一种晶片抛光过程供药装置的制作方法

本申请涉及生半导体晶片生产，尤其涉及一种晶片抛光过程供药装置。

背景技术：

1、生活中大多电子产品内部结构中包括有半导体材料，如砷化镓、锗、磷化铟等；作为集成电路中的基底材料，上述砷化镓等材料在使用时需要先制作为晶片。

2、在晶片生产工艺中，需对晶片进行抛光工序，通过抛光工序去除上一道研磨工序产生的损伤层，以形成良好的抛光面从而为后面的清洗做好铺垫。在形成抛光面的过程中要用到抛光药液及还原剂药液；如图一所示，现有的供药装置一般是将上述两种药液从集中供药系统中流出后，通过两根管道流至机台上的抛盘上。

3、由于抛盘上可能有多个晶片，因此在实际加工过程中可能存在药液流通不均匀的现象，造成不同晶片接触抛光液不等的问题，从而影响不同晶片的抛光一致性，并且可能出现部分晶片接触的药液少而抛光效果不佳的情况。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的是提供一种晶片抛光过程供药装置，用于提高晶片抛光过程中晶盘上不同晶片接触药液量的一致性。

2、为达到上述技术目的，本申请提供一种晶片抛光过程供药装置，包括：第一管道与第二管道；

3、所述第一管道环绕于抛盘外周，且设置有多个朝向抛盘的第一喷嘴；

4、所述第二管道环绕于抛盘外周，且设置有多个朝向抛盘的第二喷嘴。

5、进一步地，所述抛盘上设置有多个呈圆周排布的tp垫；

6、所述第一管道为圆弧形，且其圆弧延伸方向位于所述tp垫排布圆周的同心圆上；

7、所述第二管道为圆弧形，且其圆弧延伸方向位于所述tp垫排布圆周的同心圆上。

8、进一步地，多个所述第一喷嘴绕所述抛盘呈圆周均匀间隔分布；

9、多个所述第二喷嘴绕所述抛盘呈圆周均匀间隔分布。

10、进一步地，所述第一管道与第二管道呈上下叠合设置；

11、多个所述第一喷嘴与多个所述第二喷嘴在位置上一一对应且呈上下分布。

12、进一步地，所述第一管道与第二管道内均设置有管道滤网。

13、进一步地，各所述第一喷嘴和第二喷嘴上均设置有喷嘴滤网。

14、进一步地，所述第一喷嘴和第二喷嘴上设置有流量计。

15、进一步地，所述第一管道与第二管道上连接有连接架。

16、进一步地，所述第一喷嘴和第二喷嘴上设置有调节阀。

17、进一步地，所述第一管道与第二管道两端均为进液口。

18、从以上技术方案可以看出，本申请提供一种晶片抛光过程供药装置，包括：第一管道与第二管道；所述第一管道环绕于抛盘外周，且设置有多个朝向抛盘的第一喷嘴；所述第二管道环绕于抛盘外周，且设置有多个朝向抛盘的第二喷嘴。本方案通过环绕抛盘的第一管道和第二管道，并在第一管道和第二管道上设置多个第一喷嘴和第二喷嘴，可以有效提高晶片抛光过程中晶盘上不同晶片接触药液量的一致性，降低晶片因为接触药液量较少而导致抛光效果不佳的可能性。

技术特征：

1.一种晶片抛光过程供药装置，其特征在于，包括：第一管道(1)与第二管道(2)；

2.根据权利要求1所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述抛盘(3)上设置有多个呈圆周排布的tp垫(31)；

3.根据权利要求2所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，多个所述第一喷嘴(11)绕所述抛盘(3)呈圆周均匀间隔分布；

4.根据权利要求3所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述第一管道(1)与第二管道(2)呈上下叠合设置；

5.根据权利要求1至4任一项所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述第一管道(1)与第二管道(2)内均设置有管道滤网(4)。

6.根据权利要求5所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，各所述第一喷嘴(11)和第二喷嘴(21)上均设置有喷嘴滤网(5)。

7.根据权利要求1所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述第一喷嘴(11)和第二喷嘴(21)上设置有流量计。

8.根据权利要求1所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述第一管道(1)与第二管道(2)上连接有连接架(6)。

9.根据权利要求1所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述第一喷嘴(11)和第二喷嘴(21)上设置有调节阀。

10.根据权利要求1所述的晶片抛光过程供药装置，其特征在于，所述第一管道(1)与第二管道(2)两端均为进液口。

技术总结
本申请涉及生半导体晶片生产技术领域，具体公开了一种晶片抛光过程供药装置，包括：第一管道与第二管道；所述第一管道环绕于抛盘外周，且设置有多个朝向抛盘的第一喷嘴；所述第二管道环绕于抛盘外周，且设置有多个朝向抛盘的第二喷嘴。本方案通过环绕抛盘的第一管道和第二管道，并在第一管道和第二管道上设置多个第一喷嘴和第二喷嘴，可以有效提高晶片抛光过程中晶盘上不同晶片接触药液量的一致性，降低晶片因为接触药液量较少而导致抛光效果不佳的可能性。

技术研发人员：吴倩,周铁军,王金灵,田玉莲
受保护的技术使用者：广东先导微电子科技有限公司
技术研发日：20230508
技术公布日：2024/1/15