PECVD镀膜设备的制作方法

本发明涉及pecvd镀膜，尤其涉及pecvd镀膜设备。

背景技术：

1、等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical deposition，pecvd)镀膜设备通过微波或射频等使含有薄膜成本原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子体化学活性很强，很容易发生反应的原理，从而在镀膜工件上沉积出所需要的薄膜。

2、在采用pecvd镀膜设备进行镀膜时，需要利用蒸发装置将液体单体加热到一定温度并气化后进入到反应腔室中，参与反应腔室中的镀膜反应。现有蒸发装置包括坩埚和加热元件，加热元件对坩埚进行加热，而坩埚用于放置膜料，坩埚的温度可达400℃，膜料在加热过程中极有机会出现炸开的情况，而且膜料在高温下容易发生变质。因此，亟需一种使膜料被柔和加热蒸发的pecvd镀膜设备。

3、因此，亟需一种使膜料被柔和加热蒸发的pecvd镀膜设备来克服上述缺陷。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种使膜料被柔和加热蒸发的pecvd镀膜设备。

2、为实现上述目的，本发明提供一种pecvd镀膜设备，其包括反应室、蒸发装置、正电极、抽真空装置和公自转转架系统，反应室具有一镀膜腔，公自转转架系统安装于镀膜腔，抽真空装置与镀膜腔连通，蒸发装置包括蒸发结构、进料接头和吹气管，蒸发结构内具有加热蒸发腔，加热蒸发腔与镀膜腔连通，进料接头用于输入液体状的膜料进加热蒸发腔，蒸发结构将位于加热蒸发腔的膜料蒸发成气雾状材料，吹气管伸入加热蒸发腔并往加热蒸发腔喷吹惰性气体，加热蒸发腔中的气雾状材料和惰性气体相互融合成混合气体，所形成的混合气体从加热蒸发腔流入到镀膜腔中。

3、较佳地，蒸发装置还包括一用于加热蒸发结构的加热元件，加热元件对蒸发结构进行加热以使蒸发结构以小于130℃的温度加热蒸发膜料。

4、较佳地，加热元件安装于蒸发结构的下端，加热元件对蒸发结构的下端进行加热，进料接头安装于蒸发结构的上端，进料接头输出的膜料从加热蒸发腔的上端落下，蒸发结构的下端对落下的膜料加热蒸发成气雾状材料。

5、较佳地，蒸发结构的侧面设有散热结构，散热结构沿上下方向设置，在蒸发结构的侧面通过开长槽的方式而形成鳍片形式的散热结构。

6、较佳地，蒸发装置还包括对接管，对接管的一端连接于反应室，对接管的另一端连接于蒸发结构，加热蒸发腔通过对接管与镀膜腔连通。

7、较佳地，抽真空装置包括通过管道依次连接的第一抽气泵、冷阱、第二抽气泵和过滤器，冷阱包括冷阱机体和安装于冷阱机体中的冷锅，冷锅设有进气口和出气口，第一抽气泵与进气口连接，第二抽气泵与出气口连接。

8、较佳地，抽真空装置还包括一用于与反应室连接的排气管，排气管与第一抽气泵连接，排气管上安装有用于控制管内气体流量大小的角度阀以及安装有用于控制管内气流通断的气动阀。

9、较佳地，镀膜腔中安装有竖向布置的抽气管，抽气管的侧壁沿轴向开设有多组排气通孔，每组排气通孔以抽气管的轴线为中心排成一圈，每组排气通孔中两相邻排气通孔间隔设置，公自转转架系统包围抽气管设置。

10、较佳地，从上至下的每组排气通孔的口径不断增大。

11、较佳地，公自转转架系统包括公自转驱动机构、承托架和工件载架，多个承托架可转动地安装于公自转驱动机构，多个承托架围绕抽气管排成一圈，公自转驱动机构驱使承托架以抽气管为中心进行公转的同时驱使承托架进行自转，承托架设有若干层置放空间，工件载架可移离地放置于置放空间中，工件载架设有多对一上一下布置间隔布置的供片式工件插装的插装槽。

12、与现有技术相比，本发明舍弃采用开放式高温加热液体膜料的方式，改为在封闭的加热蒸发腔内对膜料进行加热，同时借助吹气管在加热蒸发腔中吹出惰性气体，从而有效控制加热温度在较低值(小于150℃)，因此在加热膜料时能够防止膜料出现炸开的情况，让膜料能被柔和地加热蒸发，而且将加热温度控制在较低值，降低膜料因加热出现变质的风险。

