真空处理装置和真空处理方法与流程

本发明涉及一种真空处理装置和真空处理方法。

背景技术：

1、存在一种卷对卷(roll to roll)方式的成膜装置，其一边在减压气氛下将长条状的成膜用基材(带状膜，以下为基材)卷绕在主辊，一边在该成膜用基材上形成覆膜。在这样的成膜装置中，使成膜源与被主辊卷绕运送的基材相向，使从成膜源释放的成膜材料在基材上堆积(例如参照专利文献1)。由此，在被主辊卷绕运送的基材上形成覆膜。此外，在这样的成膜装置中，通过供给进行了温度控制的介质而将主辊保持在一定温度。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-019246号公报。

5、发明要解决的问题

6、然而，在由于某些外部因素使被主辊卷绕运送的基材的温度变化的情况下，当想要仅根据向主辊供给的介质的温度来控制主辊的温度时，由于介质与主辊的热容量的差异，即使将介质的温度设定为规定的温度，有时主辊的温度也不会立即达到该温度。由此，直至主辊达到目标温度，需要规定的时间，有时被主辊卷绕运送的基材发生变形(例如产生褶皱)。

技术实现思路

1、鉴于如上述这样的情况，本发明的目的在于提供一种真空处理装置和真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

2、用于解决问题的方案

3、为了实现上述目的，本发明的一个方式的真空处理装置具有卷出辊、卷取辊、主辊、成膜源、辅助辊、温度计、电源、温度调节机构、以及控制装置。

4、上述卷出辊送出具有成膜面和与上述成膜面的相反侧的非成膜面的基材。

5、上述卷取辊卷取上述基材。

6、上述主辊在运送上述基材的运送方向上设置在上述卷出辊与上述卷取辊之间，具有抵接于上述非成膜面的外周面，将上述基材卷绕运送。

7、上述成膜源与抵接于上述非成膜面的上述主辊的上述外周面相向。

8、上述辅助辊在上述运送方向上设置在上述卷出辊与上述主辊之间和上述卷取辊与上述主辊之间的至少任一方，引导上述基材的运送，调节被上述主辊卷绕运送的上述基材的张力。

9、上述温度计测量被上述主辊卷绕运送的上述基材的温度。

10、上述电源向上述主辊供给偏置电位。

11、上述温度调节机构调节上述主辊的温度。

12、上述控制装置控制上述辅助辊、上述温度计、上述电源、以及上述温度调节机构。

13、上述控制装置进行如下处理：

14、检测被上述主辊卷绕运送的上述基材的温度，

15、在上述基材的温度处于成膜温度范围的情况下，开始在上述基材形成成膜材料的成膜，

16、在开始向上述基材成膜后，在上述基材的温度偏离阈值范围的情况下，调节上述主辊的温度，并且调节上述主辊与上述基材之间的附着力，以使得上述基材的温度处于上述阈值范围，

17、在上述基材的温度在成膜温度范围内时继续进行上述成膜材料向上述基材的成膜。

18、根据这样的真空处理装置，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，进一步抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

19、在上述的真空处理装置中，上述控制装置可以在上述基材的温度处于上述阈值范围之后判断为上述主辊的温度稳定的情况下，从通过上述主辊的温度调节和上述主辊与上述基材之间的附着力来调节上述基材的温度的控制，切换为通过上述主辊的温度来调节上述基材的温度的控制。

20、根据这样的真空处理装置，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，进一步抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

21、在上述的真空处理装置中，上述控制装置可以通过被上述主辊卷绕运送的上述基材的张力或作用在上述主辊与上述基材之间的静电力来控制上述附着力。

22、根据这样的真空处理装置，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

23、为了实现上述目的，在本发明的一个方式的真空处理方法中，使用上述真空处理装置进行以下处理：

24、检测被上述主辊卷绕运送的上述基材的温度，

25、在上述基材的温度处于成膜温度范围的情况下，开始在上述基材形成成膜材料的成膜，

26、在开始向上述基材成膜后，上述基材的温度偏离阈值范围的情况下，调节上述主辊的温度，并且调节上述主辊与上述基材之间的附着力，以使得上述基材的温度处于上述阈值范围，

27、在上述基材的温度在成膜温度范围内时继续进行上述成膜材料向上述基材的成膜。

28、根据这样的真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

29、在上述的真空处理方法中，可以在上述基材的温度处于上述阈值范围之后，上述主辊的温度稳定的情况下，从通过上述主辊的温度调节和上述主辊与上述基材之间的附着力来调节上述基材的温度的控制，切换为通过上述主辊的温度来调节上述基材的温度的控制。

30、根据这样的真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，进一步抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

31、在上述的真空处理方法中，可以通过被上述主辊卷绕运送的上述基材的张力或作用在上述主辊与上述基材之间的静电力来控制上述附着力。

32、根据这样的真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，进一步抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

33、发明效果

34、如上所述，根据本发明，提供一种真空处理装置和真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度发生变化的情况下，抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。

技术特征：

1.一种真空处理装置，具有：

2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的真空处理装置，其中，

4.一种真空处理方法，使用真空处理装置进行处理，

5.根据权利要求4所述的真空处理方法，其中，

6.根据权利要求4或5所述的真空处理方法，其中，

技术总结
本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法，在被主辊卷绕运送的基材的温度变化的情况下抑制被主辊卷绕运送的基材的变形，形成可靠性高的形成有覆膜的基材。真空处理装置具有：卷出辊、卷取辊、主辊、成膜源、辅助辊、温度计、电源、温度调节机构以及控制装置。控制装置检测被上述主辊卷绕运送的上述基材的温度，在上述基材的温度处于成膜温度范围的情况下开始在上述基材形成成膜材料的成膜，在开始向上述基材成膜后，在上述基材的温度偏离阈值范围的情况下调节上述主辊的温度并且调节上述主辊与上述基材之间的附着力，以使得上述基材的温度处于上述阈值范围，在上述基材的温度在成膜温度范围内时继续进行上述成膜材料向上述基材的成膜。

技术研发人员：福田义朗,佐佐木俊介,木本孝仁,杉村道成
受保护的技术使用者：株式会社爱发科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4