检测窗保护层308可例如包括(但不限于)：离型膜，而离型膜的材料例如包括(但不限于)：聚酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含硅酮聚合物或含氟素聚合物，但本实用新型并不限于此。

值得说明的是，在本实施方式中，研磨垫300通过包括配置于黏着层306的下方且横跨开口3O的检测窗保护层308，使得能够有效地保护检测窗304的底面US不会在进入研磨工艺前的运送或存放的过程中沾附外来物。如此一来，在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中，检测窗304的底面US不会沾附脏污或产生刮伤或缺陷，藉此使得在研磨工艺期间，检测窗304能够提供完善的检测效果。

进一步而言，如前文所述，检测窗保护层308是配置于黏着层306的下方，因此检测窗保护层308除了能够有效地保护检测窗304的底面US不会在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中沾附外来物，还能够有效地保护黏着层306，以避免黏着层306的黏性消失。也就是说，检测窗保护层308同时具有保护检测窗304及黏着层306的功用。

以下，将参照图9A至图9D来说明研磨垫300的制造方法。图9A至图9D是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

请参照图9A，首先，形成具有检测窗304的研磨层302。在研磨层302中形成检测窗304的方法可以是任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法，例如利用机械切削的方式于研磨层中裁切出预定大小的检测窗开口后，在前述检测窗开口内灌入检测窗材料，并通过固化程序使检测窗材料固化以形成检测窗。由于研磨层302、检测窗304的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

之后，在研磨层302的背面BS下方依序形成黏着层306及暂存层310。此时，黏着层306及暂存层310是全面性地覆盖于研磨层302的背面BS下方。换言之，黏着层306与检测窗304的底面US相黏合。另外，在本实施方式中，暂存层310可例如包括(但不限于)：离型膜，且离型膜的材料例如包括(但不限于)：聚酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、含硅酮聚合物或含氟素聚合物，但本实用新型并不限于此。

接着，请参照图9B，对黏着层306及暂存层310进行切削移除程序，去除预定部分的黏着层306及暂存层310，以于黏着层306中形成暴露出检测窗304的开口3O及于暂存层310中形成暴露出检测窗304的暂存开口X。换言之，开口3O及暂存开口X是在同一个切削移除程序中被同时形成。在本实施方式中，所使用到的切削移除程序可使用任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法来进行，例如使用机械切削或电脑数值控制(CNC)激光切割的方式。切削移除程序例如是通过与检测窗304相同形状大小的刀模来进行，或是通过输入与检测窗304相同形状大小的电脑数值控制程序以进行激光切割。而对位的方式例如是以光线自检测窗304的顶面TS透射至研磨垫300的后侧B的方式，或是将检测窗304的顶面TS对准至预形成于切削平台上的对准标记，而刀模或电脑数值控制程序的位置也对准至预形成于切削平台上的对准标记的对位方式，因此开口3O及暂存开口X的边缘都会对齐检测窗304的边缘。前述黏着层306及其开口3O的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。另外，由于暂存层310的暂存开口X也用以暴露出检测窗304，因此依据检测窗304的数量，暂存层310也可以具有多个暂存开口X。

之后，请参照图9C，移除暂存层310，以暴露出黏着层306。在本实施方式中，移除暂存层310可通过撕除的方式来进行。

最后，请参照图9D，形成配置于黏着层306的下方且横跨开口3O的检测窗保护层308，以完成研磨垫300的制作。由于检测窗保护层308的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

另外，在图7的实施方式中，检测窗保护层308与研磨层302之间仅配置有黏着层306，但本实用新型并不限于此。在其他实施方式中，检测窗保护层与研磨层之间也可配置有基底层。以下，将参照图10进行详细说明。

图10是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的剖面示意图。请同时参照图10及图7，图10的研磨垫400与图7的研磨垫300相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示，且相关说明即不再赘述。值得一提的是，研磨层402、检测窗404、以及检测窗保护层408可与图7的实施方式中对应者相同或相似，故相关说明即不再赘述。另外，图10的研磨垫400的后侧B的立体结构请参考图8。以下，将就研磨垫400与研磨垫300之间的差异处进行说明。

请参照图10，研磨垫400包括配置于研磨层402的背面BS下方的第一黏着层406a。在本实施方式中，第一黏着层406a黏附于研磨层402的背面BS，且具有暴露出检测窗404的第一开口4O1。详言之，第一黏着层406a仅覆盖于研磨层402的背面BS，并未覆盖检测窗404的底面US，因此得以形成具有暴露出检测窗404的第一开口4O1，且检测窗404的边缘对齐第一开口4O1的边缘。其中，第一黏着层406a例如是(但不限于)：无载体胶、双面胶、热熔胶或湿气硬化胶。第一黏着层406a的材料例如是(但不限于)：压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶，但本实用新型并不限于此。

