1.一种利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)向溅射设备的真空室内通入氢气，使得所述真空室内的初始压力达0.1-0.2pa；所述溅射设备中，硅片作为阳极基台；
所述溅射设备的阴极接有直流电源，通入氢气的同时，控制所述直流电源的初始输出电压为2-3kv，持续1-2s；此过程中气体产生辉光放电；
2)与此同时，继续匀速向所述溅射设备的真空室通入氩氢混合气，直至所述真空室内的实际压力达3-4pa，在此过程中，继续保持所述直流电源的输出电压为2-3kv，持续3-4s；其中所述氩氢混合气中氢气的体积占比为1％；
3)继续匀速向所述溅射设备的真空室通入所述氩氢混合气，直至所述真空室内的实际压力达8-10pa，在此过程中，逐步匀速降低所述直流电源的输出电压至1-1.2kv，持续8-10s；
4)控制所述溅射设备的阳极基台匀速靠近所述溅射设备的溅射靶，且在此过程中，逐步匀速降低所述直流电源的输出电压，直至0.7-0.75kv，此输出电压降低过程耗时10s；
5)继续保持所述直流电源的输出电压0.7-0.75kv20s，最终在所述阳极基台上形成三氧化二铝薄膜；
其中，上述步骤1)至步骤5)中，始终保持所述阳极基台匀速旋转；
上述步骤2)至步骤4)中，控制所述阳极基台与所述溅射靶之间逐步靠近，直至二者之间的距离达预设值。
2.根据权利要求1所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，所述阳极基台以转速900-1000r/min匀速旋转。
3.根据权利要求1所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所述氢气在1-2s内匀速通入进所述溅射设备的真空室内。
4.根据权利要求1所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，所述溅射设备包括：
壳体，其内设真空室；
溅射靶与阳极基台，均水平位于所述真空室内，且二者相隔一定距离，形成溅射空间；所述溅射靶和所述阳极基台在外部动力电机的带动下可实现匀速的相互靠近和远离；所述阳极基台在外部电机的带动下实现旋转；
一对围挡，其分别通过一对伸缩部件可拆卸的竖直安装在所述真空室的顶端、底端，当所述直流电源通电时，一对所述围挡分别在对应的所述伸缩部件的带动下向彼此靠近，直至实现无缝对接则停止移动，从而形成环形的围挡空间，实现对所述溅射空间的围挡。
5.根据权利要求4所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，所述围挡为两端敞开的圆筒状结构。
6.根据权利要求4所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，所述围挡可拆卸安装在相应的所述伸缩部件上，随着所述伸缩部件的伸缩，所述围挡上下移动。
7.根据权利要求4所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，所述围挡的内侧可拆卸设置待表面包覆薄膜的片状板材。
8.根据权利要求4所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，一对所述围挡的高度之和为h1，所述溅射靶与所述阳极基台之间的距离为h2，h1略大于h2；且当一对所述围挡彼此靠近，直至实现无缝对接时，一对所述围挡所形成的套设空间恰好将所述溅射空间套设在内。
9.根据权利要求4所述的利用直流反应溅射法制备三氧化二铝薄膜的方法，其特征在于，所述阳极基台在靠近或远离所述溅射靶的过程中还可同步旋转。