如权利要求6?8中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层存在含有 11. 8 ?22. 9at% 的 Sn 的 SnAg 合金即？> (zeta)相。
10. 如权利要求6?8中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层存在Ag3Sn 即 e (epsilon)相。
11. 如权利要求6?8中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层存在含有 11.8?22.9&七％的5]1的31^8合金即？1(26七&)相、与六8 3311即￡(6卩8；[1〇11)相。
12. 如权利要求6?8中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层仅存在 Ag3Sn 即 e (epsilon)相。
13. 如权利要求6?8中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层存在Ag3Sn 即e (epsilon)相、与Sn单相即PSn。
14. 如权利要求6?8中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，在所述上层存在含有 11.8?22.9&七％的3]1的31^8合金即？1(26七3)相、六8 3311即￡(6口8；[1〇11)相、及311单相 即 3 Sn。
15. 如权利要求1?14中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，所述上层的表面的算 术平均高度（Ra)为0. 3iim以下。
16. 如权利要求1?15中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，所述上层的表面的最 大高度（Rz)为3iim以下。
17. 如权利要求1?16中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，所述下层由选自C构 成元素组中的Ni或者Ni及另外1种或2种以上元素构成，所述C构成元素组是由Ni、Cr、 Mn、Fe、Co及Cu组成的组。
18. 如权利要求17所述的表面处理镀敷材料，其中，将选自所述C构成元素组中的Ni 或者Ni及另外1种或2种以上元素成膜在所述基材上，然后，将选自所述B构成元素组中 的1种或2种元素成膜，然后将选自所述A构成元素组中的Sn或者Sn及In成膜,通过所 述A构成元素组、所述B构成元素组及所述C构成元素组的各元素扩散，而形成上层的Sn 合金层及下层的Ni合金层。
19. 如权利要求18所述的表面处理镀敷材料，其中，所述扩散是通过热处理而进行。
20. 如权利要求19所述的表面处理镀敷材料，其中，所述热处理是在所述A构成元素 组的金属的烙点以上进行，形成有选自所述A构成元素组中的1种或2种元素及选自所述 B构成元素组中的1种或2种以上元素的合金层。
21. 如权利要求17?20中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，所述C构成元素组 的金属以Ni、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的合计量计为50mass%以上，且进而包含选自由B、P、Sn及 Zn组成的组中的1种或2种以上。
22. 如权利要求6?21中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，所述A构成元素组的 金属以Sn与In的合计量计为50mass%以上，剩余合金成分是由选自由Ag、As、Au、Bi、Cd、 Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W及Zn组成的组中的1种或2种以上金属构成。
23. 如权利要求6?22中任一项所述的表面处理镀敷材料，其中，所述B构成元素组 的金属以Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir的合计量计为50mass%以上，剩余合金成分是由 选自由 Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl 及 Zn 组成的组中的 1 种或 2 种以上金属构成。
24. 权利要求1?23中任一项所述的表面处理镀敷材料的制造方法，其?23所述的表 面是在在金属基材依次形成有所述下层及所述上层的镀敷材料的所述上层表面，使用下述 磷酸酯系溶液进行表面处理，所述磷酸酯系溶液含有以下述通式[1]及[2]表示的磷酸酯 的至少1种、及选自以下述通式[3]及[4]表示的环状有机化合物组中的至少1种，
[化1] [化2] (式[1]、[2]中，心及R 2各自表示经取代的烧基,M表示氢或碱金属)， [化3]
[化4]
(式[3]、[4]中，Ri表示氢、烧基、或经取代的烧基，R2表示碱金属、氢、烧基、或经取代 的烷基，R3表示碱金属或氢，R4表示-SH、经烷基或芳基取代的氨基、或经烷基取代的咪唑基 烧基，R5及R6表示-順2、-SH或-SM(M表示碱金属））。
25. 如权利要求24所述的表面处理镀敷材料的制造方法，其中，在所述上层表面涂布 磷酸酯系溶液，由此进行利用所述磷酸酯系溶液的表面处理。
26. 如权利要求24所述的表面处理镀敷材料的制造方法，其中，将Sn或Sn合金镀敷后 的镀敷材料浸渍在磷酸酯系溶液中，以镀敷材料作为阳极进行电解，由此进行利用所述磷 酸酯系溶液的表面处理。
27. -种电子零件，其使用了权利要求1?23中任一所述的表面处理镀敷材料。
28. -种连接器端子，其将权利要求1?23中任一所述的表面处理镀敷材料用于接点 部分。
29. -种连接器，使用了权利要求28项的连接器端子。
30. -种FFC端子，其将权利要求1?23中任一所述的表面处理镀敷材料用于接点部 分。
31. -种FPC端子，其将权利要求1?23中任一所述的表面处理镀敷材料用于接点部 分。
32. -种FFC，其使用了权利要求30所述的FFC端子。
33. -种FPC，其使用了权利要求31所述的FPC端子。
34. -种电子零件，其将权利要求1?23中任一所述的表面处理镀敷材料用于外部连 接用电极。
35. -种电子零件，其将权利要求1?23中任一所述的表面处理镀敷材料用于压入 型端子，所述压入型端子是分别在装设在外壳的安装部的一侧设置有母端子连接部，在另 一侧设置有基板连接部，通过将所述基板连接部压入形成在基板的通孔而装设在所述基板 上。
【专利摘要】本发明提供一种晶须的产生得到抑制，即使曝露在高温环境下也保持良好的焊接性及低接触电阻，且端子、连接器的插入力低的表面处理镀敷材料。本发明的表面处理镀敷材料是在金属基材依次形成有由Ni或Ni合金镀敷构成的下层、及由Sn或Sn合金镀敷构成的上层的镀敷材料，且在上述上层表面存在P及N，附着在上述上层表面的P及N元素的量分别为P：1×10-11～4×10-8mol/cm2、N：2×10-12～8×10-9mol/cm2。
【IPC分类】C25D5-12, C25D5-48, C23C28-00
【公开号】CN104619883
【申请号】CN201380048759
【发明人】儿玉笃志, 涉谷义孝, 深町一彦
【申请人】Jx日矿日石金属株式会社
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年7月5日
【公告号】EP2899298A1, US20150259813, WO2014045678A1