太阳电池及其生产设备、铜种子层镀膜工艺及镀膜装置的制作方法

1.本发明涉及电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池生产设备、铜种子层镀膜工艺及镀膜装置。


背景技术：

2.太阳电池在生产时，完成非晶硅膜层的沉积后再进行pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)工艺进行导电薄膜的沉积，接着采用丝网印刷的方式制作电极。在丝网印刷过程中，需要使用到银浆，由于银浆价格昂贵，导致太阳电池的生产成本较高。为了降低太阳能电池的生产成本，完成pvd工艺后再进行铜种子层的沉积以进行电极的制作。具体地，在腔室内完成pvd工艺以及铜种子层的沉积，在此过程中，非晶硅膜层易遭到破坏而造成产品品质不合格，并且，导电薄膜的沉积以及铜种子层的沉积会产生相互影响，也会对产品品质造成影响。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对产品品质不良的问题，提供一种太阳电池生产设备、铜种子层镀膜工艺及镀膜装置。
4.其技术方案如下：
5.一方面，提供了一种铜种子层镀膜工艺，包括以下步骤：
6.在第一工艺腔室内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体；
7.将所述第一基体在第一冷却腔室内完成第一冷却处理；
8.将完成第一冷却处理后的所述第一基体在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积以得到第一成品。
9.下面进一步对技术方案进行说明：
10.在其中一个实施例中，在将所述第一基体在第一冷却腔室内完成第一冷却处理的步骤中，包括：将所述第一基体进行至少两个阶段的第一冷却处理，且后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至所述第一基体的温度降低至第一预设温度值。
11.在其中一个实施例中，将所述第一基体进行至少两个阶段的第一冷却处理的步骤中，包括：将所述第一基体依次送入至少两个第一冷却分腔内先后进行冷却，且沿所述第一基体的输送方向，后一个所述第一冷却分腔的冷却功率大于前一个所述第一冷却分腔的冷却功率。
12.在其中一个实施例中，在第一工艺腔室内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体步骤之后，将完成第一冷却处理后的所述第一基体在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积以得到第一成品的步骤之前，还包括：对所述第一基体进行转运处理。
13.在其中一个实施例中，在对所述第一基体进行转运处理的步骤中，包括：将完成第一冷却处理后的所述第一基体进行转运处理。
14.在其中一个实施例中，将所述第一基体在第一冷却腔室内完成第一冷却处理步骤
之后，对所述第一基体进行转运处理步骤之前，还包括：将完成第一冷却处理后的所述第一基体在第一缓存腔室内进行第一缓存处理。
15.在其中一个实施例中，将完成第一冷却处理后的所述第一基体进行转运处理的步骤之后，在所述第一基体在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积以得到第一成品的步骤之前，还包括：将所述第一基体在第二冷却腔室内完成第二冷却处理。
16.在其中一个实施例中，在将所述第一基体在第二冷却腔室内完成第二冷却处理的步骤中，包括：将所述第一基体进行至少两个阶段的第二冷却处理，且后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至所述第一基体的温度降低至第二预设温度值。
17.在其中一个实施例中，将所述第一基体进行至少两个阶段的第二冷却处理的步骤中，包括：将所述第一基体依次送入至少两个第二冷却分腔内依次进行冷却，且沿所述第一基体的输送方向，后一个所述第二冷却分腔的冷却功率大于前一个所述第二冷却分腔的冷却功率。
18.在其中一个实施例中，将完成第一冷却处理后的所述第一基体进行转运处理的步骤之后，将所述第一基体在第二冷却腔室内完成第二冷却处理的步骤之前，还包括：将所述第一基体在第二缓存腔室内进行第二缓存处理。
19.在其中一个实施例中，将完成第一冷却处理后的所述第一基体在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积以得到第一成品的步骤之后，还包括：将所述第一成品在第三冷却腔室内完成第三冷却处理。
20.在其中一个实施例中，在将所述第一成品在第三冷却腔室内完成第三冷却处理的步骤中，包括：将所述第一成品进行至少两个阶段的第三冷却处理，且后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至所述第一成品的温度降低至第三预设温度值。
21.在其中一个实施例中，将所述第一成品进行至少两个阶段的第三冷却处理的步骤中，包括：将所述第一成品依次送入至少两个第三冷却分腔内依次进行冷却，且沿所述第一成品的输送方向，后一个所述第三冷却分腔的冷却功率大于前一个所述第三冷却分腔的冷却功率。
22.在其中一个实施例中，在将所述第一成品在第三冷却腔室内完成第三冷却处理的步骤之后，还包括：将完成第三冷却处理的所述第一成品在第三缓存腔室内进行第三缓存处理。
23.在其中一个实施例中，在第一工艺腔室内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体的步骤中，包括：使待镀膜件先经过第一隔离区后再在第一镀膜区对所述待镀膜件沉积导电薄膜以得到第一基体。
