一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法与流程

本发明属于硅片生产技术领域，尤其是涉及一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法。

背景技术：

在进行硅片的边抛时，采用边抛液进行边抛，但在边抛过程中，边抛液的ph值会降低，为了增加边抛的ph值，就需要对边抛液进行补液，现有技术中，只有当边抛液的总量降低至30l时才进行补液，增加了原料的消耗，同时边抛液的ph值范围难以控制。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本发明提供一种硅片边抛补液系统、补液方法及硅片边抛方法，以解决现有技术存在的以上或者其他前者问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片边抛补液系统，包括补充液盛装装置、边抛液ph检测装置、边抛液供给箱、供液动力装置和控制装置，其中，

边抛液ph检测装置设于边抛液供给箱上，对边抛液供给箱中的边抛液的ph值进行检测；

供液动力装置分别与边抛液供给箱和补充液盛装装置连接，为边抛液供给箱供给补充液；

边抛液ph检测装置与供液动力装置均与控制装置电连接，控制装置根据边抛液ph检测装置检测的边抛液ph值信号控制供液动力装置动作。

进一步的，还包括流量检测装置，流量检测装置设于供液动力装置的出液端，检测进入边抛液供给箱的补充液的流量。

进一步的，边抛液ph检测装置为ph检测仪。

进一步的，供液动力装置为供液泵。

进一步的，控制装置为plc控制器。

一种硅片边抛补液方法，采用上述的硅片边抛补液系统进行补液，在进行补液的过程中，设定供液动力装置流量、边抛液ph检测装置的ph值的上限值和下限值，使得补充液盛装装置对边抛液供给箱进行补液。

进一步的，供液动力装置的流量为10ml/s。

进一步的，ph值的上限值为10.30-10.50。

进一步的，ph值的下限值为10.00-10.20。

一种硅片边抛方法，在硅片边抛的过程中，采用上述的硅片边抛液补液方法进行边抛液补液，同时设定不同的工位的参数，参数包括：

v槽工位：抛光压力为4-11n,抛光时间为20-50s，抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度；

边缘工位：抛光头转速为220-300rmp，时间为40-80s；

抛光液ph值为10-12。

由于采用上述技术方案，使得硅片边抛补液系统结构简单，使用方便，方便安装和维修，具有供液动力装置、边抛液ph检测装置和流量检测装置，能够根据检测到的边抛液的ph值是否在设定的上限值和下限值内，控制供液动力装置动作，对边抛液的ph值进行调节，时时根据边抛液的ph值进行补充液的供给，时时进行边抛液的ph值调节，简单方便，不用等到边抛液的总量达到设定值时再进行ph值调节，降低硅片边缘粗糙度，防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象，减少边缘应力，降低发生边缘崩边、裂片等风险。

附图说明

图1是本发明的一实施例的结构示意图。

图中：

1、补充液盛装装置2、供液动力装置3、边抛液供给箱4、流量检测装置5、边抛液ph检测装置

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。

图1示出了本发明的一实施例的结构示意图，本实施例涉及一种硅片边抛补液系统、、补液方法及硅片边抛方法，用于对硅片进行边抛使用，该硅片边抛补液系统与边抛机连接，用于对边抛机进行边抛液补液，保证边抛液的ph值，进而保证边抛液的浓度，便于对硅片进行边抛，采用该补液系统对硅片进行边抛，减少硅片的边缘应力，降低硅片边抛时边缘崩边、裂片等风险。

一种硅片边抛补液系统，如图1所示，包括补充液盛装装置1、边抛液ph检测装置5、边抛液供给箱3、供液动力装置2和控制装置，其中，补充液盛装装置1用于盛装补充液，边抛液供给箱3用于盛装边抛液，并将边抛液供应给边抛机(图中未示出)，保证边抛机对硅片进行边抛；

边抛液ph检测装置5设于边抛液供给箱3上，对边抛液供给箱3中的边抛液的ph值进行检测，时时检测边抛液供给箱3中边抛液的ph值，保证供应给边抛机的边抛液符合要求，满足硅片边抛时的边抛液的使用需求；

