基板处理装置及方法、基板回收处理方法与流程

本发明涉及集成电路制造，特别涉及一种基板处理装置及方法、基板回收处理方法。

背景技术：

1、掩模板(photomask)，又称光罩，是微电子、集成光电子制造中光刻工艺所使用的图形母版。所述图形母版是由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成的掩模图形，且通过曝光工艺可以将该图形转印到晶圆上。其中，掩模板的透明基板可以通过合成制造或再回收的方式获取，且在所述透明基板的制造及回收的过程中均需要经过多道抛光工艺，以满足所述透明基板的高平坦度及高透明度的要求。目前，现有工艺一般是先采用化学机械抛光工艺进行粗抛光，再采用等离子束或磁流变等抛光技术进行精细抛光。然而，化学机械抛光工艺中抛光液等耗材使用量大，且基板损耗多，易形成污染颗粒，影响基板表面的平坦度；离子束或磁流变等抛光技术的去除速度有限，且器械设备成本高。此外，在透明基板再回收工艺中，还需要采用湿法刻蚀、激光烧蚀或等离子刻蚀等工艺预先去除透明基板上的掩模材料。这些去除工艺不可避免地会造成透明基板的高诱导扩散、表面损伤以及表面粗糙等缺陷。

2、因此，亟需一种新的清洁抛光工艺，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种基板处理装置及方法、基板回收处理方法，以解决如何提高清洁抛光效果，如何提高清洁抛光效率，如何降低清洁抛光成本，以及如何精简清洁抛光工艺流程中的至少一个问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供一种基板处理方法，包括：

3、提供一基板，并将所述基板置于反应腔内；

4、在所述反应腔内将声波以预设角度朝向所述基板的至少一个表面传播，以清洁和/或抛光所述基板的对应表面。

5、可选的，在所述的基板处理方法中，所述预设角度的范围包括：10°～170°。

6、可选的，在所述的基板处理方法中，所述声波包括超声波。

7、可选的，在所述的基板处理方法中，所述反应腔内的气压范围为100mtorr～1atm。

8、可选的，在所述的基板处理方法中，所述声波的功率范围为10mw～10w。

9、可选的，在所述的基板处理方法中，在所述反应腔内将声波以预设角度朝向所述基板的至少一个表面传播的过程中，对所述基板加热；以及，所述声波按照预设路线移动，并重复扫描所述基板。

10、基于同一发明构思，本发明还提供一种基板回收处理方法，包括：

11、提供一掩模板，且所述掩模板包括基板以及形成于所述基板上的掩模材料层；

12、采用所述基板处理方法去除所述基板上的所述掩模材料层；

13、采用所述基板处理方法清洁并抛光所述基板的至少一个表面，以至少去除所述基板的对应表面上的污染颗粒和/或凸起结构。

14、可选的，在所述的基板回收处理方法中，采用所述基板处理方法清洁并抛光所述基板的至少一个表面的过程包括：

15、采用所述基板处理方法清洁所述基板的至少一个表面；以及，

16、增加声波功率，以抛光所述基板的至少一个表面。

17、基于同一发明构思，本发明还提供一种基板处理装置，包括反应室和声波组件；

18、所述反应室具有一反应腔，用于容置待处理基板；

19、所述声波组件置于所述反应腔内，且包括若干个声波发生器和若干个声波反射器；其中，所述若干个声波发生器用于产生声波，并将所述声波以预设角度朝向所述待处理基板的至少一个表面传播；所述若干个声波反射器用于反射传播至所述待处理基板的表面的所述声波，并使所述声波反复以所述预设角度朝向所述待处理基板的至少一个表面传播，以清洁和/或抛光所述待处理基板的对应表面。

20、可选的，在所述的基板处理装置中，所述基板处理装置还包括温度调节器和气压调节器；其中，所述温度调节器用于调节所述基板的温度；所述气压调节器包括供气端和排气端，分别用于向所述反应腔内提供气体及排出气体，以至少调节所述反应腔内的气压。

21、综上所述，本发明提供一种基板处理装置及方法、基板回收处理方法。其中，所述基板处理方法是采用声波引起空气分子剧烈的震动，并利用分子间的作用力有效剥离所述基板上的膜层和/或去除基板表面的污染颗粒，实现对基板的清洁、粗抛或精抛。相较于现有工艺，本发明利用声波进行清洁和/或抛光不但对基板的损伤程度低、清洁程度高、抛光效果好，而且无需使用大量耗材，设备成本低，利于降本增效。

技术特征：

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述预设角度的范围包括：10°～170°。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述声波包括超声波。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述反应腔内的气压范围为100mtorr～1atm。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述声波的功率范围为10mw～10w。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述反应腔内将声波以预设角度朝向所述基板的至少一个表面传播的过程中，对所述基板加热；以及，所述声波按照预设路线移动，并重复扫描所述基板。

7.一种基板回收处理方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的基板回收处理方法，其特征在于，采用所述基板处理方法清洁并抛光所述基板的至少一个表面的过程包括：

9.一种基板处理装置，其特征在于，用于执行如权利要求1～6中任意一项所述的基板处理方法，或执行如权利要求7～8中任意一项所述的基板回收处理方法；所述基板处理装置包括反应室和声波组件；

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括温度调节器和气压调节器；其中，所述温度调节器用于调节所述基板的温度；所述气压调节器包括供气端和排气端，分别用于向所述反应腔内提供气体及排出气体，以至少调节所述反应腔内的气压。

技术总结
本发明提供一种基板处理装置及方法、基板回收处理方法。其中，所述基板处理方法是采用声波引起空气分子剧烈的震动，并利用分子间的作用力有效剥离所述基板上的膜层和/或去除基板表面的污染颗粒，实现对基板的清洁、粗抛或精抛。相较于现有工艺，本发明利用声波进行清洁和/或抛光不但对基板的损伤程度低、清洁程度高、抛光效果好，而且无需使用大量耗材，设备成本低，利于降本增效。

技术研发人员：季明华,黄早红
受保护的技术使用者：上海传芯半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12