24.在其中一个实施例中，将完成第一冷却处理后的所述第一基体在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积以得到第一成品的步骤中，包括：先对第一基体的正面与背面中的其中一个表面完成铜种子层的沉积；使得完成了一个表面的铜种子层沉积的第一基体经过第二隔离区，再对第一基体的正面与背面中的另外一个表面完成铜种子层的沉积，从而得到所述第一成品。
25.另一方面，提供了一种太阳电池，采取所述的铜种子层镀膜工艺制得。
26.再一方面，提供了一种铜种子层镀膜装置，包括：
27.第一工艺腔室，所述第一工艺腔室用于完成导电薄膜的沉积以得到第一基体；
28.第一冷却腔室，所述第一冷却腔室用于对所述第一基体完成第一冷却处理，且所述第一冷却腔室与所述第一工艺腔室连通；及
29.第二工艺腔室，所述第二工艺腔室用于将完成第一冷却处理后的所述第一基体完成铜种子层的沉积以得到第一成品，且所述第二工艺腔室与所述第一冷却腔室连通。
30.在其中一个实施例中，所述第一冷却腔室包括至少两个相互连通的第一冷却分腔，且沿所述第一基体的输送方向，后一个所述第一冷却分腔的冷却功率大于前一个所述第一冷却分腔的冷却功率。
31.在其中一个实施例中，所述铜种子层镀膜装置还包括转运机构，所述转运机构设置于所述第一冷却腔室与所述第二工艺腔室之间，所述转运机构用于对所述第一基体进行转运处理。
32.在其中一个实施例中，所述铜种子层镀膜装置还包括第一缓存腔室，所述第一缓存腔室用于对所述第一基体进行第一缓存处理，所述第一缓存腔室设置于所述第一冷却腔室与所述转运机构之间，且所述第一缓存腔室与所述第一冷却腔室连通。
33.在其中一个实施例中，所述铜种子层镀膜装置还包括第二冷却腔室，所述第二冷却腔室用于对所述第一基体进行第二冷却处理，所述第二冷却腔室设置于所述第二工艺腔室与所述转运机构之间，且所述第二冷却腔室与所述第二工艺腔室连通。
34.在其中一个实施例中，所述第二冷却腔室包括至少两个相互连通的第二冷却分腔，且沿所述第一基体的输送方向，后一个所述第二冷却分腔的冷却功率大于前一个所述第二冷却分腔的冷却功率。
35.在其中一个实施例中，所述铜种子层镀膜装置还包括第二缓存腔室，所述第二缓存腔室用于对所述第一基体进行第二缓存处理，所述第二缓存腔室设置于所述第二冷却腔室与所述转运机构之间，且所述第二缓存腔室与所述第二冷却腔室连通。
36.在其中一个实施例中，所述铜种子层镀膜装置还包括第三冷却腔室，所述第三冷却腔室用于对第一成品完成第三冷却处理，且所述第三冷却腔室与所述第二工艺腔室连通。
37.在其中一个实施例中，所述第三冷却腔室包括至少两个相互连通的第三冷却分腔，且沿所述第一基体的输送方向，后一个所述第三冷却分腔的冷却功率大于前一个所述第三冷却分腔的冷却功率。
38.在其中一个实施例中，所述铜种子层镀膜装置还包括第三缓存腔室，所述第三缓存腔室用于对所述第一成品进行第三缓存处理，所述第三缓存腔室设置于所述第三冷却腔室一侧，且所述第三缓存腔室与所述第三冷却腔室连通。
39.在其中一个实施例中，所述第一工艺腔室包括相互连通的第一隔离区及第一镀膜区，所述第一镀膜区相对于所述第一隔离区靠近所述第一冷却腔室设置，且所述第一镀膜区与所述第一冷却腔室连通。
40.在其中一个实施例中，所述第二工艺腔室包括第二镀膜区、第二隔离区及第三镀膜区，所述第二隔离区位于所述第二镀膜区与所述第三镀膜区之间，且所述第二镀膜区及所述第三镀膜区均与所述第二隔离区相连通，所述第二镀膜区与所述第一冷却腔室连通并用于对第一基体的正面与背面中的其中一个表面完成铜种子层的沉积，所述第三镀膜区用于对第一基体的正面与背面中的另外一个表面完成铜种子层的沉积。
41.另一方面，提供了一种太阳电池生产设备，包括所述的铜种子层镀膜装置。
42.上述实施例的太阳电池及其生产设备、铜种子层镀膜工艺及镀膜装置，至少具有以下几个优点：1、先在第一工艺腔室内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体，然后将第一基体在第一冷却腔室内进行充分的第一冷却处理，从而使得第一基体的温度降低至第一预设温度值，再将完成了第一冷却处理后的第一基体在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积，不仅使得导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积之间不会产生相互影响，保证导电薄膜的沉积质量以及铜种子层的沉积质量。2、导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积不需更换载具，加工简单、方便，提高了生产效率。3、在第一工艺腔室内于较高温度下完成导电薄膜的沉积后，在第一冷却腔室内进行充分的第一冷却处理，最后在第二工艺腔室内完成铜种子层的沉积，不会破坏非晶硅膜层，保证产品质量。4、在第一工艺腔室内于较高温度下完成导电薄膜的沉积，在第二工艺腔室内于较低温度下完成铜种子层的沉积，也不会对膜层的电化学温度性能造成不可逆的影响，保证产品品质。
附图说明
43.构成本技术的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
44.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
45.此外，附图并不是1:1的比例绘制，并且各个元件的相对尺寸在附图中仅示例地绘制，而不一定按照真实比例绘制。在附图中：
46.图1为一个实施例的铜种子层镀膜装置的结构示意图；
47.图2为另一个实施例的铜种子层镀膜装置的结构示意图。
48.附图标记说明：
49.100、第一工艺腔室；110、第一隔离区；120、第一镀膜区；200、第一冷却腔室；210、第一冷却分腔；300、第二工艺腔室；310、第二镀膜区；320、第二隔离区；330、第三镀膜区；400、第一缓存腔室；500、转运机构；600、第二冷却腔室；610、第二冷却分腔；700、第二缓存腔室；800、第三冷却腔室；810、第三冷却分腔；900、第三缓存腔室；1000、加热腔室；1100、加热分腔；2000、第四缓存腔室。