供液动力装置2分别与边抛液供给箱3和补充液盛装装置1连接，为边抛液供给箱3供给补充液，通过供液动力装置2动作，将补充液盛装装置1中的补充液输送至边抛液供给箱3内，为边抛液供给箱3提供补充液，保证边抛液供给箱3内边抛液的ph值；

边抛液ph检测装置5与供液动力装置2均与控制装置电连接，控制装置根据边抛液ph检测装置5检测的边抛液供给箱3内边抛液的ph值信号控制供液动力装置2动作，边抛液ph检测装置5时时检测边抛液供给箱3内边抛液的ph值，当边抛液供给箱3中边抛液的ph值下降至规定要求下限值之下后，控制装置控制供液动力装置2动作，将补充液盛装装置1内的补充液输送至边抛液供给箱3内，使得补充液与边抛液供给箱3内的边抛液混合，提高边抛液的ph值，使得边抛液的ph值满足硅片边抛时的使用需求；当边抛液供给箱3中的边抛液的ph值上升至规定要求的上限值之后，控制装置控制供液动力装置2停止动作，停止向边抛液供给箱3内供给补充液，使得边抛液供给箱3内的边抛液ph值时时满足使用需求。

进一步优化方案，该硅片边抛补液系统还包括流量检测装置4，流量检测装置4设于供液动力装置2的出液端，检测进入边抛液供给箱3的补充液的流量，流量检测装置4的设置，使得供液动力装置2将补充液运输至边抛液供给箱3内的补充液的流量得到量化，便于操作人员观察进入边抛液供给箱3内的补充液的流量，同时，可以控制进入边抛液供给箱3内补充液的流量，使得补充液逐步进入边抛液供给箱3内，逐步改善边抛液供给箱3内边抛液的ph值，同时保证边抛液供给箱3内边抛液的ph值不会超过规定的上限值。同时，操作人员可以根据流量检测装置4测定的供液动力装置2的流量，设定边抛液供给箱3对边抛机边抛液的供给量，使得边抛液供给箱3内的边抛液总量不会超过上限，从边抛液供给箱3流出

上述的边抛液ph检测装置5为ph检测仪，为市售产品，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。

上述的供液动力装置2为供液泵，为补充液盛装装置1内的补充液进入边抛液供给箱3中提供动力，使得补充液盛装装置1内的补充液进入边抛液供给箱3中，该供液泵为市售产品，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。

上述的流量检测装置4为流量计，为市售产品，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。

上述的控制装置为plc控制器，预设有编辑好的程序，同时，预设有边抛液的ph值的上限值和下限值，便于控制装置根据边抛液ph检测装置5检测的边抛液供给箱3内的边抛液的ph值，并与预设的上限值和下限值做对比，控制供液动力装置2动作，控制补充液盛装装置1内的补充液进入补充液供给箱3的量，控制边抛液供给箱3内边抛液的ph值，使之满足使用需求。

该硅片边抛补液系统在使用时，将补充液盛装装置1与供液动力装置2的进液口连接，将供液动力装置2的出液口与边抛液供给箱3连接，同时，将边抛液供给箱3与边抛机系统连接，使得边抛液供给箱3能够为边抛机供应边抛液，补充液在供液动力装置2的作用下进入边抛液供给箱3内，为边抛液供给箱3提供补充液，改善边抛液供给箱3内边抛液的ph值，使得边抛液供给箱3内的边抛液的ph值满足使用需求，同时，将边抛液ph检测装置5安装在边抛液供给箱3上，对边抛液供给箱3内的边抛液的ph值时时进行检测，同时，在供液动力装置2的出液端安装有流量检测装置4，优选的，该流量检测装置4安装在供液动力装置2出液口与边抛液供给箱3的连接管道上，检测进入边抛液供给箱3内的补充液的流量，使得补充液时时进入边抛液供给箱3内，改善边抛液的ph值。

