一种改善PECVD镀膜绕镀的石墨舟的制作方法

本发明涉及镀膜，具体涉及一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟。

背景技术：

1、pecvd技术主要用于太阳能晶硅电池表面介质膜成膜，通过脉冲射频激发受热的稀薄气体进行辉光放电形成等离子体，通过两片相对应的石墨片加相反的交变电压使等离子在极板间加速撞击气体，运动到硅片表面完成镀膜过程。石墨舟是高纯石墨材质制作而成，具有一排一排平行排布的石墨舟片，每个石墨舟片上面设有石墨舟卡点，对硅片起到固定的作用。

2、传统镀膜过程中，由于硅片和石墨舟卡点均在石墨舟片外部悬挂，硅片处在高温环境中又易变形翘曲，故无法保证硅片和石墨舟片紧密贴合无缝隙。在镀膜过程中等离子体团在真空泵的抽力下，从炉口运动到炉尾，翘曲的硅片边缘和缝隙易阻碍等离子体团运动，导致等离子体团除在硅片远离石墨舟片的一面进行沉积，还会在硅片贴近石墨舟片的一面和边缘进行沉积，从而产生绕镀色差不良，影响电池片质量。为此，我们提出了一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟。

技术实现思路

1、(一)针对现有技术的不足，本发明提供了一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，使得硅片位于下沉槽内，杜绝了硅片对等离子体团定向运动的阻挡，整体上大大改善了硅片的边缘绕镀问题，保证了电池片的质量。

2、(二)为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，包括多组石墨舟片，石墨舟片上开设有多组呈倾斜状的镂空，奇数组石墨舟片上安装有下电极块，偶数组石墨舟片上安装有上电极块，且多组石墨舟片底部安装有支撑脚，石墨舟片对应镂空的位置开设有下沉槽，下沉槽上设置有用以卡接硅片的定位件，在定位硅片后，硅片背离下沉槽的端面不超过石墨舟片的表面。

3、优选的，下沉槽设置有多阶，多阶下沉槽由外向内逐渐缩小，相应定位件设置在相应下沉槽上。

4、优选的，由内向外，内侧下沉槽上定位件的外端面不超过外侧下沉槽上定位件的内端面。

5、优选的，定位件包括三组卡点杆，分为位于下沉槽的左侧、右侧以及下侧，当硅片卡接在三组卡点杆上后，硅片呈倾斜状。

6、优选的，支撑脚上安装有收集盒，其用以接收破损掉落的硅片渣，以防硅片渣直接掉落在炉中。

7、优选的，支撑脚上安装有刮扫硅片渣的清理部，清理部包括开设于支撑脚上的条形孔以及设置于收集盒内的清理板，清理板上固定有连接杆，连接杆的另一端穿过条形孔并固定有限位板，连接杆上滑动安装有握筒，且连接杆上套设有弹簧。

8、优选的，弹簧固定于限位板和握筒之间。

9、优选的，连接杆、限位板、握筒和弹簧均设置有两组，分别位于清理板的两侧。

10、(三)本发明提供了一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，具备以下有益效果：

11、1、通过设置下沉槽，气流在穿过石墨舟时，硅片的边缘不会对气流产生阻碍作用，杜绝了硅片对等离子体团定向运动的阻挡，且下沉槽具有一定深度，对由于温度导致硅片翘曲起到一定保护作用，整体上大大改善了硅片的边缘绕镀问题，保证了电池片的质量。

12、2、通过设置由外向内逐渐缩小的多阶下沉槽，能具有兼容多种尺寸电池片的功能，能更好的满足使用需求。

13、3、通过加入收集盒和清理部，防止硅片渣掉落至炉中，落在收集盒内的硅片渣可使用清理部集中集拢起来，便于工作人员的清理。

技术特征：

1.一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，包括多组石墨舟片(1)，石墨舟片(1)上开设有多组呈倾斜状的镂空(5)，奇数组石墨舟片(1)上安装有下电极块(3)，偶数组石墨舟片(1)上安装有上电极块(2)，且多组石墨舟片(1)底部安装有支撑脚(4)，其特征在于：石墨舟片(1)对应镂空(5)的位置开设有下沉槽(6)，下沉槽(6)上设置有用以卡接硅片的定位件(7)，在定位硅片后，硅片背离下沉槽(6)的端面不超过石墨舟片(1)的表面。

2.如权利要求1所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：下沉槽(6)设置有多阶，多阶下沉槽(6)由外向内逐渐缩小，相应定位件(7)设置在相应下沉槽(6)上。

3.如权利要求2所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：由内向外，内侧下沉槽(6)上定位件(7)的外端面不超过外侧下沉槽(6)上定位件(7)的内端面。

4.如权利要求1所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：定位件(7)包括三组卡点杆，分为位于下沉槽(6)的左侧、右侧以及下侧，当硅片卡接在三组卡点杆上后，硅片呈倾斜状。

5.如权利要求1所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：支撑脚(4)上安装有收集盒(8)，其用以接收破损掉落的硅片渣，以防硅片渣直接掉落在炉中。

6.如权利要求5所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：支撑脚(4)上安装有刮扫硅片渣的清理部(9)，清理部(9)包括开设于支撑脚(4)上的条形孔(91)以及设置于收集盒(8)内的清理板(92)，清理板(92)上固定有连接杆(93)，连接杆(93)的另一端穿过条形孔(91)并固定有限位板(94)，连接杆(93)上滑动安装有握筒(96)，且连接杆(93)上套设有弹簧(95)。

7.如权利要求6所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：弹簧(95)固定于限位板(94)和握筒(96)之间。

8.如权利要求6所述的一种改善pecvd镀膜绕镀的石墨舟，其特征在于：连接杆(93)、限位板(94)、握筒(96)和弹簧(95)均设置有两组，分别位于清理板(92)的两侧。

技术总结
本发明涉及镀膜领域，具体涉及一种改善PECVD镀膜绕镀的石墨舟，包括多组石墨舟片，石墨舟片上开设有多组呈倾斜状的镂空，奇数组石墨舟片上安装有下电极块，偶数组石墨舟片上安装有上电极块，且多组石墨舟片底部安装有支撑脚，石墨舟片对应镂空的位置开设有下沉槽，下沉槽上设置有用以卡接硅片的定位件，在定位硅片后，硅片背离下沉槽的端面不超过石墨舟片的表面。本发明通过设置下沉槽，气流在穿过石墨舟时，硅片的边缘不会对气流产生阻碍作用，杜绝了硅片对等离子体团定向运动的阻挡，且下沉槽具有一定深度，对由于温度导致硅片翘曲起到一定保护作用，整体上大大改善了硅片的边缘绕镀问题，保证了电池片的质量。

技术研发人员：马中红,朱浩,唐剑明,王永亮,张科,段冰,李瑞瑞,王厚玉
受保护的技术使用者：滁州捷泰新能源科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27