具体实施方式
50.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
51.在一个实施例中，提供了一种太阳电池生产设备，包括铜种子层镀膜装置，如此，在太阳电池生产过程中，利用铜种子层镀膜装置能够进行铜种子层的沉积，不仅不会对非晶硅膜层造成破坏，而且导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积不会相互影响，保证产品品质。
52.如图1及图2所示，具体地，铜种子层镀膜装置包括第一工艺腔室100、第一冷却腔室200及第二工艺腔室300。
53.其中，第一工艺腔室100用于完成导电薄膜的沉积，从而得到第一基体。在实际生产过程中，将完成了非晶硅膜层沉积的待镀膜件送入第一工艺腔室100内，采取磁控溅射等方式在第一工艺腔室100内进行导电薄膜的沉积，从而得到第一基体。
54.其中，导电薄膜可以是ito(indium tin oxide，氧化铟锡)膜层。第一工艺腔室100可以是现有的任意一种能够进行导电薄膜沉积的设备。
55.其中，沿第一基体的输送方向(如图1及图2的a方向所示)，第一冷却腔室200设置于第一工艺腔室100的下一工序位置，并且，第一冷却腔室200与第一工艺腔室100相互连通，即先在第一工艺腔室100内得到第一基体，再将第一基体送入第一冷却腔室200内，从而利用第一冷却腔室200对第一基体完成第一冷却处理，进而使得第一基体的温度降低至第一预设温度值。
56.具体地，可以通过加装冷泵并结合破真空与抽真空的方式对第一冷却腔室200内的第一基体进行降温，也可以向第一冷却腔室200内通入低温氮气、压缩空气等方式对第一冷却腔室200内的第一基体进行降温，还可以通过冷阱的方式对第一冷却腔室200内的第一基体进行降温。
57.其中，第一预设温度值可以根据实际工艺要求进行灵活的设计或调整，例如可以是60℃以下。
58.其中，沿第一基体的输送方向，第二工艺腔室300设置于第一冷却腔室200的下一工序位置，并且，第二工艺腔室300与第一冷却腔室200相互连通，即先在第一冷却腔室200内对第一基体进行第一冷却处理，再将完成了第一冷却处理的第一基体送入第二工艺腔室300内，从而利用第二工艺腔室300对第一基体进行铜种子层的沉积，进而得到第一成品。
59.其中，第二工艺腔室300可以是现有的任意一种能够进行铜种子层沉积的设备。
60.可以理解的是，第一基体在各个腔室内的转移，可以通过输送带等输送装置的输送实现，由于其属于现有技术，在此不再赘述。
61.传统的方式为在一个腔室内先后完成导电薄膜的沉积以及铜种子层的沉积，从而使得导电薄膜的沉积以及铜种子层的沉积会产生相互影响；而且，完成导电薄膜的沉积后需要更换载具再进行铜种子层的沉积，操作极为复杂，降低了生产效率；并且，导电薄膜的沉积需要在较高温度下进行，而受到铜的化学性质的影响，铜种子层的沉积需要在较低温度下进行，温度高于200℃时，会破坏非晶硅膜层而造成质量不合格；同时，在一个腔室内频繁的升温和降温，会对膜层的电化学温度性能造成不可逆的影响。
62.上述实施例的铜种子层镀膜装置，先在第一工艺腔室100内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体，然后将第一基体在第一冷却腔室200内进行充分的第一冷却处理，从而使得第一基体的温度降低至第一预设温度值，再将完成了第一冷却处理后的第一基体在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积，不仅使得导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积之间不会产生相互影响，保证导电薄膜的沉积质量以及铜种子层的沉积质量；而且，导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积不需更换载具，加工简单、方便，提高了生产效率；并且，在第一工艺腔室100内于较高温度下完成导电薄膜的沉积后，在第一冷却腔室200内进行充分的第一冷却处理，最后在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积，不会破坏非晶硅膜层，保证产品质
量；同时，在第一工艺腔室100内于较高温度下完成导电薄膜的沉积，在第二工艺腔室300内于较低温度下完成铜种子层的沉积，也不会对膜层的电化学温度性能造成不可逆的影响，保证产品品质。
63.如图1及图2所示，具体地，第一冷却腔室200包括至少两个相互连通的第一冷却分腔210，并且，沿第一基体的输送方向，后一个第一冷却分腔210的冷却功率大于前一个第一冷却分腔210的冷却功率。如此，能够对第一基体进行至少两个阶段的第一冷却处理，使得后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一基体的温度逐步降低至第一预设温度值，不仅能够保证第一基体的降温效果，而且能够避免因冷却过快而对膜层造成影响。
64.具体地，将第一基体依次送入至少两个第一冷却分腔210内先后进行冷却，且沿第一基体的输送方向，后一个第一冷却分腔210的冷却功率大于前一个第一冷却分腔210的冷却功率，从而能够对第一基体实现递进式冷却降温，使得第一基体的温度逐步降低至第一预设温度值。
65.如图1及图2所示，另外，铜种子层镀膜装置还包括转运机构500。其中，转运机构500设置于第一冷却腔室200与第二工艺腔室300之间，根据实际生产要求，利用转运机构500能够对第一基体进行转运处理，例如，当仅需要获取完成导电薄膜的第一基体时，则可以利用转运机构500进行卸料。当然，也可以利用转运机构500进行第一基体的上料，使得第一基体进入第二工艺腔室300内进行铜种子层的沉积。
