一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机与流程

1.本技术涉及抛光技术领域，尤其是涉及一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机。


背景技术：

2.抛光在半导体加工工艺里发挥着重要作用，抛光可以实现抛片的镜面化，同时也可以提高抛片的平坦度；可以一定程度去除上一工艺步骤对抛片表面造成的损伤。
3.现有技术中，抛光机抛光过程中，由于抛头压力不稳定、硅片本身的材料以及厚度不够等问题，现有抛头处于抛光过程中，无法得知硅片的完整度，经常会出现硅片碎裂导致飞片的现象；当多个工位同时抛光时，若硅片从抛头中飞出，飞片会影响其他工位上正在抛光的抛头，硅片飞片是影响实际生产效率的一个重要因素，因此，当出现抛头飞片时，只能通过人工干预的方法去停止抛光过程，停机次数较多。
4.因此，现有技术的技术问题在于：抛光停机次数多。


技术实现要素：

5.本技术提供一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机，解决了抛光停机次数多的技术问题，达到减少抛光停机次数的技术效果。
6.第一方面，本技术提供的一种抛光机的飞片监测方法，采用如下的技术方案：
7.一种抛光机的飞片监测方法，用于抛光机，所述抛光机具有抛头，所述抛头的底部具有一凹面，所述凹面上设置有软基垫使得所述凹面与软基垫之间形成调节腔，软基垫用于吸附抛片，通过向调节腔中充压或施压调节对硅片的抛光压力，其中，所述凹面上至少设置有多个距离传感器，所述监测方法包括：建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；基于每个距离传感器采集抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及所述函数模型，确认偏差值；基于偏差值判断抛光状态。
8.作为优选，所述抛光状态包括：抛光正常或异常；所述异常还包括飞片或碎片。
9.作为优选，建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型：偏差值c＝|x-a|；其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；a为抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值。
10.作为优选，所述凹面上设置有n个距离传感器，每个所述距离传感器均向下进行距离检测并对应得到一偏差值，所述“基于偏差值判断抛光状态”包括：定义第一预设值c
max
；若max{c1,c2,c3,
…
,cn}≤c
max
，则判断抛光正常；若至少存在一距离传感器对应的偏差值c
x
满足：c
x
＞c
max
，其中，c
x
∈{c1,c2,c3,
…
,cn}，则判断抛光异常。
11.作为优选，所述“判断抛光异常”包括：定义第二预设值z，z＝|x-d|，其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；d是指硅片从抛头取走后距离传感器检测到第
三距离值；若至少存在一距离传感器对应的偏差值c
x
满足:c
max
＜c
x
＜z，且其余距离传感器对应的偏差值均小于所述第二预设值z，则判断硅片碎片，且尚无飞片；若至少存在一距离传感器对应的偏差值c
x
满足:c
x
＝z，则判断硅片碎片，且发生飞片。
12.第二方面，本技术提供的一种抛光机的飞片监测系统，采用如下的技术方案：
13.一种抛光机的飞片监测系统，用于抛光机，所述抛光机具有抛头，所述抛头的底部具有一凹面，所述凹面上设置有软基垫使得所述凹面与软基垫之间形成调节腔，软基垫用于吸附抛片，通过向调节腔中充压或施压调节对硅片的抛光压力，其中，所述凹面上至少设置有多个距离传感器，所述监测系统包括：模型建立模块，所述模型建立模块用于基于每个距离传感器，建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；偏差确认模块，所述偏差确认模块用于基于每个距离传感器采集抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及所述函数模型确认偏差值；以及状态判断模块，所述状态判断模块用于基于偏差值判断抛光状态。
14.作为优选，所述状态判断模块包括：第一判断模块，所述第一判断模块用于抛光正常或异常；第二判断模块，所述第二判断模块用于在抛光机异常的情况下判断硅片飞片或碎片。
15.作为优选，建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型：偏差值c＝|x-a|；其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；a为抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值。
16.作为优选，所述凹面上设置有n个距离传感器，每个所述距离传感器均向下进行距离检测并对应得到一偏差值，所述“基于偏差值判断抛光状态”包括：定义第一预设值c
max
