一种可调式平面阴极结构及其镀膜设备的制作方法

1.本实用新型涉及镀膜设备领域，特别涉及一种可调式平面阴极结构及其镀膜设备。


背景技术：

2.镀膜设备包括磁控溅射镀膜设备。
3.磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
4.磁控溅射过程中由于靶材上方的基板固定设置，表面完全暴露，镀膜设备中进入的粒子会在各处产生出ar正离子和新的电子，导致粒子的利用率较低。
5.因此，发明一种可调式平面阴极结构及其镀膜设备来解决上述问题很有必要。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种可调式平面阴极结构及其镀膜设备，以解决上述背景技术中提出的问题。
7.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可调式平面阴极结构，包括壳体，所述壳体呈矩形箱体结构，所述壳体内部的上下方分别设置有基片与靶材，基片、靶材对应，壳体的上方内部还设置有遮挡板组件，所述壳体的侧面设置有控制遮挡板组件转动以遮挡在基片表面的驱动单元。
8.优选的，所述壳体的一侧设置有第一口，另一侧设置有第二口。
9.本实施例中，根据磁控溅射的工作原理，从第一口位置向壳体中输送粒子，粒子在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子，新电子飞向基片，ar离子在电场作用下加速飞向靶材，并以高能量轰击靶材表面，使靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在靶材上形成薄膜；
10.考虑到粒子的利用率，在壳体的上端内部设置有遮挡板组件，将不对应在靶材上方的基片利用遮挡板组件遮挡住，可避免粒子中的新电子飞向基片，在靶材上方对应的遮挡板组件打开将基片露出时，粒子中的新电子才会飞向基片，此时，靶材表面也产生镀膜，提高了粒子的利用率，镀膜针对性高。
11.优选的，所述遮挡板组件包括左右贴合固定的遮光板与透光板，所述遮光板的上端固定设置有传动轴，所述驱动单元包括固定在壳体侧面的传动部件，所述传动部件传动连接在传动轴的端部。
12.需要说明的是，当驱动单元驱动遮挡板组件贴合在基片表面时将基片贴合，其中，遮挡板组件包括遮光板与透光板，遮光板贴合在基片的表面，透光板远离遮光板的一面，传
动部件可使用电机等装置，传动部件通过传动轴控制遮光板转动。
13.优选的，所述遮挡板组件沿着壳体的长度方向分布有多组。
14.进一步的，可根据靶材的长度大小控制对应位置的遮挡板组件打开将基片暴露，可根据实际需求进行选用。
15.优选的，所述壳体的下端内部设置有内部槽，所述内部槽的内部设有led灯，内部槽的顶部设置有支撑在靶材底部的玻璃板。
16.具体的，led灯产生的光可垂直向上透过玻璃板之后照射在基片上，具体的，当靶材将透过玻璃板的光遮挡时，靶材上方对应的遮挡板组件接收不到光，其余位置的遮挡板组件可接收到光，光透过透光板之后照射在监测单元上，监测单元接收到光信号之后控制传动部件转动，从而使靶材上方位置的遮挡板组件呈竖直状态将基片露出、靶材周围位置的遮挡板组件呈贴合在基片表面的状态，将基片遮挡住；
17.具体的，考虑到遮挡板组件需要复位，因此，将监测单元设置于透光板、遮光板之间，当监测单元接收不到光信号时，控制传动部件转动带动遮挡板组件呈竖直状态；
18.其中，监测单元与传动部件之间通过控制器控制。
19.优选的，所述遮光板与透光板之间夹合固定有监测单元。
20.其中，监测单元可使用灯光传感器等装置。
21.优选的，所述遮挡板组件的长度与壳体的内部宽度一致，遮挡板组件的宽度等于多组遮挡板组件之间设置的间距。
22.装置中，遮挡板组件的长宽设置合理。
23.本实用新型还公开了一种镀膜设备，包括如上任一所述的可调式平面阴极结构。
24.本实用新型的技术效果和优点：
25.1、本实用新型的一种可调式平面阴极结构，包括壳体，所述壳体呈矩形箱体结构，所述壳体内部的上下方分别设置有基片与靶材，基片、靶材对应，壳体的上方内部还设置有遮挡板组件，所述壳体的侧面设置有控制遮挡板组件转动以遮挡在基片表面的驱动单元，考虑到粒子的利用率，在壳体的上端内部设置有遮挡板组件，将不对应在靶材上方的基片利用遮挡板组件遮挡住，可避免粒子中的新电子飞向基片，在靶材上方对应的遮挡板组件打开将基片露出时，粒子中的新电子才会飞向基片，此时，靶材表面也产生镀膜，提高了粒子的利用率，镀膜针对性高；