技术特征：

1.一种pecvd镀膜设备，其特征在于：包括反应室、蒸发装置、正电极、抽真空装置和公自转转架系统，所述反应室具有一镀膜腔，所述公自转转架系统安装于所述镀膜腔，所述抽真空装置与所述镀膜腔连通，所述蒸发装置包括蒸发结构、进料接头和吹气管，所述蒸发结构内具有加热蒸发腔，所述加热蒸发腔与所述镀膜腔连通，所述进料接头用于输入液体状的膜料进所述加热蒸发腔，所述蒸发结构将位于所述加热蒸发腔的膜料蒸发成气雾状材料，所述吹气管伸入所述加热蒸发腔并往所述加热蒸发腔喷吹惰性气体，所述加热蒸发腔中的气雾状材料和惰性气体相互融合成混合气体，所形成的混合气体从加热蒸发腔流入到所述镀膜腔中。

2.根据权利要求1所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述蒸发装置还包括一用于加热所述蒸发结构的加热元件，所述加热元件对所述蒸发结构进行加热以使所述蒸发结构以小于130℃的温度加热蒸发膜料。

3.根据权利要求2所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述加热元件安装于所述蒸发结构的下端，所述加热元件对所述蒸发结构的下端进行加热，所述进料接头安装于所述蒸发结构的上端，所述进料接头输出的膜料从所述加热蒸发腔的上端落下，所述蒸发结构的下端对落下的膜料加热蒸发成气雾状材料。

4.根据权利要求1所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述蒸发结构的侧面设有散热结构，所述散热结构沿上下方向设置，在所述蒸发结构的侧面通过开长槽的方式而形成鳍片形式的散热结构。

5.根据权利要求1所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述蒸发装置还包括对接管，所述对接管的一端连接于所述反应室，所述对接管的另一端连接于所述蒸发结构，所述加热蒸发腔通过所述对接管与所述镀膜腔连通。

6.根据权利要求1所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述抽真空装置包括通过管道依次连接的第一抽气泵、冷阱、第二抽气泵和过滤器，所述冷阱包括冷阱机体和安装于冷阱机体中的冷锅，所述冷锅设有进气口和出气口，所述第一抽气泵与所述进气口连接，所述第二抽气泵与所述出气口连接。

7.根据权利要求6所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述抽真空装置还包括一用于与所述反应室连接的排气管，所述排气管与所述第一抽气泵连接，所述排气管上安装有用于控制管内气体流量大小的角度阀以及安装有用于控制管内气流通断的气动阀。

8.根据权利要求1所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述镀膜腔中安装有竖向布置的抽气管，所述抽气管的侧壁沿轴向开设有多组排气通孔，每组所述排气通孔以所述抽气管的轴线为中心排成一圈，每组所述排气通孔中两相邻所述排气通孔间隔设置，所述公自转转架系统包围所述抽气管设置。

9.根据权利要求8所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，从上至下的每组排气通孔的口径不断增大。

10.根据权利要求8所述的pecvd镀膜设备，其特征在于，所述公自转转架系统包括公自转驱动机构、承托架和工件载架，多个所述承托架可转动地安装于公自转驱动机构，多个所述承托架围绕所述抽气管排成一圈，所述公自转驱动机构驱使所述承托架以所述抽气管为中心进行公转的同时驱使所述承托架进行自转，所述承托架设有若干层置放空间，所述工件载架可移离地放置于所述置放空间中，所述工件载架设有多对一上一下布置间隔布置的供片式工件插装的插装槽。

技术总结
本发明公开了一种PECVD镀膜设备，其具有能使膜料被柔和加热蒸发的优点。本发明的PECVD镀膜设备包括反应室、蒸发装置、正电极、抽真空装置和公自转转架系统，反应室具有一镀膜腔，公自转转架系统安装于镀膜腔，抽真空装置与镀膜腔连通，蒸发装置包括蒸发结构、进料接头和吹气管，蒸发结构内具有加热蒸发腔，加热蒸发腔与镀膜腔连通，进料接头用于输入液体状的膜料进加热蒸发腔，蒸发结构将位于加热蒸发腔的膜料蒸发成气雾状材料，吹气管伸入加热蒸发腔并往加热蒸发腔喷吹惰性气体，加热蒸发腔中的气雾状材料和惰性气体相互融合成混合气体，所形成的混合气体从加热蒸发腔流入到镀膜腔中。

技术研发人员：任泽明,廖骁飞,王号,余长勇,吴攀,唐志奇
受保护的技术使用者：广东思泉新材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1