1.一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，其特征在于，包括：在太赫兹器件表面沉积导热薄膜。
2.如权利要求1所述的提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，其特征在于，所述太赫兹器件为太赫兹量子级联激光器。
3.如权利要求1所述的提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，其特征在于，所述导热薄膜为氮化铝薄膜。
4.如权利要求2所述的提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，其特征在于，所述沉积采用的方法为脉冲激光沉积法。
5.如权利要求4所述的提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积法的过程为：将太赫兹量子级联激光器的出光面用胶遮盖，然后装入脉冲激光沉积设备中，采用aln陶瓷靶进行沉积，设置固定频率的脉冲激光，用脉冲激光轰击aln陶瓷靶一定时间；设置沉积参数：抽真空，真空度5×10-5pa，激光能量200mj，频率2hz，靶基距10cm，沉积发数144000，分三次沉积，沉积温度为室温，其中，沉积发数为脉冲激光轰击靶材的次数，且在沉积过程中使器件进行旋转以保证沉积薄膜的均匀性。
6.如权利要求3所述的提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，其特征在于，所述氮化铝薄膜的厚度为0.8～1.2μm。