1.一种用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述抛光垫上沟槽的延伸轨迹通过图像识别或理论计算获取。
4.根据权利要求3所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述图像识别获取沟槽的延伸轨迹的步骤中，计算方法为实时计算轨迹，
5.根据权利要求3所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述图像识别获取沟槽的延伸轨迹的步骤中，计算方法为预记录轨迹；
6.根据权利要求3所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述理论计算获取沟槽的延伸轨迹的步骤中，沟槽为圆环形，坐标系为直角坐标系，旋转中心与沟槽圆心的距离为a，旋转中心与加工头落点的距离为b，沟槽圆心与加工头落点的距离为c。
7.根据权利要求6所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述获取沟槽在延伸轨迹在x方向位置的极大值和极小值，极大值和极小值的差为2a，所述沟槽圆心与加工头落点的距离c为沟槽半径，获取抛光台的旋转角速度ω，在经过时间t后，沟槽圆心相对旋转中心的旋转角度为ωt，则即为沟槽延伸轨迹。
8.根据权利要求3所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述理论计算获取沟槽的延伸轨迹的步骤中，沟槽为圆环形，坐标系为极坐标系，旋转中心与沟槽圆心的距离为a，旋转中心与加工头落点的距离为b，沟槽圆心与加工头落点的距离为c，初始时刻旋转中心的极坐标系坐标为(ρ1,π-ωt)，加工头的极坐标系坐标为(ρ2,0),则a＝ρ1,b＝ρ2，计算出ρ2即沟槽延伸轨迹。
9.根据权利要求3所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述理论计算获取沟槽的延伸轨迹的步骤中，沟槽为方格形，旋转中心与沟槽圆心的距离为a，旋转中心与加工头落点的距离为b，沟槽圆心与加工头落点的距离为c，通过图像识别获取上述a值和c值，获取抛光台的旋转角速度ω，在经过时间t后，沟槽圆心相对旋转中心的旋转角度为ωt，则b＝(c-a)/coswt即沟槽延伸轨迹。
10.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述确定加工深度零点步骤中，利用加工头的电机力矩变化确定深度零点，或者，利用力学传感器/测距传感器确定深度零点，或者，利用摄像头确定深度零点。
11.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述加工头按照沟槽延伸轨迹运动切割沟槽的步骤中，图像识别或预先理论计算抛光垫窗口位置，并标记为不加工区域，加工头到达该区域时，电机控制加工头避让。
12.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述沟槽的深度为0.3-1.0mm，其宽度为0.2-0.6mm。
13.根据权利要求2所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述阈值为8-12um。
14.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：还包括负压吸附或正压吹散或高压水冲洗步骤，其用于清理加工头切割产生的碎屑。
15.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：在加工头下降之前，或者在加工头下降至沟槽中预设的加工深度之后，抛光台转动，带动抛光垫转动。
16.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述控制加工头按照旋转抛光垫的沟槽延伸轨迹运动，以对抛光垫上的沟槽进行加深切割的步骤中，实时检测加工头切割产生的切屑或者切屑的连续性，以判断加工头是否按照预设的加工深度进行切割，或者是否开始切割，或者是否结束切割。
17.根据权利要求1所述的用于cmp设备抛光垫沟槽修整的方法，其特征在于：所述控制加工头按照旋转抛光垫的沟槽延伸轨迹运动，以对抛光垫上的沟槽进行加深切割的步骤中，包括以下子步骤，