技术总结
一种用原子层沉积技术生长氧化铝的工艺，属于半导体制造领域，本发明是以三甲基铝为铝源，以臭氧为氧源，氮气为载气，衬底为硅片，设置原子层沉积系统反应腔温度为320℃～380℃，制备氧化铝薄膜，本工艺使得温度升高，既可以提高氧化铝薄膜的生长速率，又不会因为温度过高而降低薄膜的质量。同时抑制了高温退火可能对前期工艺性能所造成的影响，使得材料生长过程不再需要任何的加热过程，极大的降低了制造过程中的能源消耗，并使其片内均匀性可达0.5％以下。
技术研发人员：刘佳晶;陈艳明;叶武阳;温丽娜
受保护的技术使用者：长春长光圆辰微电子技术有限公司
技术研发日：2019.10.31
技术公布日：2020.02.07