一种平板式pecvd机台的u型槽的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种平板式PECVD机台的U型槽。
【背景技术】
[0002]现有的平板式PECVD机台的进气结构一般采用在特气管道和U型槽相贴的壁上均匀开进气孔的方式，其U型槽的结构如图1所示，包括侧壁1和底壁2，侧壁1的顶部设置有向外翻折的第一翻边3，第一翻边3的端部向下翻折有第二翻边4，第一翻边3、第二翻边4和侧壁1之间形成与U型槽的朝向相反的环槽，在该环槽中放置有硅烷特气管路6，第一翻边3对应于硅烷特气管路6的位置开设有上部气孔31，硅烷特气管路6中的气体经上部气孔31向着U型槽的上部流动，而底壁的底部设置有氨气特气管路5，底壁2的对应于氨气特气管路5的位置开设有底壁气孔21，氨气特气管路5中的气体通过底壁气孔21向着U型槽的上部流动，而U型槽的槽口上设置有载板，载板上面上面一般平铺5排、每排上5块硅片，在U型槽的侧壁1的中心有紧贴其侧壁的内置铜导管的石英管7，石英管7的两端为微波发生器，微波发生器产生的微波通过石英管7传导给U型槽，使其内的特气分离成高密度的等离子体，等离子体沉积在硅片上，形成薄膜。
[0003]然而，由于硅烷特气管道被环槽包裹着，在工作过程中，氨气特气管路5中的氨气向上流动的过程中，经常会扩散到硅烷特气管路6对应的上部气孔21附近，从而导致硅烷特气管路6流出的硅烷在上部气孔处与氨气发生反应，并在上部气孔21内生产氮化硅，从而导致上部气孔21经常堵塞，而且堵孔后很难清理，维护起来很麻烦。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于提出一种平板式PECVD机台的U型槽，能够避免硅烷特气管路的出口堵塞，方便维护。
[0005]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0006]一种平板式PECVD机台的U型槽，包括侧壁和底壁，所述底壁开设有底壁气孔，所述底壁的底部设置有与所述底壁气孔连接的氨气特气管路，所述侧壁的外侧设置有出口朝上的硅烷特气管路，所述侧壁的顶端设置有向内且斜向上的挡板。
[0007]其中，所述挡板的倾斜角度为30°?60°。
[0008]其中，所述挡板的倾斜角度为45°。
[0009]其中，所述挡板的宽度为2cm?6cm。
[0010]其中，所述挡板的宽度为3cm。
[0011 ]其中，所述硅烷特气管路的出口不低于所述侧壁与所述挡板的连接处。
[0012]其中，所述侧壁的内侧中部设置有石英管，所述石英管的两端连接微波发生器。
[0013]其中，所述石英管内置铜导管。
[0014]本实用新型的有益效果为:
[0015]本实用新型的平板式PECVD机台的U型槽，包括侧壁和底壁，所述底壁开设有底壁气孔，所述底壁的底部设置有与所述底壁气孔连接的氨气特气管路，所述侧壁的外侧设置有出口朝上的硅烷特气管路，所述侧壁的顶端设置有向内且斜向上的挡板;其通过将现有技术中的第一翻边和第二翻边的结构改进为挡板的结构，因而利用向内且斜向上设置的挡板，可以将氨气特气管路中流出的氨气与硅烷特气管路中流出的硅烷的在向上流动的过程中实现一定程度的隔离，避免在硅烷特气管路的出口处氨气与硅烷发生反应，进而避免生产氮化硅，也就避免硅烷特气管路的出口被堵塞，方便维护。
【附图说明】
[0016]图1是现有技术中的U型槽的结构示意图。
[0017]图2是本实用新型的U型槽的结构示意图。
[0018]图中:1-侧壁;2、底壁;3-第一翻边;4-第二翻边;5-氨气特气管路;6_硅烷特气管路;7-石英管;8-挡板;21-底壁气孔;31-上部气孔。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0020]如图2所示，一种平板式PECVD机台的U型槽，包括侧壁1和底壁2，底壁2开设有底壁气孔21，底壁2的底部设置有与底壁气孔21连接的氨气特气管路5，侧壁1的外侧设置有出口朝上的硅烷特气管路6，侧壁1的顶端设置有向内且斜向上的挡板8。本实用新型的平板式PECVD机台的U型槽，通过将现有技术中的第一翻边和第二翻边的结构改进为挡板的结构，因而利用向内且斜向上设置的挡板，可以将氨气特气管路中流出的氨气与硅烷特气管路中流出的硅烷的在向上流动的过程中实现一定程度的隔离，避免在硅烷特气管路的出口处氨气与硅烷发生反应，进而避免生产氮化硅，也就避免硅烷特气管路的出口被堵塞，方便维护。
