本技术涉及半导体加工领域,尤其涉及一种蒸发台。
背景技术:
1、蒸发台属于物理气相沉积装置,其原理是将待蒸发材料置于真空环境中并加热至其熔点以上,使待蒸发材料被蒸发成气相,金属原子会以直线运动轨迹高速前进,淀积在衬底表面上。待蒸发材料的蒸发有电阻加热、电子束聚焦加热、以及射频加热等方法。
2、采用电子束聚焦加热的蒸发台称为电子束蒸发台。当高熔点金属被加热到高温时,其表面电子之动能将大于束缚能而逸出。电子经过汇集成束,具有高能量密度。在电场作用下,电子束撞击在待蒸发材料表面,电子束的动能转化为热能,其温度可高达上千度从而将待蒸发材料蒸发成气体。在所述坩埚表面设置水冷板,一方面可以对坩埚进行降温,另一方面可以防止蒸发形成的气体对所述坩埚的其他坩埚口内的材料造成污染。
3、然而在蒸发过程中,蒸发形成的气体也会在水冷板的表面形成多余的金属层,使水冷板表面变厚,此时需要用工具对水冷板进行清理;一般的清理方法是采用螺丝刀和锤子敲击水冷板表面多余的金属层,从而使所述多余的金属层脱落,但是这种清理方法容易导致水冷板变形和过度损耗,从而减少水冷板的使用寿命。
技术实现思路
1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种蒸发台,可以减少清理金属层的时间损耗,延长水冷板的使用寿命。
2、为了解决上述问题,本实用新型提供了一种蒸发台,所述蒸发台包括:腔室;坩埚,所述坩埚设置于所述腔室的底部,用于放置待蒸发材料,所述坩埚具有坩埚口,所述坩埚口朝向所述腔室的顶部;水冷板,所述水冷板与所述坩埚口套接;保护罩,所述保护罩可拆卸的固定于所述水冷板朝向所述腔室顶部的一侧并覆盖所述水冷板。
3、在一些实施例中,所述坩埚为多孔坩埚。
4、在一些实施例中,所述水冷板与所述坩埚口相对应的位置形成有蒸发孔。
5、在一些实施例中,所述保护罩通过多个螺丝可拆卸的固定于所述水冷板的表面。
6、在一些实施例中,所述保护罩与所述水冷板之间存在间隙。
7、在一些实施例中,所述保护罩由多个保护结构拼接形成。
8、在一些实施例中,所述保护罩的材料为黄铜。
9、在一些实施例中,还包括冷却水源,所述冷却水源设置在所述腔室的外部,并通过进水管路与所述水冷板连接。
10、在一些实施例中,还包括基座,所述基座固定在所述腔室的底部,所述坩埚安装于所述基座内。
11、在一些实施例中,还包括电子束蒸发源,所述电子束蒸发源设置在所述腔室的一侧,用于提供电子束。
12、在一些实施例中,还包括固定座,所述固定座设置于所述腔室的顶部,所述固定座用于固定待镀膜的衬底。
13、以上技术方案,通过在水冷板表面增设可拆卸的保护罩,使得所述保护罩覆盖所述水冷板,在维护时拆去所述保护罩并更换新的保护罩即可;减去了采用螺丝刀和锤子敲击水冷板去除表面金属层的步骤,减少了清理金属层的时间损耗,并且延长了水冷板的使用寿命。
14、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本实用新型。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
1.一种蒸发台,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,所述坩埚为多孔坩埚。
3.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,所述保护罩与所述坩埚口相对应的位置形成有蒸发孔。
4.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,所述保护罩通过多个螺丝可拆卸的固定于所述水冷板的表面。
5.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,所述保护罩与所述水冷板之间存在间隙。
6.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,所述保护罩由多个保护结构拼接形成。
7.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,所述保护罩的材料为黄铜。
8.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,还包括冷却水源,所述冷却水源设置在所述腔室的外部,并通过进水管路与所述水冷板连接。
9.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,还包括基座,所述基座固定在所述腔室的底部,所述坩埚安装于所述基座内。
10.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,还包括电子束蒸发源,所述电子束蒸发源设置在所述腔室的一侧,用于提供电子束。
11.根据权利要求1所述的蒸发台,其特征在于,还包括固定座,所述固定座设置于所述腔室的顶部,所述固定座用于固定待镀膜的衬底。