66.具体地，通过将转运机构500布置在第一冷却腔室200的下一工序位置，利用第一冷却腔室200对第一基体进行第一冷却处理后再利用转运机构500进行转运处理而实现下料，避免第一基体的温度过高而暴露在空气中而影响膜层质量。
67.其中，转运机构500可以是现有的板式镀膜下料自动化衔接机台或其他现有的能够实现第一基体上下料的装置。
68.如图1及图2所示，另外，铜种子层镀膜装置还包括第一缓存腔室400，利用第一缓存腔室400能够对第一基体进行第一缓存处理。其中，第一缓存腔室400设置于第一冷却腔室200与转运机构500之间，并且，第一缓存腔室400与第一冷却腔室200连通。如此，在生产过程中，若导电薄膜的沉积发生异常，则可以将发生异常的第一基体完成第一冷却处理后缓存在第一缓存腔室400内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；同时，利用第一缓存腔室400也能对未来得及下料的第一基体进行缓存，避免输送过程中造成拥堵或碰撞而导致损坏，使得产线能够可靠、稳定的运行。并且，先对第一基体进行第一冷却处理后再进行缓存，能够适应转运机构500的布置要求，也能避免各个第一冷却分腔210之间发生串气。
69.其中，第一缓存腔室400可以为具有存储空间的设备。
70.如图1及图2所示，进一步地，铜种子层镀膜装置还包括第二冷却腔室600，从而利用第二冷却腔室600能够对第一基体进行第二冷却处理。其中，第二冷却腔室600设置于第二工艺腔室300与转运机构500之间，并且，第二冷却腔室600与第二工艺腔室300连通。如此，能够对从转运机构500处上料而来的第一基体进行第二冷却处理，使得该第一基体的温度降低至第二预设温度值，不会破坏非晶硅膜层，保证产品质量。同时，当不需要利用转运机构500对第一基体进行转运时，利用第二冷却腔室600对完成第一冷却处理的第一基体进
行进一步第二冷却处理，冷却效果更好，在进行铜种子层的沉积时能够更有效的避免对非晶硅膜层造成破坏。
71.其中，第二预设温度值可以根据实际工艺要求进行灵活的设计或调整，例如可以是60℃以下。
72.具体地，可以通过加装冷泵并结合破真空与抽真空的方式对第二冷却腔室600内的第一基体进行降温，也可以向第二冷却腔室600内通入低温氮气、压缩空气等方式对第二冷却腔室600内的第一基体进行降温，还可以通过冷阱的方式对第二冷却腔室600内的第一基体进行降温。
73.如图1及图2所示，更具体地，第二冷却腔室600包括至少两个相互连通的第二冷却分腔610，并且，沿第一基体的输送方向，后一个第二冷却分腔610的冷却功率大于前一个第二冷却分腔610的冷却功率。如此，能够对第一基体进行至少两个阶段的第二冷却处理，使得后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一基体的温度逐步降低至第二预设温度值，不仅能够保证第一基体的降温效果，而且能够避免因冷却过快而对膜层造成影响。
74.具体地，将第一基体依次送入至少两个第二冷却分腔610内先后进行冷却，且沿第一基体的输送方向，后一个第二冷却分腔610的冷却功率大于前一个第二冷却分腔610的冷却功率，从而能够对第一基体实现递进式冷却降温，使得第一基体的温度逐步降低至第二预设温度值。
75.如图1及图2所示，更进一步地，铜种子层镀膜装置还包括第二缓存腔室700，利用第二缓存腔室700能够对第一基体进行第二缓存处理。其中，第二缓存腔室700设置于第二冷却腔室600与转运机构500之间，并且，第二缓存腔室700与第二冷却腔室600连通。如此，在生产过程中，若导电薄膜的沉积发生异常，则可以将发生异常的第一基体完成第一冷却处理后缓存在第二缓存腔室700内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；同时，利用第二缓存腔室700也能对未来得及进行铜种子层沉积的第一基体进行缓存，避免输送过程中造成拥堵或碰撞而导致损坏，使得产线能够可靠、稳定的运行。并且，先对第一基体进行缓存后进行第二冷却处理，能够适应转运机构500的布置要求，也能避免各个第二冷却分腔610之间发生串气。
76.其中，第二缓存腔室700可以为具有存储空间的设备。
77.如图1及图2所示，另外，铜种子层镀膜装置还包括第三冷却腔室800，利用第三冷却腔室800能够对第一成品完成第三冷却处理。其中，第三冷却腔室800设置于第二工艺腔室300的下一工序位置，并且，第三冷却腔室800与第二工艺腔室300连通。如此设置，在第二工艺腔室300内，第一基体完成铜种子层的沉积而得到第一成品过程中会使得第一成品温度上升，利用第三冷却腔室800对第一成品进行第三冷却处理而使得第一成品的温度降低至第三预设温度值，能够避免第一成品直接暴露在空气中而被氧化。
78.其中，第三预设温度值可以根据实际工艺要求进行灵活的设计或调整，只需满足能够避免铜种子层被空气氧化即可。
79.具体地，可以通过加装冷泵并结合破真空与抽真空的方式对第三冷却腔室800内的第一成品进行降温，也可以向第三冷却腔室800内通入低温氮气、压缩空气等方式对第三冷却腔室800内的第一成品进行降温，还可以通过冷阱的方式对第三冷却腔室800内的第一
成品进行降温。
80.如图1及图2所示，更具体地，第三冷却腔室800包括至少两个相互连通的第三冷却分腔810，并且，沿第一成品的输送方向，后一个第三冷却分腔810的冷却功率大于前一个第三冷却分腔810的冷却功率。如此，能够对第一成品进行至少两个阶段的第三冷却处理，使得后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一成品的温度逐步降低至第三预设温度值，不仅能够保证第一成品的降温效果，而且能够避免因冷却过快而对膜层造成影响。
81.具体地，将第一成品依次送入至少两个第三冷却分腔810内先后进行冷却，且沿第一成品的输送方向，后一个第三冷却分腔810的冷却功率大于前一个第三冷却分腔810的冷却功率，从而能够对第一成品实现递进式冷却降温，使得第一成品的温度逐步降低至第三预设温度值。