；若max{c1,c2,c3,
…
,cn}≤c
max
，则判断抛光正常；若至少存在一距离传感器对应的偏差值c
x
满足：c
x
＞c
max
，其中，c
x
∈{c1,c2,c3,
…
,cn}，则判断抛光异常。
17.作为优选，所述“判断抛光异常”包括：定义第二预设值z，z＝|x-d|，其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；d是指硅片从抛头取走后距离传感器检测到第三距离值；若至少存在一距离传感器对应的偏差值c
x
满足:c
max
＜c
x
＜z，且其余距离传感器对应的偏差值均小于所述第二预设值z，则判断硅片碎片，且尚无飞片；若至少存在一距离传感器对应的偏差值c
x
满足:c
x
＝z，则判断硅片碎片，且发生飞片。
18.第三方面，本技术提供的一种抛光机，采用如下的技术方案：
19.一种抛光机，包括：抛头，所述抛头的底部具有一凹面，所述凹面上设置有软基垫使得所述凹面与软基垫之间形成调节腔，软基垫用于吸附抛片，通过向调节腔中充压或施压调节对硅片的抛光压力，其中，所述凹面上至少设置有多个距离传感器；监测系统，所述监测系统为所述的监测系统，所述监测系统连接所述距离传感器，用于根据所述距离传感器反馈并判断抛光状态。
20.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：
21.1、本技术在抛头内调节腔中设置距离传感器，距离传感器分别在抛光启动前和抛光过程中向下监测得到第一距离和第二距离，并反馈，建立第一距离、第二距离以及偏差值函数模型，获取在抛光过程中实时监测的第一距离和第二距离，通过该函数模型得到偏差
值，基于偏差值分析判断抛光状态，及时反馈抛光状态，有利于设备作出停机或不停机的措施，防止在需要停机的情况未及时停机导致设备损坏，或在不需要停机的情况下误判停机而导致抛光效率降低；解决了抛光停机次数多的技术问题，达到减少抛光停机次数的技术效果。
22.2、本技术经过正常和异常评判后，距离传感器进一步向下监测距离值并反馈，基于实时监测的第一距离和第二距离以及偏差值函数模型，判断飞片或碎片状态，在飞片状态下有利于设备作出停机措施，防止飞片影响其他正常抛头，而在未飞片的情况下即不停机，提高抛光效率。
附图说明
23.图1是本技术所述监测方法流程图；
24.图2是本技术中抛头示意图；
25.图3是图2中a的放大图；
26.图4是本技术所述监测方法中建立函数模型的流程图；
27.图5是本技术所述监测方法中确认偏差值的流程图；
28.图6是本技术所述监测方法中判断抛光状态的第一流程图；
29.图7是本技术所述取走硅片后抛头示意图；
30.图8是本技术所述监测方法中判断抛光状态的第二流程图；
31.图9是图7中b的放大图；
32.图10是本技术所述发生飞片的抛头示意图；
33.图11是图10中c的放大图；
34.图12是本技术所述抛头中距离传感器的另一种布置方式示意图。
35.附图标记说明：100、抛头；110、凹面；120、软基垫；130、调节腔；140、距离传感器；141、第一距离传感器；142、第二距离传感器；143、第三距离传感器；144、第四距离传感器；w、硅片；m、抛光垫；150、滑移腔体；151、第一腔；152、第二腔；160、弹簧。
具体实施方式
36.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
37.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
38.本技术提供一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机，解决了硅片w飞片影响抛光效率的技术问题，达到防止硅片w飞片影响抛光效率的技术效果。
39.为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
40.本技术提供了一种抛光机的监测方法，适用于抛光机中，用于监测抛光机中硅片w的抛光状态，基于硅片w在抛光过程中的抛光状态并及时反馈抛光状态，判断是否需要停机，有利于设备作出停机或不停机的措施，防止在硅片w出现异常需要停机的情况未及时停机导致设备损坏，或在不需要停机的情况下误判停机而导致抛光效率降低。如图1所示，该监测方法包括：
41.s100：建立抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；
42.s200：基于每个距离传感器140采集抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及该函数模型，确认偏差值；
43.s300：基于偏差值判断抛光状态。
44.基于上述监测方法，应用于抛光机中，如图2、3所示，抛光机具有抛头100，抛头100用于承载硅片w，通过驱动在抛光垫m上旋转而完成对硅片w的抛光，值得说明的是，抛头100的底部具有一均匀且成拱形的凹面110，该凹面110上连接有并包覆有一软基垫120，在一个实施例中，软基垫120可以采用气囊的形式，使得在凹面110和软基垫120之间形成调节腔130，软基垫120上粘连硅片w，当硅片w通过抛头100在抛光垫m上抛光时，通过向调节腔130内充压以调节硅片w所受压力，其中，在调节腔130的内部，凹面110上固定有若干距离传感器140，用于向下监测距离并反馈。
