本技术涉及晶体加工设备领域,特别是一种晶体粗打磨装置。
背景技术:
1、传统的晶体粗打磨装置,就是在晶体的安放座上方设置一个磨盘,所述磨盘通过一个电机驱动转动,实现对晶体的打磨。为了保证打磨程度,需要增加一个升降机构,带动磨盘上下移动。
2、但是目前的打磨装置存在基本问题,1升降机构的力度不易掌控,容易对晶体造成损毁;2打磨面不易补水,由于磨盘和晶体全面接触,该设计容易造成晶体粗打磨效果差,进而导致后期精磨效果差。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于:提供一种晶体粗打磨装置,它具有打磨效果好,操作简单方便的效果。
2、本实用新型通过如下技术方案实现:一种晶体粗打磨装置,它包括
3、基台1,顶部设有下凹的打磨工作槽11;
4、晶体转盘2,设置于打磨工作槽11内,用于盛放晶体并带动晶体转动;
5、转盘驱动组件,位于基台1内,并穿过打磨工作槽11与晶体转盘2连接从而带动晶体转盘2转动;
6、磨盘4,设置于晶体转盘2上方,用于打磨晶体;
7、摆臂5,安装于基台1上,且磨盘4拆合安装于摆臂5上,通过摆臂5的摆动带动磨盘4前后下往复运动实现对晶体的区域性打磨;以及
8、摆臂驱动机构,安装于基台1上并与摆臂5连接带动摆臂5摆动。
9、较之前技术而言,本实用新型的有益效果为:
10、1、该设计可以实现磨盘和晶体的部分面接触,方便补水,提高打磨效果,另外,这里的磨盘采用自重对晶体进行打磨,受力相对平均,打磨效果好。
11、2、横向摆臂和竖向摆臂长度可调节,适用于多种尺寸规格晶体的打磨。
12、3、限位台的设计,可以实现对磨盘重量的调整,调整打磨程度。
13、4、打磨工作槽的底面中部凸起,从而形成流水区域,避免打磨液体对晶体转盘下方轴孔的影响。
1.一种晶体粗打磨装置,其特征在于:它包括
2.根据权利要求1所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:所述摆臂(5)包括横向摆臂(51)、竖向摆臂(52)以及竖向限位杆(53);
3.根据权利要求2所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:
4.根据权利要求2所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:所述竖向限位杆(53)的上部外周还设有用于放置配重块的限位台(531)。
5.根据权利要求2所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:所述竖向限位杆(53)的底端设有球形头(532),所述磨盘(4)的顶部设有限位凸台(41),限位凸台(41)上设有与球形头(532)配合的限位凹槽。
6.根据权利要求3所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:所述摆臂驱动机构包括转盘(61)、摇臂(62)、导向轨道(63)以及转盘电机(64);
7.根据权利要求1所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:所述转盘驱动组件包括设置于基台(1)内的驱动电机(31)、主动齿轮(32)、链条(33)以及传动齿轮(34);
8.根据权利要求1所述的一种晶体粗打磨装置,其特征在于:打磨工作槽(11)的底面中部凸起,使得底面未凸起的部分形成流水区域(111),所述流水区域(111)设有排水孔;所述晶体转盘(2)位于中部凸起区域的上方。