研磨垫400包括配置于第一黏着层406a下方的基底层410。其中，基底层410的主要作用在于衬垫研磨层402，通过第一黏着层406a的黏合力得以使研磨层402及基底层410连结在一起。另外，由于基底层410仅覆盖于第一黏着层406a，并未覆盖于检测窗404的底面US，而使得基底层410具有暴露出检测窗404的第二开口4O2。而且，检测窗404的边缘对齐第二开口4O2的边缘。在本实施方式中所使用到的基底层410的材质可例如为聚氨酯、聚丁二烯、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物、或聚丙烯与乙烯醋酸乙烯酯的共聚合物，但本实用新型并不限于此。

研磨垫400包括配置于基底层410下方的第二黏着层406b。在本实施方式中，第二黏着层406b黏附于基底层410的远离第一黏着层406a的背面上。换言之，基底层410是介于第一黏着层406a与第二黏着层406b之间。其中，由于第二黏着层406b仅覆盖于基底层410，并未覆盖于检测窗404的底面US，而使得第二黏着层406b具有暴露出检测窗404的第三开口4O3，且检测窗404的边缘对齐第三开口4O3的边缘。在此所使用到的第二黏着层406b可例如是(但不限于)：无载体胶或双面胶。第二黏着层406b的材料例如是(但不限于)：压克力系胶、硅酮系胶、橡胶系胶、环氧树脂系胶或聚氨酯系胶，但本实用新型并不限于此。

在研磨垫400中，检测窗保护层408配置于第二黏着层406b的下方且横跨第二黏着层406b的第三开口4O3。通过第二黏着层406b的黏合力使得基底层410及检测窗保护层408得以黏合在一起。

值得说明的是，在本实施方式中，研磨垫400通过包括配置于第二黏着层406b的下方且横跨第三开口4O3的检测窗保护层408，使得能够有效地保护检测窗404的底面US不会在进入研磨工艺前的运送或存放的过程中沾附外来物。如此一来，在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中，检测窗404的底面US不会沾附脏污或产生刮伤或缺陷，藉此使得在研磨工艺期间，检测窗404能够提供完善的检测效果。

进一步而言，如前文所述，检测窗保护层408是配置于第二黏着层406b的下方，因此检测窗保护层408除了能够有效地保护检测窗404的底面US不会在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中沾附外来物，还能够有效地保护第二黏着层406b，以避免第二黏着层406b的黏性消失。也就是说，在本实施方式中，检测窗保护层408同时具有保护检测窗404及第二黏着层406b的功用。

另外，基于图10的实施方式的内容可知，检测窗保护层408在可见光下具有透光性，藉此使得在装置研磨垫400至研磨平台上时可通过相重叠的检测窗404及检测窗保护层408来与研磨平台上的光学检测系统进行对位后再移除检测窗保护层408以进行研磨垫400与研磨平台的贴合。

另外，由于第一黏着层406a的第一开口4O1、基底层410的第二开口4O2、第二黏着层406b的第三开口4O3皆用以暴露出检测窗404，因此依据检测窗404的数量，第一黏着层406a也可以具有多个第一开口4O1、基底层410也可以具有多个第二开口4O2、且第二黏着层406b也可以具有多个第三开口4O3，但本实用新型并不限于此。

以下，将参照图11A至图11D来说明研磨垫400的制造方法。图11A至图11D是依照本实用新型的另一实施方式的研磨垫的制造流程的剖面示意图。

请参照图11A，首先，形成具有检测窗404的研磨层402。在研磨层402中形成检测窗404的方法可以是任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法，例如利用机械切削的方式于研磨层中裁切出预定大小的检测窗开口后，在前述检测窗开口内灌入检测窗材料，并通过固化程序使检测窗材料固化以形成检测窗。由于研磨层402、检测窗404的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

之后，在研磨层402的背面BS下方依序形成第一黏着层406a、基底层410、第二黏着层406b及暂存层412。此时，第一黏着层406a、基底层410、第二黏着层406b及暂存层412是全面性地覆盖于研磨层402的背面BS下方。换言之，第一黏着层406a、基底层410、第二黏着层406b及暂存层412皆形成于检测窗404的底面US下方。