45.具体的，如图2-4所示，建立抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型，包括：
46.s110：获取抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值x；
47.s120：获取抛光过程中距离传感器140向下监测的第二距离值a；
48.s130：建立第一距离值x、第二距离值a以及偏差值c的函数模型：
49.c＝|x-a|
50.其中，x为抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值，值得说明的是，此时硅片w受软基垫120作用抵触于抛光垫m上，但抛头100和抛光垫m尚未启动，此时距离传感器140监测的第一距离值x即为距离传感器140到硅片w上表面的距离；
51.a为抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值，值得说明的是，此时硅片w受抛头100带动处于抛光过程中，即硅片w发生旋转而执行抛光，此时距离传感器140监测的第二距离值a即为距离传感器140到发生旋转而执行抛光的硅片w的上表面的距离。
52.具体的，如图5所示，基于每个距离传感器140采集抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及该函数模型，确认偏差值，包括：
53.s210：实时获取抛光过程中距离传感器140向下监测的第二距离值a
x
；
54.s220：通过上述偏差值的函数模型：
55.c
x
＝|x-a
x
|
56.得到实时的第二距离值ax对应的实时偏差值。
57.针对硅片w的抛光，在抛光过程中硅片w存在竖直方向上的微型位移，即在硅片w抛光过程中导致距离传感器140监测到的第二距离值a受影响，通过实时监测第二距离值与第一距离值之间形成的偏差c，即可初步判断硅片w当前的状态。一般的，硅片w在抛光过程中存在情况包括有：正常抛光、碎片、飞片等。在一个实施例中，硅片w的抛光状态包括有正常状态和异常状态，其中，正常状态是指硅片w不发生碎片和飞片，硅片w处于完整且位于当前位置；异常状态是指发生碎片和/或飞片，即异常状态包括碎片状态和飞片状态。
58.具体的，如图6所示，基于每个距离传感器140采集抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及该函数模型，确认偏差值，包括：
59.设定凹面110上设置有n个距离传感器140，分别独立的向下进行监测距离，并基于监测的距离值确定偏差值：
60.s310：定义第一预设值c
max
，其中，c
max
是指抛光过程中硅片w在竖直方向上允许的位移波动最大值；
61.s320：判断抛光状态：
62.s321：若max{c1,c2,c3,
…
,cn}≤c
max
，则判断抛光正常；
63.s322：若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足：c
x
＞c
max
，其中，c
x
∈{c1,c2,c3,
…
,cn}，则判断抛光异常。
64.可以理解的是，c
max
用于判断硅片w在正常抛光中的允许波动，若得到的偏差值超出c
max
，即可判断为硅片w发生碎片；在出现硅片w碎片的情况时，由于软基垫120还是将硅片w抵压在抛光垫m上，抛光垫m为软性，而硅片w不能够整体下压，导致硅片w上受力不均匀使得硅片w碎片处上浮或下降，从而导致监测和计算得到的偏差值c大于c
max
。
65.如图7所示，为了提高对硅片w状态判断的准确性，在凹面110上设置有多个距离传感器140，多个距离传感器140分别各自竖直方向朝下监测距离，并反馈，在一个实施例中，距离传感器140的数量为4个，基于每个距离传感器140定义有不同c
max
，即在径向上不同位置的偏差值波动允许范围均不同；也就是说，每个距离传感器140各自独立的监测，各自向下监测第一距离值x、第二距离值a以及第三距离值d。
66.如图8-11所示，经上述“s322：若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足：c
x
＞c
max
，其中，c
x
∈{c1,c2,c3,
…
,cn}，则判断抛光异常”判定后，对硅片w状态进行判断，具体的，包括：
67.s3221：定义第二预设值z，z＝|x-d|，其中，x为抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值；d是指硅片w从抛头100取走后距离传感器140检测到第三距离值；
68.可以理解的是，在抛光启动前或抛光过程中，硅片w受软基垫120作用而抵触于抛光垫m上，此时将硅片w取走，第三距离值即为距离传感器140到抛光垫m上表面的距离；
69.s3222：判断抛光如何异常：
70.s3223：若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足:c
max
＜c
x
＜z，且其余距离传感器140对应的偏差值均小于所述第二预设值z，则判断硅片w在x处发生碎片，但尚无飞片；
