半导体工艺设备的制作方法

本申请属于半导体工艺设备设计，具体涉及一种半导体工艺设备。

背景技术：

1、半导体工艺设备是一种处理晶圆的设备。在半导体工艺设备中，靶材的上方设有磁控管，支撑衬底的承载台的外侧围设有磁体圈，磁体圈与磁控管之间形成偏置磁场，偏置磁场作用在等离子体上，使得等离子体轰击处于偏置磁场中的靶材，从而使得靶材上被轰击出的原子沉积在腔室内的衬底上。但是，处在偏置磁场中的靶材两侧的磁场强度不一致，磁场较强的区域会吸引更多的等离子体对靶材进行轰击，磁场较弱的区域等离子轰击较少，从而使得靶材消耗不均匀，如此会出现靶材一侧已被消耗完，另一侧还剩余很多的现象。由于靶材的一侧已被消耗完，只能将整个靶材进行更换，进而造成较大的浪费。

2、为了解决此问题，在相关技术涉及的半导体工艺设备中，在工作一段时间后，操作人员会把靶材拆卸后重新换个角度再次安装，进而使得后续的工艺中更多地消耗剩余较多的部位。但是，在此种情况下，操作人员需要拆卸掉很多零件，此种操作的工作量较大，操作难度较高。

技术实现思路

1、本实用新型公开一种半导体工艺设备，以解决相关技术的半导体工艺设备在调整靶材的过程中存在操作工作量较大的问题。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种半导体工艺设备，包括腔室、磁控管组件和磁体组件，

4、所述磁控管组件设于所述腔室的顶部，所述磁体组件环绕设置在所述腔室之外，以使所述磁控管组件与所述磁体组件配合形成偏置磁场，所述磁体组件与所述腔室转动配合，以通过转动所述磁体组件改变所述磁控管组件与所述磁体组件之间的偏置磁场。

5、本实用新型采用的技术方案能够达到以下技术效果：

6、本申请实施例公开的半导体工艺设备，通过对相关技术涉及的半导体工艺设备的结构进行改进，通过将磁控管组件设于腔室的顶部，并将磁体组件转动地环绕在腔室之外，使得通过旋转磁体组件即可改变磁控管组件与磁体组件配合形成的偏置磁场中不同区域的磁场强度的大小，此种结构避免打开腔室调整磁体组件的位置，避免在调整磁体组件位置时拆卸大量零件，有利于降低调整磁体组件时产生的附加工作量，从而使得磁体组件更容易被调整。

技术特征：

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括腔室(100)、磁控管组件(200)和磁体组件(300)，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述腔室(100)的外周壁开设有容纳槽(101)，所述磁体组件(300)设于所述容纳槽(101)之内，且可与所述容纳槽(101)的内壁转动配合。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述容纳槽(101)的内壁表面包括第一支撑面(102)，

4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括环状安装架(400)，所述定位件(600)为定位销，所述磁体组件(300)固定在所述环状安装架(400)上，所述环状安装架(400)转动地设于所述第一支撑面(102)上，

5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述环状安装架(400)包括多个弧形安装架(420)，所述多个弧形安装架(420)可拆卸相连以形成所述环状安装架(400)，所述多个弧形安装架(420)转动地设于所述第一支撑面(102)上。

6.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括多个滚动体(510)，所述多个滚动体(510)围绕所述腔室(100)分布，所述多个滚动体(510)可滚动地支撑于所述第一支撑面(102)与所述环状安装架(400)之间。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括环状保持架(520)，所述环状保持架(520)固定在所述第一支撑面(102)上，所述环状保持架(520)开设有多个安装孔(521)，所述多个滚动体(510)滚动地安装于所述安装孔(521)中，所述滚动体(510)凸出于所述安装孔(521)的第一端口的滚动面与所述环状安装架(400)滚动接触，所述滚动体(510)凸出于所述安装孔(521)的第二端口的滚动面与所述第一支撑面(102)滚动接触。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一支撑面(102)开设有第一定位槽(1021)，所述环状保持架(520)定位于所述第一定位槽(1021)中，且与所述第一定位槽(1021)在所述环状保持架(520)的径向定位配合。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一定位槽(1021)的槽底设有第二定位槽(1022)，所述多个滚动体(510)滚动地设于所述第二定位槽(1022)中。

10.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述环状保持架(520)的外侧边缘开设有拆装口(522)，所述拆装口(522)朝向所述环状保持架(520)的径向，所述拆装口(522)与所述安装孔(521)连通，所述半导体工艺设备还包括围挡(530)，所述围挡(530)可拆卸地连接于所述环状保持架(520)的外侧边缘，且覆盖所述拆装口(522)。

技术总结
本申请公开一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括腔室(100)、磁控管组件(200)和磁体组件(300)，所述磁控管组件(200)设于所述腔室(100)的顶部，所述磁体组件(300)环绕设置在所述腔室(100)之外，以使所述磁控管组件(200)与所述磁体组件(300)配合形成偏置磁场，所述磁体组件(300)与所述腔室(100)转动配合，以通过转动所述磁体组件(300)改变所述磁控管组件(200)与所述磁体组件(300)之间的偏置磁场。上述方案能解决相关技术的半导体工艺设备在调整靶材的过程中存在操作工作量较大的问题。

技术研发人员：吕鑫,罗建恒,杨依龙
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：20230228
技术公布日：2024/1/14