1.一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、设定原子层沉积系统反应腔温度为320℃～380℃，压力值控制在1.19torr～1.3torr之间；
步骤二、利用原子层沉积法制备氧化铝薄膜，具体制备过程如下：
①向原子层沉积系统反应腔通入第一反应物三甲基铝，流量为200sccm～400sccm，通入时间为2s～7s；
②通入氮气n2吹扫三甲基铝，通入时间为3s～10s；
③通入第二反应物臭氧o3，通入时间为10s～35s；
④继续通入氮气n2，时间为5s～20s；
步骤①至步骤④形成一个循环，重复该循环，得到氧化铝薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，所述步骤一中设定原子层沉积系统反应腔温度为350℃。
3.根据权利要求1或2所述的一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，所述步骤二利用原子层沉积法制备氧化铝薄膜制备过程如下：通入第一反应物三甲基铝，流量为300sccm，通入时间为5s；通入氮气n2吹扫三甲基铝，通入时间为7s；通入第二反应物臭氧o3，通入时间为20s；继续通入氮气n2，时间为10s；步骤①至步骤④形成一个循环，重复该循环，得到氧化铝薄膜。
4.根据权利要求3所述的一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，其特征在于，步骤二中所述循环重复178次，氧化铝薄膜的厚度为