磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片的制作方法

本发明涉及磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片。

背景技术：

1、在磁盘用基板中，“平坦度”这一指标，由于很大程度上左右使用该基板的硬盘驱动器(hdd)的性能，所以是非常重要的指标。

2、因此，关于磁盘用基板的“平坦度”，其研究开发至今一直在进行。

3、例如，在专利文献1中记述有一种磁盘用坯体材的制造方法，其特征在于，是含有3.0～6.0质量％的mg，余量为al和杂质的铝合金所构成的磁盘用坯体材料的制造方法，具备加压退火工序，对于所述磁盘用坯体材料，一边施加1.5mpa以上且4mpa以下的负载载荷进行加压，一边以210℃以上且280℃以下的退火温度进行退火的工序。

4、而且，根据专利文献1，说明了能够制造平坦度优异的磁盘用坯体材料。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2012－123884号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、本发明人等，对于磁盘用铝合金基板的“平坦度”(详细来说就是“坯体的平坦度”)反复研究，其结果确认到，需要从与专利文献1所述内容完全不同的技术方面研讨“平坦度”。

3、铸造时在板坯的表面附近，因为冷却速度快，所以化合物变得微细，个数增多。另一方面，在板坯的板厚中心部分，因为冷却速度变慢，所以化合物变得粗大，个数减少。

4、因此，由这样的板坯制造的坯体，其表面附近的化合物个数多，板厚中心部的化合物个数少，从表面朝向板厚中心部，化合物数的梯度(个数减少的程度)变大。

5、其结果是，由于板坯正反表面切削量的轻微误差，导致正背面的组织产生差异，轧制后的残余应力在正背面产生差异。而且，在退火中的残余应力释放的状况下，正背面发生差异，最终，退火后的坯体无法获得希望的平坦度。

6、本发明正是鉴于所述问题提出，其目的在于，提供一种平坦度优异的磁盘用铝合金板、磁盘用铝合金坯体和磁盘用铝合金基片。

7、解决问题的手段

8、本发明人对于磁盘用铝合金板的平坦度反复研究的结果发现，通过特定合金组成，并且特定从表面至规定区域中的化合物数梯度，能够使平坦度优异，并创造出本发明。

9、本发明的磁盘用铝合金板，含有mg：1.0质量％以上且6.5质量％以下、和cr：0.10质量％以上且0.30质量％以下，并满足si：0.20质量％以下、和cu：1.00质量％以下，并含有fe：1.70质量％以下、mn：1.5质量％以下和ni：2.7质量％以下之中一种以上，余量包含al和杂质，在距表面达板厚的3～11％的深度区域中，从表面到板厚中心方向的化合物数梯度为－400个/μm以上。

10、另外，本发明的磁盘用铝合金板，优选cu：0.05质量％以上。

11、另外，本发明的磁盘用铝合金板，优选还含有be：3质量ppm以上且100质量ppm以下。

12、另外，本发明的磁盘用铝合金板，优选还含有zn：0.5质量％以下。

13、另外，本发明的磁盘用铝合金板，优选还含有sr：10质量ppm以上且250质量ppm以下。

14、另外，本发明的磁盘用铝合金坯体，由所述磁盘用铝合金板形成。

15、另外，本发明的磁盘用铝合金基片，由所述磁盘用铝合金坯体形成。

16、发明的效果

17、本发明的磁盘用铝合金板，以此合金板作为原材时，能够成为平坦度优异的磁盘(或坯体和基片)。

18、本发明的磁盘用铝合金坯体和基片，能够发挥优异的平坦度。

技术特征：

1.一种磁盘用铝合金板，其含有mg：1.0质量％以上且6.5质量％以下、和cr：0.10质量％以上且0.30质量％以下，

2.根据权利要求1所述的磁盘用铝合金板，其中，cu：0.05质量％以上。

3.根据权利要求1所述的磁盘用铝合金板，其中，还含有be：3质量ppm以上且100质量ppm以下。

4.根据权利要求2所述的磁盘用铝合金板，其中，还含有be：3质量ppm以上且100质量ppm以下。

5.根据权利要求3所述的磁盘用铝合金板，其中，还含有zn：0.5质量％以下。

6.根据权利要求4所述的磁盘用铝合金板，其中，还含有zn：0.5质量％以下。

7.根据权利要求1所述的磁盘用铝合金板，其中，还含有sr：10质量ppm以上且250质量ppm以下。

8.根据权利要求2所述的磁盘用铝合金板，其中，还含有sr：10质量ppm以上且250质量ppm以下。

9.一种磁盘用铝合金坯体，其由权利要求1至8中任一项所述的磁盘用铝合金板形成。

10.一种磁盘用铝合金基片，其由权利要求9所述的磁盘用铝合金坯体形成。

技术总结
本发明涉及磁盘用铝合金板、坯体和基片，含有Mg：1.0质量％以上且6.5质量％以下、和Cr：0.10质量％以上且0.30质量％以下，并满足Si：0.20质量％以下、和Cu：1.00质量％以下，并含有Fe：1.70质量％以下、Mn：1.5质量％以下和Ni：2.7质量％以下之中一种以上，余量包含Al和杂质，在距表面的板厚的3～11％的深度区域，从表面到板厚中心方向的化合物数梯度为－400个/μm以上。

技术研发人员：大塚泰史,吉崎宥章,泉孝裕,大谷勇次,加藤良则,滨岛悠菜
受保护的技术使用者：株式会社神户制钢所
技术研发日：
技术公布日：2024/2/21