控制装置分别与流量检测装置4和边抛液ph检测装置5连接，根据边抛液ph检测装置5检测到的边抛液的ph值，控制供液动力装置2动作，使得补充液盛装装置1中的补充液进入边抛液供给箱3中，调节边抛液供给箱3中的边抛液的ph值，当边抛液供给箱3中边抛液的ph值下降到设置的下限时，控制装置控制供液动力装置2动作，对边抛液供给箱3进行补充液的供给；当边抛液供给箱3中的边抛液的ph值达到设置的上限值时，控制装置控制供液动力装置2停止补充液的供应；在此过程中，流量检测装置4检测进入边抛液供给箱3中的流量，使得补充液按照设定流速进入边抛液供给箱3，调节边抛液的ph值。

上述的补充液为碱液，在本实施例中，优选为氢氧化钾溶液。

实施例一

一种硅片边抛补液方法，在进行补液的过程中，设定供液动力装置2流量、边抛液ph检测装置5的ph值的上限值和下限值，使得补充液盛装装置1对边抛液供给箱3进行补液。供液动力装置2的流量为10ml/s，ph值的上限值为10.30-10.50，ph值的下限值为10.00-10.20，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求，在本实施例中，ph值的上限值为10.30，ph值的下限值为10.00，根据设定的边抛液的ph值的上限值和下限值，进行进入边抛液供给箱3内的补充液的控制。该补充液为碱液，优选的，在本实施例中，该补充液为氢氧化钾溶液。

一种硅片边抛方法，在硅片边抛的过程中，采用上述硅片边抛补液方法进行边抛液补液，同时，设定不同的工位的参数，参数包括：

v槽工位：抛光压力为4-11n,抛光时间为20-50s，抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度，优选的，在本实施例中，抛光头的压力为11n，抛光时间为50s；

边缘工位：抛光头转速为220-300rmp，时间为50-70s，优选的，在本实施例中，抛光头转速为300rmp，时间为70s；

抛光液ph值为10-12。

实施例二

一种硅片边抛补液方法，在进行补液的过程中，设定供液动力装置2流量、边抛液ph检测装置5的ph值的上限值和下限值，使得补充液盛装装置1对边抛液供给箱3进行补液。供液动力装置2的流量为10ml/s，ph值的上限值为10.10-10.20，ph值的下限值为10.00-10.09，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求，在本实施例中，ph值的上限值为10.18，ph值的下限值为10.05，根据设定的边抛液的ph值的上限值和下限值，进行进入边抛液供给箱3内的补充液的控制。该补充液为碱液，优选的，在本实施例中，该补充液为氢氧化钾溶液。

一种硅片边抛方法，在硅片边抛的过程中，采用上述硅片边抛补液方法进行边抛液补液，同时，设定不同的工位的参数，参数包括：

v槽工位：抛光压力为4-11n,抛光时间为20-50s，抛光角度为0度、40-50度和-(40-50)度，优选的，在本实施例中，抛光头的压力为4n，抛光时间为20s；

边缘工位：抛光头转速为220-300rmp，时间为40-80s，优选的，在本实施例中，抛光头转速为220mp，时间为40s；

抛光液ph值为10-12。

采用上述参数进行设定，并进行硅片的边抛，同时，采用硅片边抛补液系统进行补液，对边抛液的ph值进行调节，使得边抛液的ph值维持在设定的范围内，降低硅片边缘粗糙度，防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象，减少边缘应力，降低发生边缘崩边、裂片等风险。

由于采用上述技术方案，使得硅片边抛补液系统结构简单，使用方便，方便安装和维修，具有供液动力装置、边抛液ph检测装置和流量检测装置，能够根据检测到的边抛液的ph值是否在设定的上限值和下限值内，控制供液动力装置动作，对边抛液的ph值进行调节，时时根据边抛液的ph值进行补充液的供给，时时进行边抛液的ph值调节，简单方便，不用等到边抛液的总量达到设定值时再进行ph值调节，降低硅片边缘粗糙度，防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象，减少边缘应力，降低发生边缘崩边、裂片等风险。

以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。