82.如图1及图2所示，此外，铜种子层镀膜装置还包括第三缓存腔室900，利用第三缓存腔室900能够对第一成品进行第三缓存处理。其中，第三缓存腔室900设置于第三冷却腔室800的一侧，即第三缓存腔室900位于第三冷却腔室800的下一工序位置，并且，第三缓存腔室900与第三冷却腔室800连通。如此，在生产过程中，若铜种子层的沉积发生异常，则可以将发生异常的第一成品完成第三冷却处理后缓存在第三缓存腔室900内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；并且，先对第一成品进行第三冷却处理再进行缓存，也能避免各个第三冷却分腔810之间发生串气。
83.其中，第三缓存腔室900可以为具有存储空间的设备。
84.如图2所示，同时，第一工艺腔室100包括相互连通的第一隔离区110及第一镀膜区120。其中，第一镀膜区120相对于第一隔离区110靠近第一冷却腔室200设置，并且，第一镀膜区120与第一冷却腔室200连通。由于完成非晶硅膜层沉积的待镀膜件在进入第一工艺腔室100内进行导电薄膜的沉积之前需要对待镀膜件进行加热以保证导电薄膜的沉积效果，使得待镀膜件进入第一工艺腔室100内后，待镀膜件先经过第一隔离区110后再经过第一镀膜区120而对待镀膜件沉积导电薄膜以得到第一基体，利用第一隔离区110能够隔绝加热产生的热辐射，避免对导电薄膜的沉积造成影响，保证导电薄膜的沉积效果。
85.其中，在第一镀膜区120对待镀膜件沉积导电薄膜，可以采用现有的磁控溅射方式进行。
86.如图1及图2所示，具体地，铜种子层镀膜装置还包括加热腔室1000，利用加热腔室1000能够对待镀膜件进行加热处理。其中，加热腔室1000设置于第一工艺腔室100的上一工序位置，并且，加热腔室1000与第一工艺腔室100连通。如此，能够对待镀膜件进行预热而使得待镀膜件的温度上升至第四预设温度值，使得待镀膜件满足导电薄膜的沉积要求，保证导电薄膜的沉积质量。
87.其中，第四预设温度值可以根据实际工艺要求进行灵活的设计或调整，只需能够促进导电薄膜的沉积即可。
88.其中，可以通过电加热等方式对加热腔室1000内的待镀膜件进行加热。
89.如图1及图2所示，更具体地，加热腔室1000包括至少两个相互连通的加热分腔1100，并且，沿待镀膜件的输送方向(如图1及图2的a方向所示)，后一个加热分腔1100的加热功率大于前一个加热分腔1100的加热功率。如此，能够对待镀膜件进行至少两个阶段的
加热处理，使得后一个阶段的加热功率大于前一个阶段的加热功率，直至待镀膜件的温度逐步上升至第四预设温度值，不仅能够保证待镀膜件的加热效果，而且能够避免因加热过快而对膜层造成影响。
90.具体地，将待镀膜件依次送入至少两个加热分腔1100内先后进行加热，且沿待镀膜件的输送方向，后一个加热分腔1100的加热功率大于前一个加热分腔1100的加热功率，从而能够对待镀膜件实现递进式加热，使得待镀膜件的温度逐步上升至第四预设温度值。
91.如图1及图2所示，进一步地，铜种子层镀膜装置还包括第四缓存腔室2000，利用第四缓存腔室2000能够对待镀膜件进行第四缓存处理。其中，第四缓存腔室2000设置于加热腔室1000的一侧，即第四缓存腔室2000位于加热腔室1000的上一工序位置，并且，第四缓存腔室2000与加热腔室1000连通。如此，在生产过程中，若导电薄膜的沉积发生异常，则可以将待镀膜件缓存在第四缓存腔室2000内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；并且，也能避免各个加热分腔1100之间发生串气。
92.其中，第四缓存腔室2000可以为具有存储空间的设备。
93.如图2所示，同时，第二工艺腔室300包括第二镀膜区310、第二隔离区320及第三镀膜区330。其中，第二隔离区320位于第二镀膜区310与第三镀膜区330之间，并且，第二镀膜区310及第三镀膜区330均与第二隔离区320相连通，第二镀膜区310与第一冷却腔室200连通并用于对第一基体的正面与背面中的其中一个表面完成铜种子层的沉积，第三镀膜区330用于对第一基体的正面与背面中的另外一个表面完成铜种子层的沉积。具体地，完成第一冷却处理的第一基体进入第二工艺腔室300内后，先进入第二镀膜区310而在第二镀膜区310对第一基体的正面与背面中的其中一个表面完成铜种子层的沉积，接着使得完成了一个表面的铜种子层沉积的第一基体经过第二隔离区320，再使得完成了一个表面的铜种子层沉积的第一基体进入第三镀膜区330而在第三镀膜区330完成正面与背面中的另外一个表面的铜种子层的沉积。如此设置，经过第一冷却处理的第一基体在第二镀膜区310完成一个表面的铜种子层沉积，由于第一基体的温度适宜，能够保证沉积效果。由于在第二镀膜区310进行一个表面的铜种子层沉积过程中，第一基体的温度会上升，通过将第一基体先经过第二隔离区320而进行降温冷却，然后再进入第三镀膜区330进行另一个表面的铜种子层沉积，能够有效的保证第三镀膜区330的沉积质量，提升产品品质。
94.其中，在第二镀膜区310和第三镀膜区330对第一基体沉积铜种子层，可以采用现有的磁控溅射方式进行。
95.同时，铜种子层镀膜装置还包括残余气体分析元件，利用残余气体分析元件对第二工艺腔室300内的水汽等气体的监控分析，能够更好的把控铜种子层的沉积效果。
96.其中，残余气体分析元件可以为现有的残余气体分析仪等仪器。
97.在另一个实施例中，还提供了一种铜种子层镀膜工艺，包括以下步骤：
98.s100、对待镀膜件进行第四缓存处理。
99.具体地，第四缓存腔室2000设置于加热腔室1000的一侧，即第四缓存腔室2000位于加热腔室1000的上一工序位置，并且，第四缓存腔室2000与加热腔室1000连通。如此，在生产过程中，若导电薄膜的沉积发生异常，则可以将待镀膜件缓存在第四缓存腔室2000内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；并且，也能避免各个加热分腔1100之间发生串气。