[0021 ]优选的，挡板8的倾斜角度为30°?60°，挡板8的宽度为2cm?6cm。进一步优选的，在本实施例中，挡板8的倾斜角度为45°，挡板8的宽度为3cm。
[0022]此处需要说明的是，挡板8的倾斜角度是挡板相对于水平面的夹角。通过倾斜45°，宽度为3cm的挡板，可以实现对氨气的阻挡，也能够实现对硅烷特气管路的出口的释放，从而大大提高了实际生产过程中的生产效率，降低维护压力，该数据为实际生产过程中试验的数据。
[0023]其中，硅烷特气管路6的出口不低于侧壁1与挡板8的连接处。这就能够进一步保证硅烷特气管路的出口避免受到挡板的阻挡，保证硅烷气体的流动顺畅。
[0024]其中，侧壁1的内侧中部设置有石英管7，石英管7的两端连接微波发生器。其中，石英管7内置铜导管。
[0025]本实用新型的U型槽，其一改现有技术中采用第一翻板和第二翻边将硅烷特气管路包围的结构形式，利用向内且斜向上的挡板，使得硅烷特气管路的出口得到解放，更加有利于硅烷气体的向上流动，也将减少了上部气孔的开设，结构大大简化，降低了成本;而且，向内且斜向上的挡板在侧壁的顶端的开口部形成了锥形的出口结构，使得氨气特气管路中经过底壁气孔在U型槽中向上流动的氨气受到挡板的阻挡，流动过程中尽可能的减少向硅烷特气管路处的扩散，进而有助于避免氨气与硅烷反生反应生产氮化硅，从而进一步保证硅烷特气管路避免被堵，解决了硅烷孔经常堵塞的问题。
[0026]以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理。这些描述只是为了解释本实用新型的原理，而不能以任何方式解释为对本实用新型保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种平板式PECVD机台的U型槽，包括侧壁(1)和底壁(2)，所述底壁(2)开设有底壁气孔(21)，所述底壁(2)的底部设置有与所述底壁气孔(21)连接的氨气特气管路(5)，其特征在于，所述侧壁(1)的外侧设置有出口朝上的硅烷特气管路(6)，所述侧壁(1)的顶端设置有向内且斜向上的挡板(8)。2.根据权利要求1所述的U型槽，其特征在于，所述挡板(8)的倾斜角度为30°?60°。3.根据权利要求2所述的U型槽，其特征在于，所述挡板(8)的倾斜角度为45°。4.根据权利要求1所述的U型槽，其特征在于，所述挡板(8)的宽度为2cm?6cm。5.根据权利要求4所述的U型槽，其特征在于，所述挡板(8)的宽度为3cm。6.根据权利要求1所述的U型槽，其特征在于，所述硅烷特气管路(6)的出口不低于所述侧壁(1)与所述挡板(8)的连接处。7.根据权利要求1所述的U型槽，其特征在于，所述侧壁(1)的内侧中部设置有石英管(7)，所述石英管(7)的两端连接微波发生器。8.根据权利要求7所述的U型槽，其特征在于，所述石英管(7)内置铜导管。
【专利摘要】本实用新型公开了一种平板式PECVD机台的U型槽，包括侧壁和底壁，所述底壁开设有底壁气孔，所述底壁的底部设置有与所述底壁气孔连接的氨气特气管路，所述侧壁的外侧设置有出口朝上的硅烷特气管路，所述侧壁的顶端设置有向内且斜向上的挡板，其能够避免硅烷特气管路的出口堵塞，方便维护。
【IPC分类】C23C16/455
【公开号】CN205133732
【申请号】CN201520944957
【发明人】袁中存, 党继东
【申请人】盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月24日