本发明涉及基板抛光技术领域，尤其涉及n-si基板的抛光工艺。
背景技术：
基板是制造pcb的基本材料，一般情况下，基板就是覆铜箔层压板，单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。
现有的n-si基板抛光工艺大多只进行粗抛和精抛，导致基板的抛光程度存在达不到要求的可能性，并且现有的基板抛光工艺在抛光完成后大多只经过简单处理，导致其表面可能残留废渣和氧化物，从而降低了其质量。
技术实现要素：
本发明的目的在于：为了解决现有基板抛光工艺不够完善及其表面氧化物灯不能进行很好的处理，影响质量的问题，而提出的n-si基板的抛光工艺。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
n-si基板的抛光工艺，包括如下步骤：
a、粗抛光：采用ph值为7、浓度为20％，粒径为5μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2，抛光盘转速为80rpm；
b、精抛光：采用ph值为7，浓度为20％，粒径为2μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为70rpm；
c、化学机械抛光：采用ph为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以h2o2和硅溶液比为1:10的比例范围加入h2o2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为60rpm；
d、对n-si基板进行进行切割；
e、将切割后的n-si基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中，通过超声波振荡器清洗15-20分钟；
f、清洗完成后将n-si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中，利用超声波振荡器清洗15-20分钟；
g、完成清洗后将n-si基板放置于装有去离子水的烧杯中；
h、完成操作后，检查基板表面是否有残留物，有则重复e-g步骤操作；
i、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，即完成抛光工艺。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述步骤a-c中均采用抛光布辅助进行。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述粗抛光时间在10分钟-30分钟，精抛光时间在30分钟-1小时，化学机械抛光时间在1小时-1.5小时。
作为上述技术方案的进一步描述：
所述步骤d中基板切割大小根据需要进行选择。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
1、本发明中，采用ph为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以h2o2和硅溶液比为1:10的比例范围加入h2o2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为60rpm，抛光时间在1.2小时，实现对于基板的进一步精准抛光，增加抛光的平滑度。
2、本发明中，将切割后的n-si基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中，通过超声波振荡器清洗15分钟，清洗完成后将n-si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中，利用超声波振荡器清洗15分钟，完成清洗后将n-si基板放置于装有去离子水的烧杯中，检查基板表面是否有残留物，使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，以上即完成清洗，并减小表面氧化物的产生。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
n-si基板的抛光工艺，包括如下步骤：
a、粗抛光：采用ph值为7、浓度为20％，粒径为5μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2，抛光盘转速为80rpm，采用抛光布辅助进行，时间在15分钟；
b、精抛光：采用ph值为7，浓度为20％，粒径为2μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为70rpm，采用抛光布辅助进行，精抛光时间在40分钟；
c、化学机械抛光：采用ph为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以h2o2和硅溶液比为1:10的比例范围加入h2o2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为60rpm，采用抛光布辅助进行，化学机械抛光时间在1.2小时；
d、对n-si基板进行进行切割，切割大小根据需要进行选择；
e、将切割后的n-si基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中，通过超声波振荡器清洗15分钟，目的是将基板表面残留氧化物、油污、废渣等附着物清除；
f、清洗完成后将n-si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中，利用超声波振荡器清洗15分钟，目的是将基板表面残留的丙酮溶液清洗干净；
g、完成清洗后将n-si基板放置于装有去离子水的烧杯中，目的是将残留的甲醇溶液清洗干净；
h、完成操作后，检查基板表面是否有残留物，有则重复e-g步骤操作；
i、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，减小表面氧化物的产生，即完成抛光工艺。
实施例2
n-si基板的抛光工艺，包括如下步骤：
a、粗抛光：采用ph值为7、浓度为20％，粒径为5μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2，抛光盘转速为80rpm，采用抛光布辅助进行，时间在25分钟；
b、精抛光：采用ph值为7，浓度为20％，粒径为2μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为70rpm，采用抛光布辅助进行，精抛光时间在50分钟；
c、化学机械抛光：采用ph为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以h2o2和硅溶液比为1:10的比例范围加入h2o2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为60rpm，采用抛光布辅助进行，化学机械抛光时间在1.4小时；
d、对n-si基板进行进行切割，切割大小根据需要进行选择；
e、将切割后的n-si基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中，通过超声波振荡器清洗20分钟，目的是将基板表面残留氧化物、油污、废渣等附着物清除；
f、清洗完成后将n-si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中，利用超声波振荡器清洗20分钟，目的是将基板表面残留的丙酮溶液清洗干净；
g、完成清洗后将n-si基板放置于装有去离子水的烧杯中，目的是将残留的甲醇溶液清洗干净；
h、完成操作后，检查基板表面是否有残留物，有则重复e-g步骤操作；
i、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，减小表面氧化物的产生，即完成抛光工艺。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。