100.s200、对待镀膜件进行加热处理。
101.具体地，加热腔室1000设置于第一工艺腔室100的上一工序位置，并且，加热腔室1000与第一工艺腔室100连通。如此，能够对待镀膜件进行预热而使得待镀膜件的温度上升至第四预设温度值，使得待镀膜件满足导电薄膜的沉积要求，保证导电薄膜的沉积质量。
102.可选地，在s200中，包括s210、将待镀膜件进行至少两个阶段的加热处理，且后一个阶段的加热功率大于前一个阶段的加热功率，直至待镀膜件的温度上升至第四预设温度值。
103.具体地，加热腔室1000包括至少两个相互连通的加热分腔1100，并且，沿待镀膜件的输送方向，后一个加热分腔1100的加热功率大于前一个加热分腔1100的加热功率。如此，能够对待镀膜件进行至少两个阶段的加热处理，使得后一个阶段的加热功率大于前一个阶段的加热功率，直至待镀膜件的温度逐步上升至第四预设温度值，不仅能够保证待镀膜件的加热效果，而且能够避免因加热过快而对膜层造成影响。
104.更具体地，在s210中，包括s211、将待镀膜件依次送入至少两个加热分腔1100内先后进行加热，且沿待镀膜件的输送方向，后一个加热分腔1100的加热功率大于前一个加热分腔1100的加热功率，从而能够对待镀膜件实现递进式加热，使得待镀膜件的温度逐步上升至第四预设温度值。
105.s300、在第一工艺腔室100内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体。
106.具体地，将完成了非晶硅膜层沉积的待镀膜件送入第一工艺腔室100内，采取磁控溅射等方式在第一工艺腔室100内进行导电薄膜的沉积，从而得到第一基体。
107.可选地，在s300中，包括s310、使待镀膜件先经过第一隔离区110后再在第一镀膜区120对待镀膜件沉积导电薄膜以得到第一基体。由于完成非晶硅膜层沉积的待镀膜件在进入第一工艺腔室100内进行导电薄膜的沉积之前需要对待镀膜件进行加热以保证导电薄膜的沉积效果，使得待镀膜件进入第一工艺腔室100内后，待镀膜件先经过第一隔离区110后再经过第一镀膜区120而对待镀膜件沉积导电薄膜以得到第一基体，利用第一隔离区110能够隔绝加热产生的热辐射，避免对导电薄膜的沉积造成影响，保证导电薄膜的沉积效果。
108.s400、将第一基体在第一冷却腔室200内完成第一冷却处理。
109.具体地，先在第一工艺腔室100内得到第一基体，再将第一基体送入第一冷却腔室200内，从而利用第一冷却腔室200对第一基体完成第一冷却处理，进而使得第一基体的温度降低至第一预设温度值。
110.可选地，在s400中，包括s410、将第一基体进行至少两个阶段的第一冷却处理，且后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一基体的温度降低至第一预设温度值。
111.具体地，第一冷却腔室200包括至少两个相互连通的第一冷却分腔210，并且，沿第一基体的输送方向，后一个第一冷却分腔210的冷却功率大于前一个第一冷却分腔210的冷却功率。如此，能够对第一基体进行至少两个阶段的第一冷却处理，使得后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一基体的温度逐步降低至第一预设温度值，不仅能够保证第一基体的降温效果，而且能够避免因冷却过快而对膜层造成影响。
112.更具体地，在s410中，包括s411、将第一基体依次送入至少两个第一冷却分腔210内先后进行冷却，且沿第一基体的输送方向，后一个第一冷却分腔210的冷却功率大于前一
个第一冷却分腔210的冷却功率。如此，能够对第一基体实现递进式冷却降温，使得第一基体的温度逐步降低至第一预设温度值。
113.s500、将完成第一冷却处理后的第一基体在第一缓存腔室400内进行第一缓存处理。
114.具体地，第一缓存腔室400设置于第一冷却腔室200与转运机构500之间，并且，第一缓存腔室400与第一冷却腔室200连通。如此，在生产过程中，若导电薄膜的沉积发生异常，则可以将发生异常的第一基体完成第一冷却处理后缓存在第一缓存腔室400内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；同时，利用第一缓存腔室400也能对未来得及下料的第一基体进行缓存，避免输送过程中造成拥堵或碰撞而导致损坏，使得产线能够可靠、稳定的运行。并且，先对第一基体进行第一冷却处理后再进行缓存，能够适应转运机构500的布置要求，也能避免各个第一冷却分腔210之间发生串气。
115.s600、对第一基体进行转运处理。
116.具体地，转运机构500设置于第一冷却腔室200与第二工艺腔室300之间，根据实际生产要求，利用转运机构500能够对第一基体进行转运处理，例如，当仅需要获取完成导电薄膜的第一基体时，则可以利用转运机构500进行卸料。当然，也可以利用转运机构500进行第一基体的上料，使得第一基体进入第二工艺腔室300内进行铜种子层的沉积。
117.更具体地，在s600中，包括s610、将完成第一冷却处理后的第一基体进行转运处理。通过将转运机构500布置在第一冷却腔室200的下一工序位置，利用第一冷却腔室200对第一基体进行第一冷却处理后再利用转运机构500进行转运处理而实现下料，避免第一基体的温度过高而暴露在空气中而影响膜层质量。
118.s700、将第一基体在第二缓存腔室700内进行第二缓存处理。