26.2、本实用新型的一种可调式平面阴极结构及其镀膜设备，led灯产生的光可垂直向上透过玻璃板之后照射在基片上，具体的，当靶材将透过玻璃板的光遮挡时，靶材上方对应的遮挡板组件接收不到光，其余位置的遮挡板组件可接收到光，光透过透光板之后照射在监测单元上，监测单元接收到光信号之后控制传动部件转动，从而使靶材上方位置的遮挡板组件呈竖直状态将基片露出、靶材周围位置的遮挡板组件呈贴合在基片表面的状态，将基片遮挡住；
27.3、本实用新型的一种可调式平面阴极结构及其镀膜设备，考虑到遮挡板组件需要复位，因此，将监测单元设置于透光板、遮光板之间，当监测单元接收不到光信号时，控制传动部件转动带动遮挡板组件呈竖直状态。
附图说明
28.图1为本实用新型结构示意图。
29.图2为本实用新型背面结构示意图。
30.图3为本实用新型正视图。
31.图4为本实用新型遮挡板组件结构示意图。
32.图中：1、壳体；2、基片；3、靶材；4、内部槽；5、玻璃板；6、led灯；7、遮挡板组件；8、传动部件；9、透光板；10、遮光板；11、监测单元；12、传动轴；13、第一口；14、第二口。
具体实施方式
33.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
34.本实用新型提供了如图1-4所示的一种可调式平面阴极结构，包括壳体1，壳体1呈矩形箱体结构，壳体1内部的上下方分别设置有基片2与靶材3，基片2、靶材3对应，壳体1的上方内部还设置有遮挡板组件7，壳体1的侧面设置有控制遮挡板组件7转动以遮挡在基片2表面的驱动单元。
35.壳体1的一侧设置有第一口13，另一侧设置有第二口14。
36.本实施例中，根据磁控溅射的工作原理，从第一口13位置向壳体1中输送粒子，粒子在飞向基片2过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子，新电子飞向基片2，ar离子在电场作用下加速飞向靶材3，并以高能量轰击靶材3表面，使靶材3发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在靶材3上形成薄膜；
37.考虑到粒子的利用率，在壳体1的上端内部设置有遮挡板组件7，将不对应在靶材3上方的基片2利用遮挡板组件7遮挡住，可避免粒子中的新电子飞向基片2，在靶材3上方对应的遮挡板组件7打开将基片2露出时，粒子中的新电子才会飞向基片2，此时，靶材3表面也产生镀膜，提高了粒子的利用率，镀膜针对性高。
38.遮挡板组件7包括左右贴合固定的遮光板10与透光板9，遮光板10的上端固定设置有传动轴12，驱动单元包括固定在壳体1侧面的传动部件8，传动部件8传动连接在传动轴12的端部。
39.需要说明的是，当驱动单元驱动遮挡板组件7贴合在基片2表面时将基片2贴合，其中，遮挡板组件7包括遮光板10与透光板9，遮光板10贴合在基片2的表面，透光板9远离遮光板10的一面，传动部件8可使用电机等装置，传动部件8通过传动轴12控制遮光板10转动。
40.遮挡板组件7沿着壳体1的长度方向分布有多组。
41.进一步的，可根据靶材3的长度大小控制对应位置的遮挡板组件7打开将基片2暴露，可根据实际需求进行选用。
42.壳体1的下端内部设置有内部槽4，内部槽4的内部设有led灯6，内部槽4的顶部设置有支撑在靶材3底部的玻璃板5。
43.具体的，led灯6产生的光可垂直向上透过玻璃板5之后照射在基片2上，具体的，当靶材3将透过玻璃板5的光遮挡时，靶材3上方对应的遮挡板组件7接收不到光，其余位置的
遮挡板组件7可接收到光，光透过透光板9之后照射在监测单元11上，监测单元11接收到光信号之后控制传动部件8转动，从而使靶材3上方位置的遮挡板组件7呈竖直状态将基片2露出、靶材3周围位置的遮挡板组件7呈贴合在基片2表面的状态，将基片2遮挡住；
44.具体的，考虑到遮挡板组件7需要复位，因此，将监测单元11设置于透光板9、遮光板10之间，当监测单元11接收不到光信号时，控制传动部件8转动带动遮挡板组件7呈竖直状态；
45.其中，监测单元11与传动部件8之间通过控制器控制。
46.遮光板10与透光板9之间夹合固定有监测单元11。
47.其中，监测单元11可使用灯光传感器等装置。
48.遮挡板组件7的长度与壳体1的内部宽度一致，遮挡板组件7的宽度等于多组遮挡板组件7之间设置的间距。
49.装置中，遮挡板组件7的长宽设置合理。
50.本实用新型还公开了一种镀膜设备，包括如上任一的可调式平面阴极结构。
51.工作原理：考虑到粒子的利用率，在壳体1的上端内部设置有遮挡板组件7，将不对应在靶材3上方的基片2利用遮挡板组件7遮挡住，可避免粒子中的新电子飞向基片2，在靶材3上方对应的遮挡板组件7打开将基片2露出时，粒子中的新电子才会飞向基片2，此时，靶材3表面也产生镀膜，提高了粒子的利用率，镀膜针对性高。
52.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。