1.无电镀基底膜形成用组合物，其包含：
（a）导电性聚合物，
（b）选自聚酯多元醇树脂和聚醚多元醇树脂中的1种以上树脂，和
（c）多异氰酸酯化合物。
2.根据权利要求1所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述（b）成分和所述（c）成分的合计相对于所述无电镀基底膜形成用组合物中的不挥发性成分的比例为8～90质量%。
3.根据权利要求1或2所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述（c）成分中的异氰酸酯基相对于所述（b）成分中的羟基的摩尔比为0.1～10.0。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述（c）成分为嵌段多异氰酸酯化合物。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，还包含聚氨酯树脂。
6.根据权利要求5所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述（c）成分相对于所述（a）成分、所述（c）成分和所述聚氨酯树脂的合计的比例大于5质量%。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，还包含环氧树脂。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述（a）成分为取代或未取代的聚苯胺。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述（a）成分为取代或未取代的聚苯胺通过掺杂剂被掺杂而得到的聚苯胺复合体。
10.根据权利要求9所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述掺杂剂为由下述式（iii）表示的磺基琥珀酸衍生物产生的有机酸离子，
[化学式6]
式（iii）中，m为氢原子、有机游离基或无机游离基，m’为m的价数，r13及r14各自独立地为烃基或-（r15o）r-r16基，r15各自独立地为烃基或亚甲硅基，r16为氢原子、烃基或r173si-基，r为1以上的整数，r17各自独立地为烃基。
11.根据权利要求10所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，所述磺基琥珀酸衍生物为二-（2-乙基己基）琥珀酸酯磺酸钠。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，其中，还包含溶剂。
13.无电镀基底膜，其是由权利要求1～12中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物得到的。
14.镀覆层叠体，其包含：
基材，
权利要求13所述的无电镀基底膜，和
包含金属的无电镀层，
所述无电镀层与所述无电镀基底膜接触。
15.根据权利要求14所述的镀覆层叠体，其中，所述金属为铜。
16.根据权利要求14或15所述的镀覆层叠体，其中，所述基材由树脂构成。
17.根据权利要求16所述的镀覆层叠体，其中，所述基材由聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、或聚苯硫醚树脂构成。
18.无电镀基底膜的制造方法，其中，使用权利要求1～12中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物。
19.镀覆层叠体的制造方法，其包括下述工序：
（i）使用权利要求1～12中任一项所述的无电镀基底膜形成用组合物，在基材上形成无电镀基底膜的工序，和
（ii）在所述无电镀基底膜上形成包含金属的无电镀层的工序。
20.根据权利要求19所述的镀覆层叠体的制造方法，其中，所述工序（ii）中，在所述无电镀基底膜上担载钯，然后，使担载有钯的所述无电镀基底膜与无电镀液接触，由此，形成所述无电镀层。
21.根据权利要求20所述的镀覆层叠体的制造方法，其中，通过使氯化钯溶液与所述无电镀基底膜接触来进行钯在所述无电镀基底膜上的担载。
22.根据权利要求20或21所述的镀覆层叠体的制造方法，其中，所述无电镀液包含选自cu、ni、au、pd、ag、sn、co及pt中的1种以上金属。