119.具体地，第二缓存腔室700设置于第二冷却腔室600与转运机构500之间，并且，第二缓存腔室700与第二冷却腔室600连通。如此，在生产过程中，若导电薄膜的沉积发生异常，则可以将发生异常的第一基体完成第一冷却处理后缓存在第二缓存腔室700内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；同时，利用第二缓存腔室700也能对未来得及进行铜种子层沉积的第一基体进行缓存，避免输送过程中造成拥堵或碰撞而导致损坏，使得产线能够可靠、稳定的运行。并且，先对第一基体进行缓存后进行第二冷却处理，能够适应转运机构500的布置要求，也能避免各个第二冷却分腔610之间发生串气。
120.s800、将第一基体在第二冷却腔室600内完成第二冷却处理。
121.具体地，第二冷却腔室600设置于第二工艺腔室300与转运机构500之间，并且，第二冷却腔室600与第二工艺腔室300连通。如此，能够对从转运机构500处上料而来的第一基体进行第二冷却处理，使得该第一基体的温度降低至第二预设温度值，不会破坏非晶硅膜层，保证产品质量。同时，当不需要利用转运机构500对第一基体进行转运时，利用第二冷却腔室600对完成第一冷却处理的第一基体进行进一步第二冷却处理，冷却效果更好，在进行铜种子层的沉积时能够更有效的避免对非晶硅膜层造成破坏。
122.可选地，在s800中，包括s810、将第一基体进行至少两个阶段的第二冷却处理，且后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一基体的温度降低至第二预设温度值。
123.具体地，第二冷却腔室600包括至少两个相互连通的第二冷却分腔610，并且，沿第
一基体的输送方向，后一个第二冷却分腔610的冷却功率大于前一个第二冷却分腔610的冷却功率。如此，能够对第一基体进行至少两个阶段的第二冷却处理，使得后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一基体的温度逐步降低至第二预设温度值，不仅能够保证第一基体的降温效果，而且能够避免因冷却过快而对膜层造成影响。
124.更具体地，在s810中，包括s811、将第一基体依次送入至少两个第二冷却分腔610内依次进行冷却，且沿第一基体的输送方向，后一个第二冷却分腔610的冷却功率大于前一个第二冷却分腔610的冷却功率。如此，能够对第一基体实现递进式冷却降温，使得第一基体的温度逐步降低至第二预设温度值。
125.s900、将完成第一冷却处理后的第一基体在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积以得到第一成品。
126.具体地，先在第一冷却腔室200内对第一基体进行第一冷却处理，再将完成了第一冷却处理的第一基体送入第二工艺腔室300内，从而利用第二工艺腔室300对第一基体进行铜种子层的沉积，进而得到第一成品。
127.可选地，在s900中，包括s910、先对第一基体的正面与背面中的其中一个表面完成铜种子层的沉积；s920、使得完成了一个表面的铜种子层沉积的第一基体经过第二隔离区320，再对第一基体的正面与背面中的另外一个表面完成铜种子层的沉积，从而得到第一成品。如此，完成第一冷却处理的第一基体进入第二工艺腔室300内后，先进入第二镀膜区310而在第二镀膜区310对第一基体的正面与背面中的其中一个表面完成铜种子层的沉积，接着使得完成了一个表面的铜种子层沉积的第一基体经过第二隔离区320，再使得完成了一个表面的铜种子层沉积的第一基体进入第三镀膜区330而在第三镀膜区330完成正面与背面中的另外一个表面的铜种子层的沉积。如此设置，经过第一冷却处理的第一基体在第二镀膜区310完成一个表面的铜种子层沉积，由于第一基体的温度适宜，能够保证沉积效果。由于在第二镀膜区310进行一个表面的铜种子层沉积过程中，第一基体的温度会上升，通过将第一基体先经过第二隔离区320而进行降温冷却，然后再进入第三镀膜区330进行另一个表面的铜种子层沉积，能够有效的保证第三镀膜区330的沉积质量，提升产品品质。
128.s1000、将第一成品在第三冷却腔室800内完成第三冷却处理。
129.具体地，第三冷却腔室800设置于第二工艺腔室300的下一工序位置，并且，第三冷却腔室800与第二工艺腔室300连通。如此设置，在第二工艺腔室300内，第一基体完成铜种子层的沉积而得到第一成品过程中会使得第一成品温度上升，利用第三冷却腔室800对第一成品进行第三冷却处理而使得第一成品的温度降低至第三预设温度值，能够避免第一成品直接暴露在空气中而被氧化。
130.可选地，在s1000中，包括s1100、将第一成品进行至少两个阶段的第三冷却处理，且后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一成品的温度降低至第三预设温度值。
131.具体地，第三冷却腔室800包括至少两个相互连通的第三冷却分腔810，并且，沿第一成品的输送方向(如图1及图2的a方向所示)，后一个第三冷却分腔810的冷却功率大于前一个第三冷却分腔810的冷却功率。如此，能够对第一成品进行至少两个阶段的第三冷却处理，使得后一个阶段的冷却功率大于前一个阶段的冷却功率，直至第一成品的温度逐步降低至第三预设温度值，不仅能够保证第一成品的降温效果，而且能够避免因冷却过快而对
膜层造成影响。
132.更具体地，在s1100中，包括s1110、将第一成品依次送入至少两个第三冷却分腔810内依次进行冷却，且沿第一成品的输送方向，后一个第三冷却分腔810的冷却功率大于前一个第三冷却分腔810的冷却功率。如此，能够对第一成品实现递进式冷却降温，使得第一成品的温度逐步降低至第三预设温度值。
133.s2000、将完成第三冷却处理的第一成品在第三缓存腔室900内进行第三缓存处理。
134.具体地，第三缓存腔室900设置于第三冷却腔室800的一侧，即第三缓存腔室900位于第三冷却腔室800的下一工序位置，并且，第三缓存腔室900与第三冷却腔室800连通。如此，在生产过程中，若铜种子层的沉积发生异常，则可以将发生异常的第一成品完成第三冷却处理后缓存在第三缓存腔室900内，避免因异常造成停机，使得产线能够顺畅的运行，提高了生产效率；并且，先对第一成品进行第三冷却处理再进行缓存，也能避免各个第三冷却分腔810之间发生串气。
