钕铁硼薄片的热处理方法

文档序号:8313526阅读:757来源:国知局
钕铁硼薄片的热处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及稀±材料的热处理领域,尤其是涉及钦铁测薄片的热处理方法。
【背景技术】
[0002] 钦铁测合金的微观组织是制备高性能磁体的关键技术之一。速凝工艺制备的速凝 薄片,虽然具有精细的微结构,但厚度为0. 15mm-0. 45mm,均匀性较差,其中的主相成分多少 还是有点偏析。在贴親面处,有时会由于德注时的快速冷却,产生急冷层,形成一层细晶粒 区,平均晶粒尺寸< 1 y m,制粉中不易被破碎,W多晶体的形式存在,影响W后的磁场取向, 从而对磁性能造成影响。

【发明内容】

[0003] 为了克服上述现有技术存在的问题,为了进一步研究速凝薄片对烧结钦铁测的磁 性能的影响,改善速凝薄片的相组织,消除铸片组织的不均匀,本发明对速凝薄片进行了等 温热处理,研究了等温热处理的方法对其组织的影响,然后采用热处理之后的速凝薄片制 作烧结钦铁测永磁体,从而提高了烧结钦铁测永磁体的磁性能。
[0004] 根据本发明的一方面,本发明提供了一种钦铁测薄片的热处理方法,所述热处理 方法包括如下步骤;(1)在15Kg真空烙炼炉中将高温钦铁测合金烙液通过冷却親快速甩成 速凝薄片;(2)在真空烙炼炉中,氮气气氛下,速凝薄片散落在水冷盘上缓冷,水冷盘的进 水温度为8C~29C,并同时风冷,冷却时间为30min,速凝薄片温度降到5(TC W下出炉;取 出后,将速凝薄片装入带盖铁盒,放入真空实验烧结炉;(3)对速凝薄片在真空环境下在温 度为70(TC~lOOOC进行等温热处理;(4)经氨化、气流磨制成VMD为5 y m~8 y m的微粉 后,用压机垂直压制成块逐状,取向磁场为1. 2T~2. OT 及(5)经烧结、缓冷,制成钦铁测 磁体毛逐,其中,烧结工艺为;a〇4(TC~1064°C)*化,时效工艺为;93(TC *2.化+ (480°C~ 515°C)巧.5h。
[0005] 优选地,所述钦铁测合金为按质量分数配比(Nd,Pr)x (皿)yFej(余MzBi.。。的合金, 皿为 Gd、Tb、Dy 或 Ho, M 为 A1、Co、Cu、Ga 或化,x=27 ~32, y=0-5, z=0-5。
[0006] 优选地,步骤(1)中的高温钦铁测合金烙液的温度为142(TC~146(TC。
[0007] 优选地,步骤(1)中的冷却親的转速为1~2m/s,冷却親中的进水水温为8C~ 29 V
[0008] 优选地,步骤(1)中的速凝薄片的厚度为0. 20~0. 30mm。
[0009] 优选地,步骤(2)中的带盖铁盒底部铺一层干净纯铁片膜异防止铁盒底部的杂质 进入速凝薄片中,污染样品;上面覆铁膜是为了防止抽真空时薄片中细小的粉末被抽走; 放入薄片后上覆一层干净铁膜再盖紧。
[0010] 优选地,步骤(3)中的等温热处理的升温速度为8C /min,等温时间为化。
[0011] 采用本发明的钦铁测速凝薄片等温热处理技术后,不仅可W解决急冷所造成的 微晶区晶粒过小的问题,使急冷层的晶粒有了明显的长大,温度越高晶粒越大,可长大至 20 y m左右。而且其微观组织形貌发生了显著的变化,主要表现为随等温温度的升高,薄片 状的主相和沿晶界分布的富钦相融合长大,使柱状晶变为等轴晶,该样在后续的气流磨工 艺中使磁粉的表面应力能比未处理的大为减少,从而提高了粉末的抗氧性,同时提高了磁 体的取向度。热处理后的速凝薄片表面为光亮的银色,被氧化而产生的蓝色、黄色等颜色消 失。随着热处理温度的提高,主相和富钦相更加接近合理的配比,因此引起烧结磁体的化 的提高,磁能积也有了明显的提高。经热处理后的磁体剩磁化提高约0. 02 - 0. 3KGS,磁能 积(BH) max 提高约 0. 2-2MGOe。
【具体实施方式】
[0012] W下将结合实施例对本发明做进一步说明,本发明的实施例仅用于说明本发明的 技术方案,并非限定本发明。
[001引 实施例1
[001 4] 風气气巧下,在15kg真全烙炼炉中将按Nd21.44Pr6.9Cl化。.。3〇72.95化。.mGcI。.。2化65.97八1〇. 2并〇1.。1化。.isGa。. 2井。.W质量分数配比的合金烙液德注到冷却親上甩成速凝薄片,速凝薄片的 厚度约为0. 30mm,冷却親的进水温度为17°C,冷却親的转速为1. 24m/s,速凝薄片的冷却方 式为水冷盘冷却加风冷,冷却时间为30min,速凝薄片温度降到5(TCW下即可出炉。将速凝 薄片装入底面铺有干净铁膜的带盖铁盒内,上覆干净铁膜盖紧,装入真空实验烧结炉中,在 真空环境下进行等温热处理。等温热处理的升温速度为8C /min,热处理工艺为;75(TC *6h 气浑,氮气气氛下缓冷至55°C W下即可出炉。经氨化、气流磨制成VMD为7. 18 y m的微粉, 垂直压制成63. 9*36. 3*29. 2mm的块逐,取向磁场为1. 87T。经烧结、时效,制成钦铁测磁体 毛逐,其中,烧结工艺为;l〇64°C *6h,时效工艺为;93(TC *2.化+485C巧.5h。六面磨光处 理后,测量其测性能。经热处理后的磁体剩磁化提高约0. 02~0. 04KGS,磁能积(BH) max 提高约 0. 33 ~0. 54MG0e。
[001引 实施例2
[0016] 氮气气氛下,在15kg真空烙炼炉中将按刷21.42口与.84化。.。3〇73.。1化。.。16屯.。2化66.。8八1〇. 2击0。. 99化。.isGa。. 2iBi.。。质量分数配比的合金烙液德注到冷却親上甩成速凝薄片,速凝薄片的 厚度约为0. 25mm,冷却親的进水温度为14°C,冷却親的转速为1. 37m/s,速凝薄片的冷却方 式为水冷盘冷却加风冷,冷却时间为30min,速凝薄片温度降到5(TCW下即可出炉。将速凝 薄片装入底面铺有干净铁膜的带盖铁盒内,上覆干净铁膜盖紧,装入真空实验烧结炉中,在 真空环境下进行等温热处理。等温热处理的升温速度为8C /min,热处理工艺为;75(TC *6h 气浑,氮气气氛下缓冷至55°C W下即可出炉。经氨化、气流磨制成VMD为5. 51 y m的微粉, 垂直压制成59. 4*37. 3*47. 6mm的块逐,取向磁场为1. 83T。经烧结、时效,制成钦铁测磁体 毛逐,其中,烧结工艺为;l〇48°C *6h,时效工艺
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