71.s3224：若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足:c
x
＝z，则判断硅片w碎片，且发生飞片；而在发生飞片的情况下则抛光机需要停机。
72.值得说明的是，在硅片w吸附于软基垫120上，可通过如申请号为202110964212.1中说明书附图13所示的吸附垫进行连接，通过吸附垫的设置，一方面降低硅片飞出的可能，另一方面也可防止硅片w发生飞片时软基垫120向空缺处顶出而影响监测精度。
73.在一个实施例中，如图7所示，距离传感器140的数量为四个，定义为第一距离传感器141、第二距离传感器142、第三距离传感器143以及第四距离传感器144，对应的监测、反馈后计算得到的偏差值c分别为：c1、c2、c3以及c4，同时，针对不同的偏差值具有对应的c
max
进行对比；每个距离传感器140向下独立监测并反馈距离值，具体的：
74.当四个距离传感器140监测、反馈后计算得到的偏差值c皆小于等于当前工况下的所容许的最大偏差c
max
时，当max{c1，c2，c3，c4}＜c
max
，且在设定时间段内数据的大小关系并未发生变化，认为该硅片w处于正常工作状态，并未出现任何的碎片、飞片情况；
75.当四个距离传感器140监测、反馈后计算得到的偏差任意一个偏差值c大于当前工况下的所容许的最大偏差c
max
时，判定该硅片w处于异常状态，进一步对异常情况进行分析和比对：
76.当c
max
＜c1＜z；max{c2，c3，c4}＜c
max
，且在设定时间段内数据的大小关系并未发生变化，则认定此时硅片w的第一距离传感器141对应处附近出现碎片，其余位置均处于正常工作状态，但此时碎片部分并未从抛头100底部飞出，经过上位机判断后，无需触发停机保护；
77.当c1＜c
max
；c2＜c
max
；c3＜c
max
；c4＝z，则认定此时硅片w对应于第四距离传感器144处无法检测到硅片w表面即飞片现象，其余位置均处于正常工作状态，此时上位机将发出停机信号，立刻停止抛光工序的进行。
78.进一步的，本技术还提供一种抛光机的飞片监测系统，应用于抛光机中，抛光机具有抛头100，抛头100的底部具有一凹面110，凹面110上设置有软基垫120使得凹面110与软基垫120之间形成调节腔130，软基垫120用于吸附抛片，通过向调节腔130中充压或施压调节对硅片w的抛光压力，其中，凹面110上至少设置有多个距离传感器140，监测系统包括：模型建立模块、偏差确认模块以及状态判断模块。
79.模型建立模块，模型建立模块用于基于每个距离传感器140，建立抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；
80.偏差确认模块，偏差确认模块用于基于每个距离传感器140采集抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及函数模型确认偏差值；以及
81.状态判断模块，状态判断模块用于基于偏差值判断抛光状态。
82.进一步的，状态判断模块包括：
83.第一判断模块，第一判断模块用于抛光正常或异常；
84.第二判断模块，第二判断模块用于在抛光机异常的情况下判断硅片w飞片或碎片。
85.在一个实施例中，硅片w的抛光状态包括有正常状态和异常状态，其中，正常状态是指硅片w不发生碎片和飞片，硅片w处于完整且位于当前位置；异常状态是指发生碎片和/
或飞片，即异常状态包括碎片状态和飞片状态。
86.进一步的，建立抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型：
87.偏差值c＝|x-a|；
88.其中，x为抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值，值得说明的是，此时硅片w受软基垫120作用抵触于抛光垫m上，但抛头100和抛光垫m尚未启动，此时距离传感器140监测的第一距离值x即为距离传感器140到硅片w上表面的距离；
89.a为抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值，值得说明的是，此时硅片w受抛头100带动处于抛光过程中，即硅片w发生旋转而执行抛光，此时距离传感器140监测的第二距离值a即为距离传感器140到发生旋转而执行抛光的硅片w的上表面的距离。
90.再进一步的，凹面110上设置有n个距离传感器140，每个距离传感器140均向下进行距离检测并对应得到一偏差值，第一判断模块用于抛光正常或异常，包括：
91.定义第一预设值c
max
；
92.若max{c1,c2,c3,
…
,cn}≤c
max
，则判断抛光正常，即c1,c2,c3,
…
,cn中分别与对应的c
max
进行对比，均小于各自对应的c
max
，则判断抛光正常；
93.若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足：c
x
＞c
max
，其中，c
x
∈{c1,c2,c3,
…
,cn}，则判断抛光异常。
94.再进一步的，第二判断模块用于在抛光机异常的情况下判断硅片w飞片或碎片，包括：