135.上述实施例的铜种子层镀膜工艺，至少具有以下几个优点：1、先在第一工艺腔室100内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体，然后将第一基体在第一冷却腔室200内进行充分的第一冷却处理，从而使得第一基体的温度降低至第一预设温度值，再将完成了第一冷却处理后的第一基体在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积，不仅使得导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积之间不会产生相互影响，保证导电薄膜的沉积质量以及铜种子层的沉积质量。2、导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积不需更换载具，加工简单、方便，提高了生产效率。3、在第一工艺腔室100内于较高温度下完成导电薄膜的沉积后，在第一冷却腔室200内进行充分的第一冷却处理，最后在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积，不会破坏非晶硅膜层，保证产品质量。4、在第一工艺腔室100内于较高温度下完成导电薄膜的沉积，在第二工艺腔室300内于较低温度下完成铜种子层的沉积，也不会对膜层的电化学温度性能造成不可逆的影响，保证产品品质。
136.在一个实施例中，还提供了一种太阳电池，采取上述任意实施例的铜种子层镀膜工艺制得。
137.上述实施例的太阳电池，制作过程中，先在第一工艺腔室100内完成导电薄膜的沉积以得到第一基体，然后将第一基体在第一冷却腔室200内进行充分的第一冷却处理，从而使得第一基体的温度降低至第一预设温度值，再将完成了第一冷却处理后的第一基体在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积，不仅使得导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积之间不会产生相互影响，保证导电薄膜的沉积质量以及铜种子层的沉积质量；而且，导电薄膜的沉积与铜种子层的沉积不需更换载具，加工简单、方便，提高了生产效率；并且，在第一工艺腔室100内于较高温度下完成导电薄膜的沉积后，在第一冷却腔室200内进行充分的第一冷却处理，最后在第二工艺腔室300内完成铜种子层的沉积，不会破坏非晶硅膜层，保证产品质量；同时，在第一工艺腔室100内于较高温度下完成导电薄膜的沉积，在第二工艺腔室300内于较低温度下完成铜种子层的沉积，也不会对膜层的电化学温度性能造成不可逆的影响，保证产品品质。
138.需要说明的是，“某体”、“某部”可以为对应“构件”的一部分，即“某体”、“某部”与该“构件的其他部分”一体成型制造；也可以与“构件的其他部分”可分离的一个独立的构
件，即“某体”、“某部”可以独立制造，再与“构件的其他部分”组合成一个整体。本技术对上述“某体”、“某部”的表达，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本技术的保护的范围的限制，只要包含了上述特征且作用相同应当理解为是本技术等同的技术方案。
139.需要说明的是，本技术“单元”、“组件”、“机构”、“装置”所包含的构件亦可灵活进行组合，即可根据实际需要进行模块化生产，以方便进行模块化组装。本技术对上述构件的划分，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本技术的保护的范围的限制，只要包含了上述构件且作用相同应当理解是本技术等同的技术方案。
140.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。本发明中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
141.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
142.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
143.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
144.需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”、“固设于”或“安设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。进一步地，当一个元件被认为是“固定传动连接”另一个元件，二者可以是可拆卸连接方式的固定，也可以不可拆卸连接的固定，能够实现动力传递即可，如套接、卡接、一体成型固定、焊接等，在现有技术中可以实现，在此不再累赘。当元件与另一个元件相互垂直或近似垂直是指二者的理想状态是垂直，但是因制造及装配的影响，可以存在一定的垂直误差。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
145.还应当理解的是，在解释元件的连接关系或位置关系时，尽管没有明确描述，但连接关系和位置关系解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定
值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
146.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
147.以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。