接着，请参照图11B，对第一黏着层406a、基底层410、第二黏着层406b及暂存层412进行切削移除程序，去除预定部分的第一黏着层406a、基底层410、第二黏着层406b及暂存层412，以于第一黏着层406a中形成暴露出检测窗404的第一开口4O1、在基底层410中形成暴露出检测窗404的第二开口4O2、在第二黏着层406b中形成暴露出检测窗404的第三开口4O3、及于暂存层412中形成暴露出检测窗404的暂存开口Y。也就是说，在本实施方式中，第一开口4O1、第二开口4O2、第三开口4O3及暂存开口Y是在同一个切削移除程序中被同时形成。在此所进行的切削移除程序可使用任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法来进行，例如使用机械切削或电脑数值控制(CNC)激光切割的方式。切削移除程序例如是通过与检测窗404相同形状大小的刀模来进行，或是通过输入与检测窗404相同形状大小的电脑数值控制程序以进行激光切割。而对位的方式例如是以光线自检测窗404的顶面TS透射至研磨垫400的后侧B的方式，或是将检测窗404的顶面TS对准至预形成于切削平台上的对准标记，而刀模或电脑数值控制程序的位置也对准至预形成于切削平台上的对准标记的对位方式，因此第一开口4O1、第二开口4O2、第三开口4O3及暂存开口Y的边缘都会对齐检测窗404的边缘。前述第一黏着层406a及其第一开口4O1、基底层410及其第二开口4O2、第二黏着层406b及其第三开口4O3的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。另外，由于暂存层412的暂存开口Y也用以暴露出检测窗404，因此依据检测窗404的数量，暂存层412也可以具有多个暂存开口Y，但本实用新型并不限于此。

之后，请参照图11C，移除暂存层412，以暴露出第二黏着层406b。在本实施方式中，移除暂存层412可通过撕除的方式来进行

最后，请参照图11D，形成配置于第二黏着层406b的下方且横跨第三开口4O3的检测窗保护层408，以完成研磨垫400的制作。前述检测窗保护层408的其他相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

图12是依照本实用新型的另一实施方式的研磨方法的流程图。此研磨方法适用于研磨物件。详细而言，此研磨方法可应用于制造工业元件的研磨工艺，例如是应用于电子产业的元件，其可包括半导体、集成电路、微机电、能源转换、通讯、光学、存储盘、及显示器等元件，而制作这些元件所使用的物件可包括半导体晶圆、ⅢⅤ族晶圆、存储元件载体、陶瓷基底、高分子聚合物基底、及玻璃基底等，但并非用以限定本实用新型的范围。

请参照图12，首先，进行步骤S20，提供研磨垫。详细而言，在本实施方式中，研磨垫可以是图7、图10的实施方式中所述的研磨垫300、400。而前述研磨垫300、400的相关描述已于前文进行详尽地说明，故于此不再赘述。

接着，进行步骤S22，移除研磨垫300、400中的检测窗保护层308、408，以使研磨垫300、400配置于研磨平台上。详言之，如前文所述，检测窗保护层308是配置于黏着层306的下方以及检测窗保护层408是配置于第二黏着层406b的下方，因此移除检测窗保护层308、408后会使得黏着层306及第二黏着层406b暴露出。基于此，研磨垫300是以贴合方式通过黏着层306而黏着固定于研磨平台上，而研磨垫400是以贴合方式通过第二黏着层406b而黏着固定于研磨平台上。

接着，进行步骤S24，对物件施加压力。藉此，物件会被压置于所述研磨垫上，并与所述研磨垫接触。在此步骤S24中，物件会与研磨层302、402的研磨面PS相接触。另外，对物件施加压力的方式例如是使用能够固持物件的载具来进行。

之后，进行步骤S26，对物件及研磨垫提供相对运动，以利用研磨垫对物件进行研磨程序，而达到平坦化的目的。在此步骤S26中，对物件及研磨垫提供相对运动的方法例如是：通过研磨平台进行旋转来带动固定于研磨平台上的研磨垫旋转。

另外，前述各实施方式中，检测窗保护层与检测窗之间的开口内可以置入支撑层，例如是泡棉塞去填满开口，以避免开口在使用前受到不当的外力而造成变形。而在使用研磨垫之前，也就是装置研磨垫于研磨平台的过程，可将检测窗保护层与检测窗之间的开口支撑层移除。

综上所述，本实用新型的研磨垫通过包括配置于黏着层的下方且横跨黏着层的开口的检测窗保护层，或者通过包括配置于第二黏着层的下方且横跨第二黏着层的开口的检测窗保护层，藉此使得在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中或是装置研磨垫的过程中，检测窗保护层能够保护检测窗的底面不会沾附外来物或产生刮伤或缺陷，进而使得在研磨工艺期间，检测窗能够提供完善的检测效果。

另外，本实用新型的研磨垫通过包括检测窗保护层，使得可以防止在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中水气经由检测窗下方的黏着层或是基底层的开口渗透到黏着层或是基底层，因而黏着层的黏着力或是基底层的物性不会受到破坏进而确保研磨垫的品质良好。

另外，检测窗保护层也可有效地防止研磨垫的离型层在进入研磨工艺前的运送及存放的过程中因为应力的关系产生皱折，使得研磨垫原本互相黏接的离型层与黏着层不会因皱折而产生剥离，进而导致黏着层可能沾附外来物而影响黏着力。

虽然本实用新型已以实施方式揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本实用新型的保护范围当视权利要求所界定者为准。