95.定义第二预设值z，z＝|x-d|，其中，x为抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值；d是指抛光过程中取走硅片w后距离传感器140检测到第三距离值；
96.若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足:c
max
＜c
x
＜z，且其余距离传感器140对应的偏差值均小于第二预设值z，则判断硅片w碎片，且尚无飞片；
97.若至少存在一距离传感器140对应的偏差值c
x
满足:c
x
＝z，则判断硅片w碎片，且发生飞片。
98.进一步的，控制模块，用于在硅片w出现飞片状态下，控制抛光机停机。
99.进一步的，本技术还提供一种抛光机，包括：抛头100和监测系统，抛头100的底部具有一凹面110，凹面110上设置有软基垫120使得凹面110与软基垫120之间形成调节腔130，软基垫120用于吸附抛片，通过向调节腔130中充压或施压调节对硅片w的抛光压力，其中，凹面110上至少设置有多个距离传感器140；监测系统为上述的监测系统，监测系统连接距离传感器140，用于根据距离传感器140反馈并判断抛光状态，并根据抛光状态，即在硅片w出现飞片时，控制模块控制抛光机停机。
100.在其他实施例中，如图12所示，抛头100中距离传感器140的设置方式还可以为可移动的形式：在凹面110的内部开设有与凹面110弧形相符合的滑移腔体150，距离传感器140容置于滑移腔体150的内部，且通过距离传感器140的设置，将长条形的滑移腔体150划分为第一腔151和第二腔152，值得说明的是，距离传感器140与滑移腔体150的内壁相抵触并设置有密封结构，例如密封圈等，使得第一腔151和第二腔152相互独立，且当距离传感器140在滑移腔体150内滑移而发生位置变化时，由于密封结构的设置第一腔151和第二腔152仍然能够保持相互独立。
101.第一腔151中设置有弹簧160，弹簧160容置于第一腔151的内部，且弹簧160始终呈压缩状态，弹簧160的一端固定连接于第一腔151的端部，弹簧160的另一端固定连接于距离传感器140；第二腔152上开设有加压口(加压口未图示)，通过向第二腔152内充压或抽压，使得第二腔152内的气压变化，如此，第一腔151和第二腔152之间的存在气压差，从而实现驱动距离传感器140的移动，更具体的说，是驱动距离传感器140在整个滑移腔体150上进行滑移；在一个实施例中，加压口也可设置于第一腔151上；如此，通过气压差驱动距离传感器140的滑移，使得距离传感器140在滑移腔体150的不同位置上可向下进行监测距离，即，存在气压和位置的映射关系：
102.pl＝f(p)；
103.其中，p是指第二腔152内所加压；pl是指距离传感器140在滑移腔体150上的位置。
104.如此，通过一组距离传感器140的驱动，实现在凹面110上的不同位置进行监测距离值，仅设置一个距离传感器140即可对滑移腔体150上的各个点位进行向下监测距离值，同时，对应上述的监测方法，距离传感器140位于该滑移腔体150上的各个点位上存在对应的偏差值。值得说明的是，为了实现距离传感器140能够向下正常进行距离监测，凹面110和滑移腔体150的材质应当采用透明材质，使得距离传感器140穿过透明材质向下监测距离。
105.在其他实施例中，驱动距离传感器140的实现方式还可以为其他结构，例如：设置于抛头100内部的直线电机或丝杆等结构。
106.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。
107.工作原理/步骤：
108.建立抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；基于每个距离传感器140采集抛光启动前距离传感器140向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器140向下检测的第二距离值以及所述函数模型，确认偏差值；基于偏差值判断抛光状态。
109.技术效果：
110.1、本技术在抛头100内调节腔130中设置距离传感器140，距离传感器140分别在抛光启动前和抛光过程中向下监测得到第一距离和第二距离，并反馈，建立第一距离、第二距离以及偏差值函数模型，获取在抛光过程中实时监测的第一距离和第二距离，通过该函数模型得到偏差值，基于偏差值分析判断抛光状态，及时反馈抛光状态，有利于设备作出停机或不停机的措施，防止在需要停机的情况未及时停机导致设备损坏，或在不需要停机的情况下误判停机而导致抛光效率降低；解决了硅片w飞片影响抛光效率的技术问题，达到防止硅片w飞片影响抛光效率的技术效果。
111.2、本技术经过正常和异常评判后，距离传感器140进一步向下监测距离值并反馈，基于实时监测的第一距离和第二距离以及偏差值函数模型，判断飞片或碎片状态，在飞片状态下有利于设备作出停机措施，防止飞片影响其他正常抛头100，而在未飞片的情况下即不停机，提高抛光效率。
112.尽管已描述了本技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术范围的所有变更和修改。
113.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。