HDPCVD化学气相淀积设备BellJar冷却、射频集成组件模具及加工方法与流程

本发明涉及泛半导体行业hdpcvd设备，具体地，涉及hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具及加工方法。

背景技术：

1、国内目前大型锅形集成冷却、射频的核心组件的加工方法、工艺和工装治具均处于空白状态。

技术实现思路

1、针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种hdpcvd化学气相淀积设备belljar冷却、射频集成组件模具及加工方法。

2、根据本发明提供的一种hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，包括高精密模具和定位治具，定位治具连接于高精密模具上，高精密模具上设有凹槽，定位治具上设有卡齿，凹槽和卡齿配合连接。

3、优选的，高精密模具包括模具本体和凹槽，凹槽环绕于模具本体上，凹槽内连接有集成冷却、射频罩；

4、集成冷却、射频罩由管件一体缠绕而成，管件连接于与之相适配的凹槽内。

5、优选的，模具本体和凹槽一体成型，且凹槽等距环绕。

6、优选的，凹槽的中心间距为0.002mm。

7、优选的，定位治具包括固定环、连接块以及加强筋，加强筋一端连接固定环，加强筋另一端连接连接块。

8、优选的，多个加强筋均匀分布，加强筋上设有卡齿，加强筋通过卡齿连接集成冷却、射频罩。

9、本发明还提供了一种hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具的加工方法，具体操作步骤如下：

10、s1、把相对应的管件整理，检查管件缺陷，确保零碰伤和杂质，将管件进行调直；

11、s2、制作高精密模具，确保凹槽中心间距在0.001-0.003mm，并将高精密模具定位在铣床上，通过数控铣床的四面分中找到中心位置，调整中心度在0.01-0.02mm；

12、s3、将调整好的高精密模具上抹上脱模粉均匀绕制管件，并将管件和高精密模具放在真空炉内进行高温定型；

13、s4、将制做好的定位治具安装定位在绕好的高精密模具上，调整好间隙，将凹槽的管件件转卡在定位治具上；

14、s5、用软胶工具敲击铜管来调整铜管紧贴模具，调整大小定型，拆除高精密模具和定位治具，将制备好的集成冷却、射频罩进行组装在dome外侧。

15、优选的，在步骤s2中，凹槽中心间距在0.002mm，调整高精密模具的中心度在0.01mm。

16、优选的，在步骤s3中，真空炉设定的温度为230°，2小时均匀升温，升温速率为2℃/min，温度到达后静态8小时。

17、与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

18、(1)本发明实现组装过程铜管更紧密贴近陶瓷件，使得高频功能不损耗；

19、(2)本发明通过此方法和模具、治具配合完全解决hdpcvd设备bell jar冷却和射频集成，实现射频组件均等一致规律和dome零间隙贴合，应用端通过射频模组均匀性能和零间隙有规律顺序贴合提供几乎独立的离子通量和能量控制；

20、(3)本发明提供几乎独立的离子通量和能量控制，使用时得到均匀电感耦合等离子体源来实现化学气相沉积设备，能够在较低的沉积温度下获得更高的等离子体密度和质量，提高了沟槽或孔填充能力。

技术特征：

1.一种hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，其特征在于，包括高精密模具(1)和定位治具(2)，所述定位治具(2)连接于所述高精密模具(1)上，所述高精密模具(1)上设有凹槽(12)，所述定位治具(2)上设有卡齿(24)，所述凹槽(12)和所述卡齿(24)配合连接。

2.根据权利要求1所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，其特征在于，所述高精密模具(1)包括模具本体(11)和凹槽(12)，所述凹槽(12)环绕于所述模具本体(11)上，所述凹槽(12)内连接有集成冷却、射频罩(3)；

3.根据权利要求2所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，其特征在于，所述模具本体(11)和所述凹槽(12)一体成型，且所述凹槽等距环绕。

4.根据权利要求3所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，其特征在于，所述凹槽(12)的中心间距为0.002mm。

5.根据权利要求2所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，其特征在于，所述定位治具(2)包括固定环(21)、连接块(22)以及加强筋(23)，所述加强筋(23)一端连接所述固定环(21)，所述加强筋(23)另一端连接所述连接块(22)。

6.根据权利要求5所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具，其特征在于，多个所述加强筋(23)均匀分布，所述加强筋(23)上设有卡齿(24)，所述加强筋(23)通过所述卡齿(24)连接所述集成冷却、射频罩(3)。

7.一种采用权利要求1-6任一项所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具的加工方法，其特征在于，具体操作步骤如下：

8.根据权利要求7所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具的加工方法，其特征在于，在步骤s2中，所述凹槽(12)中心间距在0.002mm，调整所述高精密模具(1)的中心度在0.01mm。

9.根据权利要求7所述的hdpcvd化学气相淀积设备bell jar冷却、射频集成组件模具的加工方法，其特征在于，在步骤s3中，真空炉设定的温度为230℃，升温速率为2℃/min，温度到达后静态8小时。

技术总结
本发明提供了一种涉及泛半导体行业HDPCVD设备的HDPCVD化学气相淀积设备Bell Jar冷却、射频集成组件模具及加工方法，包括高精密模具和定位治具，定位治具连接于高精密模具上，高精密模具上设有凹槽，定位治具上设有卡齿，凹槽和卡齿配合连接。本发明提供几乎独立的离子通量和能量控制，使用时得到均匀电感耦合等离子体源来实现化学气相沉积设备，能够在较低的沉积温度下更高的等离子体密度和质量，提高了沟槽或孔填充能力。

技术研发人员：陈刚,陶岳雨,江小才,丁志德,张裕龙,王亚东,陶近翁
受保护的技术使用者：上海卡贝尼精密陶瓷有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16