技术特征：
1.一种金属包层的聚合物膜，其包含粘附至第一金属层的聚合物膜，其中：所述聚合物膜包含第一热塑性聚酰亚胺层，其中所述第一热塑性聚酰亚胺层衍生自包含以下项的至少三种单体：具有醚官能度的第一二酐；70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基苯氧基)苯的第一二胺；以及0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺；所述聚合物膜与所述第一金属层之间的界面的均方根粗糙度(s
q
)小于1μm；当根据ipc
‑
tm
‑
650测试方法测试具有25μm至75μm的厚度的聚合物膜和具有18μm的厚度的第一金属层时，在150℃下老化168小时之后，所述聚合物膜与所述第一金属层之间的剥离强度大于5n/cm；并且所述第一金属层的厚度是12μm或更小。2.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第一二酐选自由以下项组成的组：4,4
’‑
氧二邻苯二甲酸酐(odpa)、3,3’,4,4
’‑
联苯四甲酸二酐(bpda)、2,3’,3,4
’‑
联苯四甲酸二酐(a
‑
bpda)、2,2’,3,3
’‑
联苯四甲酸二酐(i
‑
bpda)、4,4
’‑
(3,4
‑
二羧基苯氧基)二苯硫醚二酐、1,4
‑
双(3,4
‑
二羧基苯氧基)苯二酐(hqda)、1,3
‑
双(2,3
‑
二羧基苯氧基)苯二酐、2,2’,3,3
’‑
氧二邻苯二甲酸酐、4,4
’‑
双(3,4
‑
二羧基
‑
苯氧基)联苯胺二酐和4,4
’‑
双(3,4
‑
二羧基
‑
苯氧基苯基)醚二酐。3.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第一热塑性聚酰亚胺层包含50mol％至99.9mol％的所述第一二酐，并且进一步包含0.01mol％至50mol％的具有酮官能度的第二二酐。4.如权利要求3所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第二二酐选自由3,3’,4,4
’‑
二苯甲酮四甲酸二酐(btda)和2,3’,3,4
’‑
二苯甲酮四甲酸二酐组成的组。5.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述第二二胺选自由以下项组成的组：4,4
’‑
二氨基苯甲酰苯胺(daba)、2
‑
(4
‑
氨基苯基)
‑5‑
氨基苯并咪唑(dapbi)、2
‑
(3
‑
氨基苯基)
‑5‑
氨基苯并咪唑、以及2,6
‑
双(5
‑
氨基苯氧基)吡啶。6.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其进一步包含在与所述第一金属层相反的一侧上粘附至所述聚合物膜的第二金属层。7.如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述聚合物膜进一步包含在与所述第一金属层相反的一侧上与所述第一热塑性聚酰亚胺层接触的第一热固性聚酰亚胺层。8.如权利要求7所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述聚合物膜进一步包含在与所述第一热塑性聚酰亚胺层相反的一侧上与所述第一热固性聚酰亚胺层接触的第二热塑性聚酰亚胺层。9.如权利要求8所述的金属包层的聚合物膜，其进一步包含与所述聚合物膜的所述第二热塑性聚酰亚胺层接触的第二金属层。10.如权利要求8所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述聚合物膜进一步包含：在与所述第一热固性聚酰亚胺层相反的一侧上与所述第二热塑性聚酰亚胺层接触的第二热固性聚酰亚胺层；在与所述第二热塑性聚酰亚胺层相反的一侧上与所述第二热固性聚酰亚胺层接触的
第三热塑性聚酰亚胺层；以及在与所述第二热固性聚酰亚胺层相反的一侧上与所述第三热塑性聚酰亚胺层接触的第二金属层。11.如权利要求10所述的金属包层的聚合物膜，其中：所述第三热塑性聚酰亚胺层衍生自包含以下项的至少三种单体：具有醚官能度的第一二酐；70mol％至99.9mol％的选自1,3
‑
双(4
‑
氨基苯氧基)苯和1,3
‑
双(3
‑
氨基苯氧基)苯的第一二胺；以及0.1mol％至30mol％的具有氢键合的第二二胺；所述聚合物膜与所述第二金属层之间的界面的均方根粗糙度(s
q
)小于1μm；当根据ipc
‑
tm
‑
650测试方法测试具有25μm至75μm的厚度的聚合物膜和具有18μm的厚度的第一金属层时，在150℃下老化168小时之后，所述聚合物膜与所述第二金属层之间的剥离强度大于5n/cm；并且所述第二金属层的厚度小于12μm。12.如权利要求10所述的金属包层的聚合物膜，其中，所述聚合物膜进一步包含在所述第二热塑性聚酰亚胺层与所述第二热固性聚酰亚胺层之间的第四热塑性聚酰亚胺层。13.一种电子装置，其包含如权利要求1所述的金属包层的聚合物膜。
技术总结
在第一方面，金属包层的聚合物膜包含粘附至第一金属层的聚合物膜。聚合物膜与第一金属层之间的界面的均方根粗糙度(S
技术研发人员：H
受保护的技术使用者：罗门哈斯电子材料有限公司
技术研发日：2021.04.06
技术公布日：2021/10/11